铽配合物TbY(o-MBA)6(phen)2与PVK掺杂体系的发光性质研究

合成了一种新型的稀土铽配合物材料TbY(o-MBA)6(phen)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了多种结构的电致发光器件 器件A,ITO/PVK∶TbY (o-MBA)6(phen)2/LiF/Al;器件B,ITO/PVK∶TbY (o-MBA)6(phen)2/AlQ/LiF/Al;器件C,ITO/PVK∶TbY (o-MBA)6(phen)2/BCP/AlQ/LiF/Al.对器件A和B得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了掺杂体系的光致发光性能和电致发光性能,认为在光致发光中,铽的发光主要来源于PVK到稀土配合物的Frster能量传递.而在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接捕获载流子形成激子复合发光.并通过优化选择得到了发光性能较好的器件B,其最大亮度在14 V时达到213 cd·m-2.     

稀土配合物Tb(p-MBA)3phen的有机电致发光

合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p-MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3 离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20 V时达到152 cd·m-2.     

一种含铽单体的合成及其电致发光研究

合成了一种具有聚合活性的含铽配合物单体(Tb(acac)~2(AA)phen),并用红外光谱、元素分析等进行表征。研制了结构为ITO/PVK/Tb(acac)~2(AA)phen/Alq^3/Al的电致发光器件并测定了它的电致发光谱、电流-电压特性、亮度-电压曲线等性能。该器件具有良好的整流特性,其电致发光显示了铽离子的绿光特征发射,并具有较好的单色性。同时,探讨了该器件的电致发光机理。     

Cr4+, Nd3+共掺的钆镓石榴石(Cr, Nd∶GGG)的光谱性能与光谱参数的研究

用提拉法生长了掺铬、钕的钆镓石榴石(Cr4+, Nd3+∶GGG)晶体, 研究了室温下的吸收光谱和荧光光谱性质, 以及晶体中Cr离子浓度对Nd离子光谱性质的影响. 应用Judd-ofelt理论计算了强度参数Ωt (t=2, 4, 6), 自发辐射跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命等光谱参数. 应用McCumber理论计算了4F3/2→4I11/2能级跃迁的受激发射截面. 结果表明 Cr3+在300～900 nm之间较强地增加了吸收截面, 尤其是伴随Cr3+→Nd3+有效的能量转移. Cr4+在1.06 μm附近的吸收减弱了Nd离子的发射截面.     

Sm(DBM)3phen的光致发光和电致发光性质

制备了一系列基于配合物Sm(DBM)3phen的电致发光器件. 研究了其光致发光(PL)和电致发光(EL)性质, 实验结果表明, Sm(DBM)3phen具有良好的电子注入和传输性能以及电致发光性能. 器件ITO/TPD(50 nm)/Sm(DBM)3phen(50 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(1.0 nm)/Al的最大亮度和最大效率分别为150 cd/m2和0.72 cd/A, 器件表现为纯Sm3+离子的发光.     

稀土铽配合物TbY(m-MBA)6(phen)2·2H2O的有机电致发光

合成了两种新型稀土配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O和TbY(m-MBA)6(phen)2·2H2O, 将其掺杂到导电聚合物PVK中用于有机电致发光器件的发光层, 这样改善了配合物的成膜特性和导电性质. 用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和以AlQ为电子传输层的双层器件. 研究了这些单、双层器件的电致发光性能, 对比了以[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O为发光层的双层器件和以TbY(m-MBA)6(phen)2·2H2O为发光层的器件, 发现后者效率更高, 为0.88 cd·A-1, 其最大亮度为123 cd·m-2.     

红色长余辉荧光粉Ca_2Zn_4Ti_(16)O_(38)∶Pr~(3+)的水热辅助合成及发光性质

采用水热法辅助合成了纯相Ca2Zn4Ti16O38∶Pr3+荧光粉,初始nCa∶nZn∶nTi=2∶4.1∶15,煅烧条件为1 050℃空气气氛烧结5 h。并以X射线衍射、扫描电镜、紫外可见漫反射光谱和荧光光谱表征了样品的物相组成、微观形貌和光谱性质。合成的荧光粉在高温煅烧后仍较好地保持了球形的微观形态,优化的Pr3+掺杂浓度为0.015。Ca2Zn4Ti16O38∶Pr3+荧光粉在471 nm波长激发下发射红光,发射谱通过高斯分峰拟合得到位于605、620和645 nm的3个发射峰,分别对应于Pr3+的1D2→3H4,3P0→3H6和3P0→3F2跃迁。在471 nm波长激发下,Ca2Zn4Ti16O38∶Pr3+的614 nm红光发射表现出超长余辉特性,表明该荧光粉是一种能被可见光有效激发的红色长余辉荧光粉。     

