WB系列砷化镓变容二极管

ＷＢ系列砷化镓变容二极管ＷＢＳｅｒｉａｌＧａＡｓＶａｒａｃｔｏｒｓＧａＡｓ变容管具有优良的微波性能，已广泛应用于微波电路中。从７０年代起，南京电子器件研究所开始研制ＧａＡｓ变容管，目前，产品已形成系列化，具有电性能好，可靠性高等优点，在国内得到广泛应...     

常γ砷化镓电调变容二极管设计与实验研究

电调变容管的C—V特性取决于外延层掺杂浓度分布。为了获得常γC—V特性,外延层掺杂浓度分布应为幂函数。本文假设了一种与实际常γ外延材料掺杂浓度分布比较接近的浓度分布函数,导出了C—V计算公式,并给出器件设计方法。采用平面扩散管芯结构,制得了γ=1和1.25的GaAs电调变容二极管,在2～18GHz宽带线性压控振荡器中获得了满意的使用结果。     

一种指数掺杂的砷化镓平面肖特基变容二极管的设计与制作

利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点.并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率.采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面.经...     

W波段倍频放大组件的研制

介绍W波段倍频放大组件的原理与设计技术,并给出实验结果和改进方法。     

MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料

用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容管。     

变容二极管倍频器

在高频电路中,变容管能产生丰富的谐波和具有高的效率,被越来越广泛地用于调频振荡、参量倍频、参量混频、参量放大和电调谐等电路中。本文只讨论变容二极管倍频器。一、变容管倍频原理变容二极管是一种非线性电容元件,它的PN结势垒电容能够灵敏地随反向偏压的改变而变化。当所加反向偏压较低时,变容二极管的等效电容就大。当所加反向偏压较高时,变容管的等效电容就小。其电容     

硅变容管的发展趋势

总结了硅变容管的发展趋势,离子注入化,电容配对中测化,集成化,低压化,超小型化,片状化和应用广泛化。     

GaAs MESRET平面型变容管高频特性分析

本文分析用于ＧａＡｓ ＭＭＩＣ调频器件ＭＥＳＦＥＴ平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数,Ｓ参数之间的关系,重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸。     

硅调谐变容管及其应用

介绍了硅调谐变容器的电特性（电容－电压特性、反向特性和Q特性）和在彩电电调谐器中的应用。     

一种新型的砷化镓平面肖特基变容管大信号模型

A millimeter wave large-signal model of GaAs planar Schottky varactor diodes based on a physical analysis is presented.The model consists of nonlinear resistances and capacitances of the junction region and external parasitic parameters.By analyzing the characteristics of the diode under reverse and forward bias,an extraction procedure of all of the parameters is addressed.To validate the newly proposed model,the PSVDs were fabricated based on a planar process and were measured using an automatic network...     

GaAs MESFET平面型变容管高频特性分析

本文分析了用于GaAs MMIC调频器件MESFET平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数、S参数之间的关系.重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸.     

Q频段变容二极管二倍频器设计

采用商用变容二极管MA46H146设计了一款Q频段串联单管二倍频器。通过拟合该变容二极管的电容-电压曲线以补充该二极管技术资料中不完整的模型参数。针对宽带倍频的设计目的,该变容二极管的输入匹配网络采用高低阻抗线低通滤波器与相移传输线实现,输出匹配网络由低插入损耗带通滤波器及相移传输线实现。测试结果与仿真结果吻合,该二倍频器在输入功率为14.5dBm,变容管偏置电压1.2 V时,43～49GHz频段内倍频效率大于12.6%,最高效率34.7%。     

MOS管变容特性研究及振荡频率估计

采用软件模拟及仿真的方法,对MOS管变容的特性进行了分析,根据MOS管的变容特性得出一种VCO的频率精确估计方法。仿真实验表明,该方法具有较高的精确度。在电路的设计中可用该方法预测频率,或者提供元件的参考参数从而提高设计效率,降低设计成本。     

V波段变容管三倍频器

设计制作了一个从22.8GHz到68.4GHz的封装型变容管三倍频器,这是目前报导的用封装型变容管所达到的最高频率。该倍频器在结构上实现了空闲回路独立可调,从而提高了倍频效率。当频率为22.8GHz而输入功率为47mW时,最大三次谐波输出为4.9mW,最大倍频效率为10.4％,输出频率至少在2GHz的范围内倍频效率不低于7％。     

一种低成本小型化倍频组件的设计

介绍了一种基于PIN二极管HSMP-3822的倍频组件的设计,该设计降低了组件内部对滤波器的要求,使得设计出来的组件成本低、体积小、使用方便。测试结果验证了该组件满足各项技术指标要求,性能较好。     

3mm谐波振荡器的电调谐

本文在分析谐波振荡器的电路特性的基础上,针对谐波振荡器的电调谐问题,提出了“电调基频,提取谐波”的新构想,并以该构想指导振荡器的电路设计。最后,采用国产参放变容管作为电调元件于1988年在国内首次研制成功了3mm电调谐波振荡器。该振荡器最大电调带宽超过4GHz;当电调带宽等于±100MHz时,输出功率大于10mW;当电调带宽等于±500MHz时,输出功率大于5mW。     

GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片

针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究。通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温。对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管。分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比。测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs/AlN异构集成二极管的倍频器输入功率提高到316 mW,输出功率为72.4 mW。肖特基二极管由GaAs衬底替换为AlN衬底后耐受功率(输入功率)提高了约58%,倍频效率由21.8%提升至22.9%,输出功率也相应提升,验证了相比GaAs衬底肖特基二极管,GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管的散热性能及耐受功率具有明显的优越性。