自成像列阵共振腔的模式分析 ——Ⅱ.Lau共振腔

在对Talbot腔研究的基础上,继续分析Lau共振腔的模式结构和损耗特性。表明基模损耗最小,高阶模存在的条件是阶数低于单元数除以4。     

衍射光学激光共振腔

衍射光学激光共振腔所有商品激光器都用球面或平面镜来建立激光模。但球面镜腔只代表极小一组可能的共振腔结构。最近，衍射光学技术已有可能制作具有任意相位反射系数的优质反射镜，从而出现一组全新激光共振腔。这些新腔可有独特和所希望的性质，如用户可设计的模式形状...     

锁相激光列阵的自成像补偿法孔径装填

锁相激光列阵产生多旁瓣的远场衍射花斑,本文提出了用列阵的Talbot衍射自成像转化为等幅相位分布的概念,并用相位补偿使旁瓣能量转移到主光瓣,实现了孔径装填.     

外腔锁相二极管激光列阵超模的阈值分析

利用耦合矩阵本征值求得了外腔锁相二极管激光列阵的各阶超模所应满足的阈值条件 ,研究了激光器前端面剩余反射和外腔长度对各阶超模阈值增益的影响。在无剩余反射的理想情况下 ,阈值增益曲线随外腔长度变化缓慢 ,从而可以通过选择外腔长度使DLA稳定运行在最高阶或最低阶超模 ;在有剩余反射时 ,外腔长度在波长范围内的变化都可能使DLA在最高阶和最低阶模式之间交替运行     

二极管激光阵列在Talbot外腔锁相中的超模分析

采用数值计算的方法,对二极管激光阵列在Talbot腔、1/2Talbot腔和1/4Talbot腔中锁相时,同相模和异相模的分布进行了计算。结果表明:同相模在Talbot腔中成像位置没改变,在1/2Talbot腔中成像的位置有d/2的偏移,成像均没有产生相移;在1/4Talbot腔中同相模的分布是两组Talbot像的相干叠加,一组成像位置没有改变,产生-π/4的相移,另一组成像位置有d/2的偏移,产生π/4的相移。异相模在Talbot腔和1/2Talbot腔中成像位置均没有改变,在Talbot腔中异相模产生-π/2的相移,而在1/2Talbot腔中产生-π/4的相移;在1/4Talbot腔中异相模也是两组Talbot像的相干叠加,一组成像位置向左偏移d/4 ,一组向右偏移d/4 ,均产生-π/8的相移。所得结果给出了二级管激光阵列在Talbot外腔中同相模和异相模的分布规律。     

一种新型的正交棱镜望远镜激光共振腔

本文描述了正交屋脊棱镜-复合全内反射棱镜望远镜腔的特性。实验测得在15pps重复频率下激光输出峰值功率1.3MW,光束远场发散角为0.6mrad,敏感方向最大失调容限角约为1mrad。     

列阵泵浦的Nd：YAG激光得到100W输出

法国原子能委员会萨克纳研究中心的研究者最近报道了他们为改进铀同位素分离获得高效率激光的结果。半导体激光列阵泵浦的重复脉冲Nd：YAG激光，获得的平均功率高于100W。为获得二倍频输出的这一结果，同时要求研究出一种有效的激光腔和应用高稳定波长的高功率半导体激光列阵组成的激光头。图1五个水冷的基座上装有35个半导休激光条。它们包围着Nd：YAG激光棒。腔内倍频KTP产生高于100W的绿光输出将35条20W连续半导体列阵激光耦合到＊d：＊＊0棒中。激光组件内含35条，分别固定在5个水冷、围绕＊d：＊＊G棒的座上（见图1）。每个座上…     

外腔法实现半导体二极管激光列阵的高功率、双波长、窄带宽输出

报导使用外腔法的最新实验结果.激光器为7 W的半导体二极管激光列阵(LDA),波长为808 nm,带宽近2 nm.一全反镜作为外腔提供反馈.外腔中插入一标准具作为选模器件,同时,标准具另一表面的反射作为系统的输出.得到约2.3 W的双波长等功率输出.两个中心波长间隔为1.66 nm,每个输出波长的带宽都小于0.1 nm. 这一结果远远大于以前报道的毫瓦量级.(OC20)     

二极管激光阵列Talbot外腔锁相机理的实验研究

研究了二极管激光器阵列(DLA)独立单元的Talbot外腔锁相和多个单元的Talbot外腔锁相,验证了在大电流情况下单元内部可以实现Talbot外腔锁相,远场图样显示为高阶横模的锁定.多个单元的Talbot外腔锁相实验表明,随着发光单元个数的增加,DLA趋向于局部锁相.     

体光栅外腔半导体激光器列阵的光谱及调谐

对采用体布拉格光栅作为波长选择器件的外腔半导体激光列阵进行了实验研究。实验表明,在体光栅外腔作用下,高功率半导体激光器输出的线宽得到压窄、波长得到固定。与此同时,从布拉格衍射相关理论出发,分析了体光栅法线方向改变对激光器系统输出中心波长的影响。实验表明改变体光栅法线方向的角度,可以在一定范围内调整列阵的输出波长。     

高集成度激光列阵的外腔工作参数稳定技术

匹配高系统集成度的半导体二极管激光列阵(DLA)多发光单元特性的高系统集成度外腔工作参数稳定技术,通过拾取外腔形变传感器的响应等运行状态监控参数,经映射处理等处理后,获取控制参数,适时调整基超模运行所需腔体参数等,反馈控制,使DLA稳定运行于基超模.求得系统控制参数与外腔等参数之间的关系,以及建立相应鲁棒控制模型,是随DLA及其应用具体需求设计控制系统的指导基础,实验表明,基于此优化设计的高密外腔形变传感控制系统,可精细传感控制外腔形变,稳定外腔工作参数,改善高集成度激光列阵系统稳定运行于基超模可用性和系统可靠性.     

