低介电常数聚喹啉衍生物薄膜的合成与表征

采用等离子体聚合技术合成了一种新型的低介电常数聚喹啉衍生物薄膜: 聚3-氰基喹啉(PP3QCN)薄膜. 借助于傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、X光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜结构进行了系统表征. 结果表明, 等离子体聚合条件对沉积膜的化学结构、表面组成、膜形态以及介电性能均有影响. 在较低的等离子体放电功率(10 W)条件下, 可得到具有较高芳环保留率和较大π-共轭体系的高质量聚3-氰基喹啉薄膜材料; 而在较高功率(25 W)条件下, 聚合过程中会出现比较严重的单体分子破碎, 形成较多非π-共轭体系的聚合物, 从而导致聚3-氰基喹啉的共轭度降低. 聚3-氰基喹啉薄膜的介电性能测试结果表明, 低放电功率(10 W)条件下制得的聚3-氰基喹啉薄膜具有比较低的介电常数值, 仅为2.45.     

乙烯在N_2中的等离子体聚合

一、引言应用等离子体聚合方法以制备有机聚合物薄膜,在一些综合报道中已有所评介。一般说来,在等离子体中所形成的聚合物薄膜是高度交联和不溶的,而且在化学上也是极其惰性和稳定的。在辉光放电中使用清洗好的基片,通常可获得粘附于基片上性能优异的薄膜。 Yasuda等研究在等离子体中聚合物的淀积分布和某些有机化合物的等离子体聚合反应时,曾报道     

溶剂对等离子体引发的衰减链转移接枝聚合动力学的影响

采用等离子体引发的衰减链转移(DT)接枝聚合法,以丙烯酸(AA)为单体,碘仿为链转移剂,对聚丙烯(PP)薄膜进行表面改性。研究了水和N,N-二甲基甲酰胺(DMF)对等离子体引发聚合及等离子体引发DT聚合动力学的影响。结果表明,采用等离子体引发的方法可以实现DT可控-活性聚合,DMF介质中的可控性优于水介质,等离子体引发DT聚合的溶剂效应明显减弱,接枝量与转化率成正比关系并与FT-IR、接触角的表征结果相符。     

等离子体聚合膜的电学性质研究：Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质

本文采用内部电极、电容耦合式钟罩型射频等离子体聚合装置,首次进行了四氰代对二次甲基苯醌(TCNQ)的等离子体聚合,得到了电导率为10~(-8)～10~(-6)Scm~(-1)的聚合物半导体薄膜。由这些聚合物薄膜制备的Al/聚合膜/ITO(铟锡氧化物透明电极)夹层元件显示出整流特性和光生伏打效应。这种聚合物薄膜还具有光电导性质。红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)的研究结果表明,优良的半导体特性归因于聚合膜中存在有较大范围的π电子共轭结构。     

等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极

用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物薄膜的几种方法中,等离子体聚合可得到高度交联、均匀、化学稳定性好的超薄膜,且成膜工序简单,已引起重视并取得初步应用。等离子体聚合法修饰导体电极国内外均有报道,但在修饰半导体电极方面的研究甚少。本文探讨了用这种方法在n-GaAs、n-GaP电极上制备聚丙烯腈(PAN)薄膜,并进行     

射频等离子沉积聚硅氧烷薄膜的XPS研究

用CVD方法在一台射频放电等离子体聚合实验装置内成功地制备了沉积聚酯薄膜基底有机聚硅氧烷薄膜.该薄膜在有原子氧模拟实验装置内具有抗原子氧剥蚀的良好性能,对航天器等材料表面起到防护作用.有机聚硅氧烷薄膜与等离子体沉积时氧的泄露量有关,且沉积密度经AFM检测有较大的差异.并用XPS较详细考察了不同工艺制备的聚硅氧烷官能团构成和表面状态,以期得到优良的防剥蚀膜.     

乙烯和丙烯的等离子体聚合及聚合物结构的研究

<正> 文献[1—3]曾报导过应用等离子体聚合方法制备有机聚合物薄膜,为掌握等离子体聚合物的性能,进而扩展其用途,对其结构进行研究具有一定的意义。Kobayashi等研究了用内部电极等离子体装置制备的聚乙烯的结构,并指出其为交联结构,他们用同样装置研究了单体流量对丙烯聚合膜淀积速率的影响。我们用较简单的外部电容耦合式聚合装置,研究了在辉光区中乙烯和丙烯的聚合规律,并应用元素分析、红外光谱和X射线衍射法研究了聚合物的结构。     

等离子体聚合的条件和规律性

等离子体是部分或全电离的气体,一般由电子、离子和中性基因(自由基、原子、分子)所组成,因其具有独特的物理性质,特别是在磁场中表现出的特性而被称为物质第四态。早在一百多年以前,有人就观察到一些有机物蒸气电离时能够发生聚合的现象,但却一直把聚合物当作反应的副产物而未予重视。直至六十年代初,冷等离子体聚合所制备的薄膜具有高度     

