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提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法 总被引:2,自引:1,他引:1
现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直。通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角仅为77°。针对此刻蚀机,尝试了三种提高侧壁陡直度的方法:旋转倾斜刻蚀法、交替倾斜刻蚀法和二次金属掩模法,分别把侧壁倾角提高到86°、86°和82°。最后从掩模侧壁收缩速率和槽底部与顶部离子通量的差异对束散角对侧壁陡直度的影响给予解释,并说明了上述三种方法的工作机理。 相似文献
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离子束技术已广泛应用于电子、材料、光学、医学和生物等多种领域,并取得了可观的技术效果与经济效益,尤其是在光学领域中采用此项技术可制造大刻划面积的全息离子刻蚀光栅,对提高高精度光谱分析仪器的性能具有十分重要的意义。随着技术的发展,对离子束源也提出了更高的要求,诸如:离子束流要求大,要有良好的均匀性,且要有好的离子束的光学品质等。本文介绍的离子束源是由电感耦合等离子体源及其引出系统构成。下面主要介绍电感耦合等离子体源及其引出系统,以及大面积均匀性离子束源的应用前景及其需要解决的关键问题。 相似文献
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为了研究离子束刻蚀抛光过程中离子源工艺参数对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,采用微波离子源为刻蚀离子源,以BCB胶为主要研究对象,研究了离子束能量、离子束电流、氩气流量、氧气流量对BCB胶刻蚀速率及表面粗糙度的影响,获得了离子源工艺参数与刻蚀速率及表面粗糙度演变的关系。研究结果表明,离子束能量在从400 eV增大到800 eV的过程中,刻蚀速率不断增大,从3.2 nm/min增大到16.6 nm/min;离子束流密度在从15 mA增大到35 mA的过程中,刻蚀速率不断增大,从1.1 nm/min增大到2.2 nm/min;工作气体中氧气流量从2 mL/min增大到10 mL/min的过程中,刻蚀速率会整体增大,在8 mL/min处略有下降。表面粗糙度变化不大,可以控制在1.8 nm以下。 相似文献
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利用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体产生的氧回旋离子束刻蚀了化学气相沉积金刚石膜,研究了工作气压和磁电加热电压对金刚石样品附近的离子温度和密度的影响,并分析了金刚石膜的刻蚀和机械抛光效果。结果表明:当工作气压为0.03 Pa,磁电加热电压为200 V时,离子温度和密度最大,分别为7.38 eV和 23.81010 cm-3 。在此优化条件下刻蚀金刚石膜4 h后,其表面粗糙度由刻蚀前的3.525 m降为2.512 m,机械抛光15 min后,表面粗糙度降低为0.517 m,即金刚石膜经离子束刻蚀后可显著提高机械抛光效率。 相似文献
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凹折射微透镜阵列的离子束刻蚀制作 总被引:1,自引:0,他引:1
利用光刻热熔成形工艺及离子束刻蚀制作 12 8× 12 8元凹微透镜阵列。所制硅及石英凹微透镜的典型基本图形分别为凹球冠形、凹柱形和矩顶凹面形。分析了在光致抗蚀剂柱凹微透镜图形制作过程中的膜系匹配特性 ,与制作该种微透镜有关的光掩模版的主要结构参数 ,以及光致抗蚀剂掩模工艺参数的控制依据等。探讨了在凹微透镜器件制作基础上利用成膜工艺开展平面折射微透镜器件制作的问题。采用扫描电子显微镜 (SEM)和表面轮廓仪测试了所制石英凹微透镜阵列的表面微结构形貌。给出了所制石英凹微透镜阵列远场光学特性的测试结果。 相似文献
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本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现180 μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层. 通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致. 不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀. 另外, 通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2-3个数量级. 相似文献
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离子束平动刻蚀工艺衍射光学元件的设计及制作 总被引:2,自引:0,他引:2
提出了一种用于制作二维光束整形衍射光学元件的新方法———离子束平动刻蚀工艺。分别介绍了利用这种新方法设计衍射光学元件的原理、设计过程以及刻蚀工艺系统的构成和掩模板的设计方法。结果表明 ,这种新的工艺方法不拘泥于圆对称系统 ,不但继承了离子束旋转刻蚀工艺的位相真正连续分布的优势 ,而且所制作出的衍射光学元件 ,即使对于半导体激光器所产生的两个方向发散角不同的激光束来说也仍然可以进行整形 ,并最终能得到矩形焦斑。这种工艺方法的理论设计也可以从二维化简为两个一维的设计 ,从而大大简化了设计计算的复杂程度 相似文献
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使用微波回旋共振离子源,研究Ar+离子束在不同角度、不同入射能量下对蓝宝石表面的刻蚀效果及光学性能。结果表明:所用能量800 eV,1 000 eV及1 200 eV时透过率都有很大的提升,由原来的50%提高到70%~80%,在能量为1 000 eV时增幅最大,能量为1 200 eV时增幅最小;在相同能量、不同角度下刻蚀后蓝宝石粗糙度呈先增大后减小的趋势,而在相同角度、不同能量下粗糙度方面无明显规律。刻蚀后表面形貌测试表明:角度不变,能量为1 000 eV时出现点状纳米结构,能量为1 200 eV时出现柱状纳米结构;能量不变,角度为10、50及80时出现了规律较明显的点状或条状纳米结构,角度为30时表面较为光滑。 相似文献
