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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
据报导,英国本国有三家集成电路制造厂家:普莱赛公司、通用电气公司和费拉蒂公司。普莱赛公司专攻MOS,很少过问双极工艺。通用电气公司也开始此项工作,现已放弃双极工艺。只有费拉蒂公司仍生产DTL和TTL,为了使双极电路生产有进一步发展,  相似文献   

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4.
在双极型集成电路的隔离扩散时,发现隔离槽内产生一种“咖啡色的染色”现象,针对这一现象开展了实验研究,对产生“染色”的机理进行了探讨并提出解决“染色”的工艺方法。  相似文献   

5.
本文简要回顾了双极型集成电路隔离技术的发展,着重分析讨论了八十年代发展起来的深槽隔离技术及其在双极型集成电路中的应用。  相似文献   

6.
集电极电流密度和基区渡越时间的解析模型   总被引:1,自引:0,他引:1  
以小注入条件下的注入少子分布为初始值,本文依据送代法首次得到了适用于任意注入条件,基区从指数掺杂分布到均匀掺杂分布的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式.三次选代的解析结果与数值迭代结果比较表明:在注入发射结电压VBE≤1.0V的情况下,三次迭代形成的集电极电流密度和基区渡越时间的解析表达式有效.  相似文献   

7.
郭林  曾莉 《微电子学》1992,22(2):49-51
本文介绍双极IC中自隔离的三重扩散(3D)技术的特点和工艺路线,给出了采用全离子注入工艺制作的器件特性,探讨了工艺技术中的关键问题,指出,浅结离子注入与退火条件的选择是影响器件性能的主要因素。  相似文献   

8.
谢明纲 《半导体技术》1989,(1):11-12,15
双极集成电路要实现超大规模集成化和高速化,一方面要缩小元件尺寸,另一方面必须改进元件之间的隔离方法.用U型槽隔离技术不仅缩小了实际晶体管的尺寸,而且使寄生电容减小到最低限度,从而提高了电路的性能.基区-发射区(顶部n~+区)面积比已经减小到2,而标准pn结隔离,典型的比值为10,氧化层隔离结构,此比值为5.这样大大  相似文献   

9.
王哲  亢宝位  吴郁  程序 《半导体学报》2001,22(6):760-764
针对目前 GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题提出一些新的结构改进设想 ,包括改变栅区掺杂浓度以及平面版图设计 ,并对此进行了仿真研究 .结果证明可将最大集电极电流提高到 2 .1倍 ,而对其他特性无明显不良影响  相似文献   

10.
针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个  相似文献   

11.
袁博鲁 《微电子学》1992,22(2):11-13
本文介绍了一种硅双极型单片大规模集成8位逐次近似A/D转换器X1001的电路设计,这种电路采用了自锁式电压比较器和高速低功耗ECL逻辑电路,转换时间为400ns,是单片集成逐次近似A/D转换器中速度最快的器件。  相似文献   

12.
模拟/数字转换技术及其发展趋势   总被引:6,自引:0,他引:6  
王晶 《微电子学》2005,35(3):221-225,235
数字技术的飞速发展,使A/D转换器变得越来越重要。文章扼要叙述了A/D转换器的历史发展过程,列举了几种当前流行的A/D转换器,包括全并行、两步型、插值折叠型、流水线型、逐次逼近型、∑-△型A/D转换器;具体介绍了它们的结构、工作原理、性能特点、应用场合以及最新的研究进展,并对它们的性能进行了比较;最后,讨论了A/D转换器的发展趋势。  相似文献   

13.
模拟/数字混合信号电路技术发展动态   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐世六 《微电子学》2008,38(1):26-33
叙述了国内外模拟和数字混合信号电路发展现状,重点讨论了国内外高性能模拟、射频电路、DSP、A/D转换器和SOC等器件研发和应用的一些情况,指出了这些器件在数模混合信号电路技术发展进程中的作用.  相似文献   

14.
用并口实现D/A转换器的快速测试   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文简要介绍了D/A转换原理及D/A转换器快速测试的虚拟仪器实现方案,并给出了部分关键源程序.  相似文献   

15.
智能电参数测试仪的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了交流采样的基本原理,提出以Intel80C916KC为核心处理单元来实现对电力电网的多路参数的智能测量,并给出了整合系统的软硬件设计方案。设计中采用外设事物服务器PTS来响应A/D转换,大大减少了A/D转换时间,从而提高CPU的效率。  相似文献   

16.
高速A/D转换器的研究进展及发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了高速高精度A/D转换器技术的发展情况、A/D转换器的关键指标和关键技术考虑;阐述了高速高精度A/D转换器的结构和工艺特点;讨论了高速高精度A/D转换器的发展趋势.  相似文献   

17.
本文介绍并分析了一种可与微机兼容的12位D/A转换器的工作原理及其应用。该D/A电路内有高稳定的齐纳隐埋基准,数字输入采用了两级缓冲锁存结构,片内含速输出放大器。本文给出了其主要性能指标性能指标及典型应用连接图。  相似文献   

18.
检世六 《微电子学》2004,34(6):597-605
介绍了数据转换器的市场规模及其发展趋势,高速A/D转换器的主要研发公司及其代表产品水平,主流产品的电路结构和工艺技术以及技术发展趋势。  相似文献   

19.
12位模/数转换器AD574在测试仪中的应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文介绍了集成电路测试仪中AD574的使用方法,该测试仪可精确测量1mV的电压,以此方法可省去程序中很多计算过程。  相似文献   

20.
舒辉然  苏玲 《微电子学》1995,25(4):12-17
本文介绍了一种高速单片CMOS12位D/A转换器的设计。着重阐述了电阻开关网络的按比例匹配设计原理、结构特点,激光动态修调网络的结构设计,以及逻辑控制和功能特点。该D/A转换器的线性误差、微分误差满刻度误差均满足12位精度。在15V工作电压下,满度电流建立时间为0.6μs,功耗20mW。  相似文献   

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