基于Talbot效应的激光二极管阵列外腔锁相

对基于Talbot效应的激光二极管（LD）阵列外腔锁相进行了理论和实验研究。在腔内各阶超模近场分布的基础上，在腔外加会聚透镜，在其焦平面上得到了同相模和异相模的远场分布。根据同相模和异相模在Talbot腔中的分布特性，提出ZT／2腔（指腔长的往返长度）进行外腔锁相时的理想腔长。由于ZT／2腔内是异相模振荡，远场图像为双瓣模，这时如果让外腔镜在慢轴方向倾斜角度α，让反馈回阵列的同相模和异相模成像位置各发生d／2的偏移，恰好可以选择同相模而抑制异相模。最后采用ZT／2腔对LD阵列的外腔锁相进行了实验研究，并在外腔镜不偏转和偏转角度α时分别观察到同相模和异相模的锁相现象。经过分析计算，同相模锁相时，奠远场单瓣模的发散角约为1.96mrad．     

高功率共振腔增强型光电探测器研究进展

共振腔增强型光电探测器(RCE-PD)作为一种新型光电探测器,具有高量子效率、高响应度和波长选择性等优点,成为目前光纤通信领域中最为重要的探测器之一.在数字和模拟光传输系统中,高功率探测器由于具有高信噪比、低插入损耗等优点,在国际上越来越受到重视.综述了这两种探测器的基本结构、发展状况,展望了其发展前景等.指出高功率共振腔增强型光电探测器将是今后最有发展前途的探测器.     

列阵透镜对能量测量影响的分析

结合列阵透镜的透过率分析了其后的光场分布。列阵透镜由多个列阵元拼接而成，用以改善主透镜焦点附近能量分布的均匀性。列阵透镜在提高辐照均匀性的同时，给能量测量带来了不利的影响。这是由于经过列阵元的相邻子光束会产生干涉，干涉条纹处的激光能量密度和功率密度相应都大为增加，其数值在干涉区域中心处能上升到原来的4倍。更高的能量密度和功率密度对能量计提出了更苛刻的要求。在没有采取适当措施的时候使用，就会损坏能量计。     

共振腔内倍频的473nm蓝光激光器

1．前言为制成小型高效可见光激光光源，已有多种方案正在活跃地开展研究，其中绿光激光器已经实用化，微片激光器已有市售品。蓝光激光器虽在各种学术会议上有道，但是还未出现实用激光器。在这样的背景下，比绿光波长短、在更多领域能够使用的小型蓝光激光器的实用化研究也开展起来。这是用激光二极管泵浦的＊d。＊＊G946nm激光的腔内倍频法。倍频元件为铅酸钾（KNbo3）晶体，其输出已高于30mw。另一种是用高功率Nd：YAG1064nm的脉冲激光常用的倍频晶体（或光参量振荡所用的非线性晶体）BBO作946nm的倍频晶体，已成功获得高于25mw的蓝…     

基于Talbot效应检测光束准直性方法的研究

准直光束是光学检验以及对光学仪器进行标定时最为常用的光束,对光束的准直性检测方法进行研究具有十分重要的意义。迄今已提出了多种检测光束准直性的新技术,其中一种方法是基于Talbot效应检测光束的准直性,具体是根据光束经过两光栅形成的莫尔条纹的倾斜角大小来检测光束的准直程度。通过对以往检测方法进行改进,并分析讨论影响该方法精度的因素,理论上估算出了检测精度。结果表明该检测方法非常简单,并且有很高的检测精度。     

共振腔发光二极管专利技术综述

本文从共振腔发光二极管的原理和反射镜的设置出发,主要利用S系统中的CNABS、CNTXT、SIPOABS、DWPI等数据库的检索结果为分析样本,从专利文献的视角对共振腔发光二极管技术的发展进行了全面的统计分析,总结了与共振腔发光二极管相关的国外专利的申请趋势、主要申请人分布、IPC分布,并对共振腔发光二极管重点技术的发展路线进行了分析.     

基于半导体共振腔的量子位与量子网络构建

以半导体共振腔内光子与原子的纠缠特性作为量子位,通过半导体共振腔电动力学系统将原子态转换成光子态, 根据半导体共振腔的工作特性,提出共振腔内原子与光子弱耦合与强耦合的判断条件, 并利用外加电磁场对原子的量子态进行操控,从而完成量子逻辑门的操作,再通过各共振腔量子电动力学(CQED)系统间的纠缠进行量子位扩充,实现量子计算与量子网络。介绍微碟型共振腔与单一量子点等多种模型,有助于将量子运算与量子通讯的概念转变为半导体量子器件的研制。     

高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵

报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.     

基于Talbot效应的电光调制位相阵列器

利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符.计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响.