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微透镜阵列反应离子束蚀刻传递研究 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种微透镜阵列复制的新方法-反应离子束蚀刻法(RIBE)它在工作原理和参数控制等方面较传统的蚀刻方法有很大的先进性,能够实现蚀刻过程的精确控制,本文详细阐述了反应离子蚀刻过程中的蚀刻选择性的控制方法,通过对各种蚀刻参数的控制,最终实现了微透镜阵列在硅等红外材料上面形传递的深度蚀刻,口径φ100μm的F/2微透镜阵列在硅基底上的传递精度达1:1.03,无侧向钻蚀。 相似文献
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微加工中一种新型刻蚀深度实时检测系统 总被引:5,自引:2,他引:3
实现了一种新型刻蚀深度实时检测系统,整个系统对温度漂移,气体流动与外界振动等环境因素极不敏感,系统测量误差小于0.98%,实现了在真空环境下刻蚀深度的实时监视与检测,对二元光学做加工具有现实意义。 相似文献
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表面增强拉曼光谱(surface-enhanced Raman spectroscopy, SERS)技术是一种基于探测吸附于金属基底表面分子振动光谱的快速无损检测方法,目前广泛应用于表面吸附、电化学催化、传感器、生物医学检测和痕量的检测与分析等领域。本实验采用直流磁控溅射技术在BK7玻璃基底上沉积一层厚度为50 nm的金属铜薄膜,在Ar离子轰击作用下获得不同表面粗糙度的金属铜薄膜样品,从而制备具有不同表面增强拉曼光谱活性的金属基底。实验样品分别通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、分光光度计、拉曼光谱仪表征其结构、表面形貌及光学性质。测试结果表明铜膜在Ar离子束轰击前后,样品X射线衍射谱的峰值强度没有发生变化,说明其晶相结构未发生改变;随着离子束能量的增加,薄膜表面粗糙度改变,光学散射强度随着表面粗糙度的增加而增强;离子束薄膜表面改性后,以罗丹明B(Rh B)为探针分子,表征薄膜样品表面增强拉曼的活性,通过对比不同样品表面Rh B的拉曼光谱,发现其光谱强度随金属铜薄膜样品表面粗糙度的增加而增强。 相似文献
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Silica nano test tubes are one-dimensional inorganic nanostructures with several biotechnological applications including biosensing, magnetic resonance imaging, and targeted cancer therapeutics. They are generally prepared by sol-gel deposition of silica to nanoporous alumina templates. Preparing samples composed of isolated free silica nano test tubes can be a challenging process due to the conformal coating of silica on the template. This causes the formation of a top-surface silica layer which laterally connects the nano test tubes. Herein, we detailed the use of Reactive Ion Etching to remove this top-surface silica layer which yields free silica nano test tubes with template dissolution. Compared with the mechanical polishing approach, Reactive Ion Etching treatment allows a fine manipulation ability of the surface material at the nanoscale level. When used excessively, Reactive Ion Etching causes an orifice closing phenomenon that may be employed to create novel one-dimensional nanocapsules. 相似文献
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采用不同的方法裁剪高定向热解石墨(HOPG),制备纳米尺寸的石墨条.首先,发现用聚焦离子束(镓离子)刻蚀高定向热解石墨,可以得到边缘整齐程度在几十纳米的石墨条,另外,用 电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,可以得到最小尺寸为50 nm的纳米石墨图型 (nano-size d graphite pattern,纳米尺寸的多层石墨结构).采用了三种不同的方案制备反应等离子刻 蚀过程中需要的掩膜,分别是PECVD生长的SiO2掩膜,磁控溅射的方法生长的Si O2掩膜和PMMA光刻胶掩膜,并将三种方案的刻蚀结果做了对比.
关键词:
高定向热解石墨
聚焦离子束刻蚀
电子束曝光
反应离子刻蚀 相似文献
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