放电等离子体技术在固态生物质聚合中的应用

本文介绍了高电压放电等离子体技术在生物质高分子聚合中的应用及机理,提出了把等离子体聚合技术应用于固体高分子生物质中,拓宽了等离子体聚合的应用范围及聚合产物的形态,讨论了在实现生物质等离子体聚合中,固体高分子原料聚合需要解决的问题,并就等离子体聚合在这方面的应用进展状况进行了扼要介绍,同时对其发展前景进行了展望。     

含氮、硫单体等离子体聚合过程中气相组分分析

报导了用ＧＣ－ＭＳ和ＩＲ对含氮，硫单体等离子体聚合过程中气相组分的分析，根据分析结果探讨了该类单体等离子体聚合机理。     

导电高分子薄膜修饰电极的研究I. 聚吡咯薄膜电极的电化学合成及行为

利用在水溶液中的电化学聚合制备了聚吡咯烷、薄膜修饰电极. 讨论了对电化聚合的影响因素及薄膜修饰电极在不同电解质中的伏安特性, 从X-射线光电子能谱推测, 在吡咯的电化聚合过程中氧的参加引起在聚吡咯烷膜的结构中有羰基和羟基的生成.     

等离子体挥发性产物引发甲基丙烯酸甲酯聚合反应动力学

本文发现甲基丙烯酸甲酯等离子体挥发性产物能够有效地引发单体聚合,获得超高分子量聚合物。其聚合过程属于瞬时引发、向单体链转移的活性自由基聚合机理。     

吡咯等离子体聚合产物分析

用色谱－质谱、裂解色谱－质谱、电子自旋共振、红外光谱及元素分析等方法鉴定了吡咯等离子体聚合过程中气相冷凝物和聚合物的组成，根据分析结果提出了吡咯等离子体聚合的自由基反应历程。     

电化学聚合-彩色图案化发光薄膜与器件制备的新方法

阐述了高发光效率的电化学聚合薄膜的制备及性质,以及电化学聚合制备彩色图案化发光薄膜及器件的方法,同时也涉及电化学聚合薄膜在修饰电极中的应用,最后探讨了目前高发光效率的电化学聚合薄膜在器件应用方面存在的问题和发展前景.     

含氟烯烃等离子体聚合过程中气相自由基结构研究

等离子体聚合反应机理争论焦点之一是其活性中心是自由基还是离子。作者等曾用ESR 方法分别观察到烯烃、含氟烯烃等单体的等离子体聚合过程中收集的气相冷凝物及其聚合物出现很强的信号、而且前者进一步分裂出     

间接等离子体聚合制备聚吡咯薄膜

通过吡咯在氩辉光放电气流下游区域的间接等离子体聚合作用制备了聚吡咯薄膜。研究了聚合膜的沉积速率，用ＦＴＩＲ、ＸＰＳ、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＴＥＤ等手段表征了聚合膜的结构和形态。结果表明，聚合膜完整地保留了吡咯单体的共轭结构，显示出较高的导电性，化学掺杂碘以后膜的室温电导率为１０－７～１０－６Ｓ／ｃｍ。     

一种新的基于正丁胺等离子体聚合膜的免疫传感器抗体(抗原)固定化方法

等离子体聚合膜 ( Plasma- polymerized film)是由有机蒸气在辉光放电下聚合而成 ,这种高度交联的膜具有均匀、超薄、附着力强、化学稳定、机械性能良好、基质类型多样以及成膜有机物品种多样等优点 ,因此已引起了传感器工作者的兴趣 ,目前 ,所研制的传感器已用于有机气体的测定 [1 ,2 ] .Karube小组报道了乙烯二胺等离子体聚合膜在免疫传感器方面的应用[3,4] .但由于抗体直接共价键合于等离子体聚合膜上 ,无法洗脱 ,使等离子体聚合膜修饰的传感器不能再生 ,而不同批次沉积的等离子体聚合膜其交联度、活性基团含量等又难以一致 ,严重影响了…     

三氟氯乙烯等离子体聚合气相冷凝物分析

应用等离子体聚合方法可以制备用化学方法难以得到的具有优异性能的聚合物,因此近年来引起国内外学者的重视,并对其聚合机理进行了探讨。但由于等离子体聚合反应的复杂性,至今尚未提出统一的反应机理。其争论的主要问题集中于反应活性中心是自由基还是离子,聚合反应是在气相还是在表面进行。对等离子体聚合过程中的气体产物分析与鉴定,将能对上述问题提供重要的依据。本文报导用色谱(GC),色谱-质谱联用(GC-MS)和顺磁共振(ESR)等方法分离和鉴定     

等离子体技术在医用材料表面改性中的应用

本文从血液相容性、组织相容性、低分子物的渗出、药物缓释等方面出发,对等离子体处理、等离子体聚合、等离子体接枝聚合在医用材料表面改性中的应用作了综合介绍。     

等离子体聚四氟乙烯的ESR研究

目前,对等离子体聚合机理,即自由基和离子聚合机理仍在争论之中^[1-6],ESR的研究对探讨等离子体聚四氟乙烯(PPTFE)聚合机理将是有价值的。