2-[(二苯基膦基)甲基]吡啶铜(I)配合物的合成及光物理和电致发光性质

合成了3个2-[(二苯基膦基)甲基]吡啶(L)铜(Ⅰ)配合物：Cu(L)2(BF4)(a)、Cu(L)(PPh3)2(BF4)(b)和Cu(L)(POP)(BF4)(c)(POP为双[(2-二苯膦基)苯基]醚),其组成和结构分别经1H NMR、31P NMR、元素分析及晶体结构分析确证。 分子中,中心铜(Ⅰ)离子均为扭曲的四面体配位构型。 在除气的二氯甲烷溶液中,配合物均出现261~274 nm强π-π*吸收,未见明显的Cu→L电荷转移(MLCT)跃迁吸收。 配合物的薄膜样品发射蓝绿光,最大发射峰分别在515、476和481 nm处,光致发光效率分别为16.0%、12.9%和7.0%。 以聚乙烯咔唑(PVK)与配合物b为发光层的多层电致发光器件,当电流密度为1.0×10-3 A/cm2时,电致发光的电流效率为0.36 cd/A,最大亮度为217 cd/m2。     

稀土配合物的光致和电致发光性能的研究

合成了一种新型的稀土配合物Tb(acac)3dad, 讨论了其光致发光的性质 . 以其为发射层制备了结构为ITO/TPD (50 nm)/Tb(acac)3dad (75 nm)/PBD (50 nm)/Al (400 nm) 的电致发光器件, 该器件的启动电压为7 V, 18 V时得到了最大亮度为62 cd·m -2, 发现器件的电致发光光谱与配合物Tb(acac)3dad的光致发光光谱有明显不同.     

2-[(二苯基膦基)甲基]吡啶铜(Ⅰ)配合物的结构及发光性质

合成了3个2-[(二苯基膦基)甲基]吡啶(L)铜(Ⅰ)配合物:Cu(L)2(BF4)(a)、Cu(L)(PPh3)2-(BF4)(b)和Cu(L)(POP)(BF4)(c)(POP为双[(2-二苯膦基)苯基]醚),其组成和结构分别经1HNMR、31PNMR、元素分析及晶体结构分析确证。分子中,中心铜(Ⅰ)离子均为扭曲的四面体配位构型。在除气的二氯甲烷溶液中,配合物均出现261～274nm强π-π吸收,未见明显的Cu→L电荷转移(MLCT)跃迁吸收。配合物的薄膜样品发射蓝绿光,最大发射峰分别在515、476和481nm处,光致发光效率分别为16.0%、12.9%和7.0%。以聚乙烯咔唑(PVK)与配合物b为发光层的多层电致发光器件,当电流密度为1.0×10-3A/cm2时,电致发光的电流效率为0.36cd/A,最大亮度为217cd/m2。     

5-Br-PADAP为显色剂吸光光度法测定微量重铬酸根的研究

研究了 2 (5 溴 2 吡啶偶氮 ) 5 二乙氨基酚 (5 Br PADAP)在硫酸介质中质子化后与Cr2 O2 - 7形成二元离子缔合物的最佳条件 ,提出了测定微量Cr2 O2 - 7的吸光光度新方法 ,表观摩尔吸光系数ε580 =1.1× 10 5L·mol- 1·cm- 1。Cr2 O2 - 7浓度范围为 0～ 6 .2 4 μg·ml- 1。缔合物组成比为n(5 Br PADAP)∶n(Cr2 O2 - 7) =1∶1,方法应用于合金钢中铬的测定 ,结果满意     

吡唑啉衍生物有机电致发光器件中激基复合物的发射

以两种吡唑啉衍生物为空穴传输材料(HTM)和BBOT为电子传输材料组成双层器件, 获得了相对于组成材料的荧光光谱红移和宽化的电致发光. 双层器件和HTM∶BBOT等摩尔混蒸薄膜的光致发光及电致发光测量表明, 该谱带来自HTM/BBOT界面激基复合物的发射, 根据器件的能级图, 激基复合物的类型为BBOT的激发态BBOT⁽与基态的HTM相互作用的复合物. 用HTM∶BBOT混合发光层增加器件中激基复合物的形成界面, 提高了器件的发射性能.     

共沉淀法制备Lu3 Al5 O12:Ce陶瓷发光粉体的研究

报道了用反滴定共沉淀法及低温煅烧前驱体的方法制备Ce3+摻杂的Lu3Al5O12石榴石陶瓷发光粉体的研究. 通过对实验中制备的Lu3Al5O12∶ Ce前驱体和煅烧粉体进行的X射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)的测试表征表明, 在1000 ℃烧结热处理2 h即可获得完全单一的立方相Lu3Al5O12∶ Ce粉体, 粉体的平均粒径～30 nm. 而随烧结温度的增加, 粒径有增大的趋势. 在1000 ℃空气氛热处理的Lu3Al5O12∶ 0.5%Ce发光粉体具有最强的荧光发射. 粉体经干压、等静压成型后, 在1800 ℃经流动的H2气氛常压烧结保温6 h可获得半透明Lu3Al5O12∶ 0.5%Ce陶瓷. X射线激发下的快分量衰减时间短至十几ns, 占发光成分中主要部分的慢分量为～100 ns.     

