平面物自成像及阵列成像

首先用傅里叶光学关于角谱传播的概念重新认识和讨论了Ｍｉｏｎｔｇｏｍｅｒｙ的自成像理论，然后又重新计算了Ｋａｌｅｓｔｙｎｓｋｉ无透镜阵列成像的全过程，发现和纠正了现行有关理论存在的若干问题；首次获得了阵列像的解析表达式和正确的成像条件．所得结果在几何光学近似下的合理解释以及阵列像的存在条件自动地符合Ｍｏｎｔｇｏｍｅｒｙ理论，这些事实支持了本文的结论．     

柱面光栅Talbot效应

本文在傍轴近似下,导出了柱面波照射下柱面光栅的Talbot自成象一般公式。它与在球面波照射下平面光栅的自成象规律类似。此一般公式在极限情况下,可退化出已知的平面光栅成象公式。     

中能区光学势的温度效应

本文在Skyr}e相互作用、核物质近似和自洽半经典方法的基础上，将微观光学势的自洽研究推J“到中能区(60-r300MeV)，研究了”+907r在该能区光学势的径向形状和温度效应     

一种新的全息光栅制作方法及像差分析

分析用传统的马赫-曾德干涉光路拍摄全息光栅时所得光栅质量不高的原因．对全息光栅的拍摄光路提出了改进方法,并对光栅的像差进行分析和理论推导．     

在线监测光纤布喇格光栅生成

报道了光纤布喇格光栅生成过程中布喇格波长、反射率和带宽与曝光时间的关系，并作了讨论．采用位相板方法．光源：ＫｒＦ准分子激光器（２４８ｎｍ）．光纤：ＳＭＦ－２８经氢载敏化．     

无基体柔性阵列式碳纳米管膜的制备

介绍了一种得到无基底阵列式排列碳纳米管膜的方法。首先,用Al基胶把阵列式碳纳米管从沉积基底上剥离下来。然后,用离心旋转法将质量浓度为5％的聚乙烯醇（PVA）填充到阵列式碳纳米管管间隙中,用36％的HCl去除Al。最后,用等离子法将碳纳米管上的胶膜及多余的PVA刻蚀,形成柔性结构的无基体碳纳米管阵列膜。     

可重构处理器阵列的容错上界

基于一定约束条件下的多处理器阵列重构问题是一个热点问题,并已被证明具有NP难度.对于可重构处理器阵列容错上界（最大可用处理器阵列的大小）问题的求解,由于其理论上的难解性,多年来未取得突破性的进展.对此本文提出了一种新的求解算法并给予了理论上的论证.该算法通过分析阵列中的删除行与收获的逻辑列之间的关系,阐明了影响逻辑列总数的瓶颈条件.通过使用未损坏处理器（在逻辑上）替换损坏的处理器,突破限制逻辑列增长的瓶颈,逐步增加逻辑列数,最终计算出问题的新上界.仿真实验表明,与同类最新算法相比,在规模为128×128的处理器阵列上、处理器错误率在10%的情况下,原上界被降低了8.68%.最佳情况下的改进高达20%.     

基于图像重照明的深度伪造检测躲避方案

现有的深度伪造检测技术并不鲁棒,容易遭受对抗攻击的干扰。为此,提出一种基于图像重照明的鲁棒并且隐蔽的对抗攻击方案,通过估计、分离原始光照,并使用精心设计的对抗光照对原始的输入进行重新渲染,可以有效绕过现有的基于空域、频域和生理信号域等三类常见的检测方法。实验评估了攻击的有效性、对现有检测方法的通用性、针对图像变换的鲁棒性以及视觉质量损失等。实验结果表明,本文方案针对现有的三种深度伪造检测方法,在白盒情况下攻击成功率达到99.6%,在黑盒情况下最优攻击率为69.8%,并可以抵御常见的图像变换的扰动攻击,具有很好的鲁棒性,可以有效地部署在真实环境中。     

行NA随机变量三角阵列的完全收敛性

令{Xm;1≤i≤n,n≥1}是行NA的随机变量三角阵列．利用NA随机变量序列的一个矩不等式,讨论了行NA的随机变量三角阵列在被随机变量X弱平均控制的条件下的完全收敛性．所得到的结果推广了行独立的随机变量三角阵列相应的结果．     

两两NQD阵列加权和的LP收敛性

研究了两两NQD阵列加权和的L^P收敛性,在更弱的条件下得到与陈平炎相同的结论,改进和推广了前人的研究成果.     

八元相控微带天线阵的参数计算

计算了一个平面上八元相控矩形微带贴片直线阵的辐射方向图和扫描时输入阻抗的变化．由于天线的工作波长运大于天线基片介质层的厚度，所以对电参数的计算采用传输线模型来处理．在计算天线阵中阵元间互耦时，我们利用了简化处理的并矢格林函数，根据反应原理，推导出了相应的计算公式，最后给出了数值计算结果，与实验取得了很好的一致．     

铷蒸气密度对光抽运讯号的影响

在铷蒸气密度为1×10~(10)～3.4×10~(11)cm~(-3)的范围内,测量了光抽运讯号。随着密度的增加,讯号先是增大然后减小,并在密度为5.3×10~(10)cm~(-3)时达到最大值。当密度增加到26.7×10~(10)cm~(-3)时,讯号出现负值。     

铝基体上定向碳纳米棒阵列膜的制备

采用两步阳极氧化法在铝基体上制备多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜,然后在其上有序纳米孔中电化学沉积过渡金属Co作为催化剂,通过催化化学气相沉积(CCVD)法制备出高度有序的定向碳纳米棒阵列。利用场发射SEM、Raman光谱仪、XRD及高分辨率TEM等方法表征及分析定向碳纳米棒阵列膜的表面形貌和微观结构。实验结果表明:铝基体上AAO薄膜的孔洞为六边形蜂窝状结构且大小均匀,孔径约为85nm,孔洞密度为1.16×1010/cm2;制备出的定向碳纳米棒排列高度有序,直径与模板上的孔洞基本一致,且主要呈现非晶态结构。     

阵列模式制备的碳纳米管粉体分散性

分散剂对用CVD法生产的阵列式碳纳米管的分散性有十分重要的影响，通过加入十二烷磺基酸钠(C12H25SO3Na)分散剂能有效的促使碳纳米管的分散，避免大规模团聚。分散剂的浓度对分散性也有十分重要的影响，O．4g／L浓度的分散剂能使得分散效果最佳，过高或过低的浓度都不利于碳纳米管分散。     

全息光栅直视分光镜的光路设计及其性能分析

根据色散、衍射和成像原理,报道了以全息光栅－棱镜组件为色散元件的直视分光镜的光路设计和性能分析．该分光镜１９９０年研制成功,是一种用于光谱观察的简便器件．     

增光子相干态的相位性质

利用PB相位理论研究了增光子相干态(Photon—Added Coherent States)的位相性质。计算了增光子相干态光场的位相概率分布函数，并进行了数值模拟。     

稀土元素对铜合金显微组织的影响

以CuCr合金为基础，比较研究了加入La-Ce混合稀土(RE)前后。不同状态下两种合金组织上出现的变化。研究结果表明：RE的加入使铸态下合金的亚结构更细小：淬火态下初生Cr相的长大程度比CuCr合金中的小；时效态下，合金中析出的第二相颗粒尺寸更小，分布更弥散。此外。RE对Cr在Cu基体中的固溶量也表现出一定的影响。