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对等离子体增强化学汽相淀积法制成SiOxNy,薄膜组成的MIS结构样品,由集成测试系统测量I-V特性,用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的I-V特性的击穿机理。探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例,反应室气压,衬底工作温度的变化关系。 相似文献
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CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度,淀积速率,氧化压等工艺条件和利用N离子轰击氧化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生成了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜,研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响,研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质。 相似文献
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离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性,实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%,栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。 相似文献
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PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制,探索出界面特性与微观组份、衬底工作温度、反应室气压、退火致密、金属化后退火的相互关系。同时给出了获取界面等特性优良的PECVDSiOxNy薄膜的最优化工艺条件,并对实验结果进行了理论分析与讨论。 相似文献
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HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了高 K(高介电常数 )栅介质 Hf O2 薄膜的制备工艺 ,制备了有效氧化层厚度为 2 .9nm的超薄MOS电容。对电容的电学特性如 C-V特性 ,I-V特性 ,击穿特性进行了测试。实验结果显示 :Hf O2 栅介质电容具有良好的 C-V特性 ,较低的漏电流和较高的击穿电压。因此 ,Hf O2 栅介质可能成为 Si O2 栅介质的替代物。 相似文献
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——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构. 相似文献
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用微波等离子体化学气相沉积法低温生长织构多晶硅薄膜 总被引:5,自引:0,他引:5
本文报道用微波等离子体沉积/原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅(poly-Si)薄膜及其结构特征和光电特性.X光衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光吸收、光电导等测量分析表明,柱状晶粒分布致密,呈现良好的(220)择优取向生长.锐利的光吸收边意味着样品中有很低的带尾态密度,光吸收过程主要由晶粒中电子的带间跃迁所支配.小的光电导激活能说明晶界缺陷密度低,晶界势垒小.所有这些都是由于在薄膜生长过程中引入了氢等离子体的周期性原位处理,不仅抑制了非晶态相的形成、促进了晶粒的生长及织构构造的形成 相似文献
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本文研究了在低温(430℃)下用PECVD法淀积的SiO_xN_yH_z薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10~(-17)Ω~(-1)·cm~(-1))在室温弱场强下其导电机理符合Mott模型。当温度较高时,Poole-Frenkel导电机构将起主导作用。而在常温强电场下,样品导电则从Fowler-Nordheim机构为主。直流电导研究进一步证实了我们关于x接近1的样品中存在SiO_xH_x和SiN_yH_z分离相,而不存在a-Si凝聚相的模型。 相似文献
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PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究 总被引:3,自引:1,他引:3
对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制出了高质量的氮化硅介质膜,对样品进行了湿法腐蚀和超声实验,在显微镜下观察无膜脱落现象发生。阐述了几种工艺参数对介质膜生长的影响。 相似文献
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<正>非晶态半导体材料是一种新型的电子材料,由于它具有特殊的物理性质,使非晶态半导体研究成为较热门的课题之一.对氢化非晶硅(α-Si:H),非晶锗(α-Ge)及非晶态硫系材料的研究已进入较深入的阶段,并应用于器件制作.但对非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,由于其结构无序和化学无序同时存在,给研究工作带来很大困难,对它们的研究仅限于物理性质的探索. 相似文献
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利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法,以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光(光致发光谱峰值波长约为532nm)的高品质α-SiC:H薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱(FTIR)、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振(ESR)和电学性能的测试结果并进行讨论。 相似文献
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研究了 Ce O2 作为高 K (高介电常数 )栅介质薄膜的制备工艺 ,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用 N离子轰击氮化 Si衬底表面工艺对 Ce O2 薄膜的生长及其与 Si界面结构特征的影响 ,利用脉冲激光淀积方法在 Si(10 0 )衬底生长了具有 (10 0 )和 (111)取向的 Ce O2 外延薄膜 ;研究了 N离子轰击氮化 Si衬底表面处理工艺对 Pt/ Ce O2 / Si结构电学性质的影响 .研究结果显示 ,利用 N离子轰击氮化 Si表面 /界面工艺不仅影响 Ce O2 薄膜的生长结构 ,还可以改善 Ce O2 与 Si界面的电学性质 相似文献
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研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,利用脉冲激光淀积方法在Si(100)衬底生长了具有(100)和(111)取向的CeO2外延薄膜;研究了N离子轰击氮化Si衬底表面处理工艺对Pt/CeO2/Si结构电学性质的影响.研究结果显示,利用N离子轰击氮化Si表面/界面工艺不仅影响CeO2薄膜的生长结构,还可以改善CeO2与Si界面的电学性质. 相似文献
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本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。 相似文献