氯化二氯四水合铬（Ⅲ）水合反应的动力学研究

在酸性水溶液中,铬(Ⅲ)氯化物的水合物(A)[Cr(H_2O)_4Cl_2]Cl将发生水合反应转变为异构体(C)[Cr(H_2O)_6]Cl_3,即该反应是铬(Ⅲ)配离子的配体取代反应。 1 反应动力学及反应机理     

高效溶液法小分子磷光电致发光器件研究

以小分子化合物CDBP[4,4′-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene]为主体材料,Ir(pppy)3[tris(5-phenyl-10,10-dimethyl-4-aza-tricycloundeca-2,4,6-triene)Iridium(III)]为磷光客体材料,采用溶液法和真空蒸镀法相结合的制备工艺,制作了小分子磷光电致发光器件.研究表明,通过器件结构的优化,Ir(pppy)3(重量百分比为2)掺杂的多层绿光电致发光器件效率达22.0 cd/A,最大亮度达到26600 cd/m²,这一结果可与当今基于真空蒸镀的小分子或基于溶液法的高分子磷光电致发光器件性能相媲美.本工作为降低有机电致发光器件的成本,扩展溶液法有机电致发光器件制备工艺中材料的选择范围提供了实验依据.     

铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2·2H2O的有机电致发光

将稀土铽配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O作为发光材料应用于有机电致发光。把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层,并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件。器件1:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O PBD LiF Al;器件2:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O AlQ LiF Al,研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件,其最大亮度在20V时达到140cd·m-2。     

空气中合成固溶体荧光粉Ba_2(Zn,Mg)Si_2O_7∶Eu~(2+),Eu~(3+),Ce~(3+)及其发光特性

采用高温固相法在空气中合成了Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7∶0.03Eu,y Ce3+系列荧光粉。分别采用X-射线衍射和荧光光谱对所合成荧光粉的物相和发光性质进行了表征。在紫外光330~360 nm激发下,固溶体荧光粉Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7∶0.03Eu的发射光谱在350~725 nm范围内呈现多谱峰发射,360和500 nm处有强的宽带发射属于Eu2+离子的4f 65d1-4f 7跃迁,590~725 nm红光区窄带谱源于Eu3+的5D0-7FJ(J=1,2,3,4)跃迁,这表明,在空气气氛中,部分Eu3+在Ba1.97-yZn1-xMgxSi2O7基质中被还原成了Eu2+;当x=0.1时,荧光粉Ba1.97Zn0.9Mg0.1Si2O7∶0.03Eu的绿色发光最强,表明Eu3+被还原成Eu2+离子的程度最大。当共掺入Ce3+离子后,形成Ba1.97-yZn0.9Mg0.1Si2O7∶0.03Eu,y Ce3+荧光粉体系,其发光随着Ce3+离子浓度的增大由蓝绿区经白光区到达橙红区;发现名义组成为Ba1.96Zn0.9Mg0.1Si2O7∶0.03Eu,0.01Ce3+的荧光粉的色坐标为(0.323,0.311),接近理想白光,是一种有潜在应用价值的白光荧光粉。讨论了稀土离子在Ba2Zn0.9Mg0.1Si2O7基质中的能量传递与发光机理。     

新半金属材料CrFe2O4的电子结构

基于第一性原理, 优化了含Cr的高温相尖晶石结构材料(CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4的几何结构, 并对它们的磁电性能进行了计算. 基于配位场理论分析了CrFe2O4的电子结构及其具有半金属性的微观机制. 计算表明, 仅当x=1.0、y=0.0时, (CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4具有半金属性. CrFe2O4是典型的亚铁磁性耦合的IIB型半金属, 其分子磁矩约为5.6 μB, 大于Fe3O4的4.0 μB. 在CrFe2O4的四面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Cr+t12g↑t32g↓; 八面体晶体场中, 中心离子的电子结构可近似写为Fe2+t32g↑e2g↑t12g↓. CrFe2O4具有半金属性的原因是在配合物ML4和ML6中, 中心离子与周围O配体间存在强烈的共价键作用, 该作用使中心离子与O配体间形成杂化轨道, 导致自旋向上子带被撕裂, 进一步使费米面正好处于自旋向上子带带隙中.     

新半金属材料CrFe2O4的电子结构

基于第一性原理,优化了含Cr的高温相尖晶石结构材料(CrxFe1-x)A(CryFe2-y)BO4 的几何结构,并对它们的磁电性能进行了计算.基十配位场理论分析了 CrFe2O4) 的电子结构及其具有半金属性的微观机制.计算表明,仅当x=1.0、y=0.0 时,(CrxFe1-x)A (CrvFe2-y)BO4具有半金属性.CrFe2O4 是典型的亚铁磁性耦合的IIB 监理工程型半金属,其分子磁矩约为5.6μB,大于Fe3O4 的4.0μB.在CrFe2O4 的四面体晶体场中,中心离子的电子结构可近似写为Cr+t12gt32g↓; 八面体晶体场中,中心离子的电子结构可近似写为 Fe2+t32g↓e2e↓t12g↓.CrFe2O4具有半金属性的原因是在配合物 ML4和 ML6 中,中心离子与周围 O 配体间存在强烈的共价键作用,该作用使中心离子与 O 配体间形成杂化轨道,导致自旋向上子带被撕裂,进一步使费米面止好处于自旋向上子带带隙中.     

一种新结构ZnS∶Tm~(3 )薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用