GaAs中某些缺陷间的相互关系

本文根据文献中报导的数据,求出某些缺陷间的相互关系,从而对有关缺陷的构型提出些看法。所涉及的材料包括n-VPE,n-LPE,n-LEC及SI LEC GaAs,而以后者为主。     

非掺半绝缘GaAs晶体中位错作用的初步研究

<正> 由于GaAs高速集成电路的发展,非掺半绝缘GaAs晶体受到很大的重视.高压LEC法生长的圆形大直径衬底,并与直接离子注入技术相结合,已普遍认为是制备IC的可行技术.目前,从富砷熔体的高压LEC/PBN法生长热稳定性良好的半绝缘晶体的工艺,已日趋成熟.晶体生长的研究重点已逐渐转移至完整性和均匀性方面.     

N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响

用类似液相外延的设备,测定了Ga与 As在450℃至 550℃间在 Au-Ge和 Au-Ge-Ni熔体中的溶解度.发现温度升高,Ga与As的溶解度增加,但由于As的逸损,在熔体中 Ga与As的比例也增大.自Au-Ge的共晶组份起,Au含量的提高和Ni的加入均使Ga和As的溶解度增加.自热力学活度角度讨论了溶解度提高的原因.测定了Au-Ge与Au-Ge-Ni(或Fe、Cr、Co)系统的比接触电阻,并结合溶解度的实验和热力学活度的计算进行了讨论.分析了各组份对欧姆接触比接触电阻的影响.     

MMI型GaAs 1×N和N×N集成光学开关的研制

设计了一种能直接与单模光纤阵列相耦合的多模干涉 (MMI)型光开关。给出了MMI型光开关各组成部分的工作原理 ,并用导模传输分析法 ,模拟了 1× 4MMI型光开关的四种不同的开关状态 ,在此基础上完成了 1× 4和 4× 4MMI型光开关的设计。最后根据所确定的器件结构参数 ,用有限差分光束传输法分析了器件结构参数对器件性能的影响。     

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．     

ZnSe／GaAs赝共格外延层中二聚体诱发的位错

在ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ外延层中观察到完全的不完全的层锚四面棱锥体，层错梯形和层错管。本文提出一个模型：虽然这些层错的几何形状不同，但它们都起始于同一个源－界面处Ｓｅ二聚体链构成的矩形环。     

掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布

测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱

利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.     

浅谈科学、技术与工程之间的相互关系

文中把科学定义为知识体系,把技术定义为以知识为基础的手段,把工程定义为有目的、有组织地改造世界的活动。在此基础上对科学-技术-工程之间的关系、基础科学-技术科学-工程科学之间的关系和科学哲学-技术哲学-工程哲学之间的关系进行了深入的讨论。     

用脉冲激光束在N型GaAs上制备欧姆接触

本文用调Q红宝石脉冲激光器(波长6943A、脉宽30ns)以1.1～2.9J/cm~2的激光能量密度,在N型GaAs上进行激光合金化研究,试验了不同GaAs外延层浓度、不同合金层组分、不同激光脉冲次数对欧姆接触电阻率的影响。结果表明,适当能量密度激光合金化所得到的接触电阻率同加热合金化最好结果相当或更好,激光合金化表面均匀,质量好,而且不影响半导体器件内结的特性。     

在B_2O_3密封剂中生长无位错半绝缘GaAs单晶

本文介绍了用全密封直拉(FEC)法与掺杂等价元素 In 相结合生长无位错 GaAs 单晶。实验表明可以成功地获得直径为25～30mm 的无位错半绝缘GaAs 单晶。从籽晶沿〈100〉轴直接传播下来的位错只有几百个。采用 FEC 方法的关键主要是因为减少了晶体表面 As 元素的挥发。用这个方法也能拉制直径为 50mm 的几乎无位错的单晶。     

位错网络中反相畴界能与超位错分解

由螺型超错组成的位错网络中，螺旋超位错的分解宽度明显大于单独螺型超位错的分解度。各向同性线性弹性理论计算表明，这一现象是由于位错网络中，部分反相畴界相互抵消所致。随着反相畴界能的减小，这一效应将变得更加显著。     

液相外延GaAlAsP/GaAs结构的晶格匹配和失配位错

本文通过对GaAlAsP—GaAs结构的晶格失配的测量,及其X射线形貌相观察,分析了该结构晶格匹配的机理。根据实验测量和观察指出,在GaAlAs—GaAs结构的GaAlAs层中适当加入少量P,组成的GaAlAsP四元系统,在室温下虽然可以和GaAs衬底达到很好的晶格匹配,起到应力补偿作用,但在异质界面上却引入了大量的失配位错,并对此失配位错的产生机理进行了简单的叙述。     

硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.     

杂质和空位对AlAs/GaAs超晶格电学性质的影响

在紧束缚近似基础上,本文采用Recursion方法首次计算了含有杂质和空位的短周期AlAs/GaAs超晶格电子结构。局域态密度和分波态密度的计算结果清楚地反映了少量无序杂质和空位在AlAs/GsAs中的局部细节以及对材料本身电学性质的影响。在具有点缺陷(杂质或空位)的AlAs/GaAs材料能隙中将出现新能级,本文计算了它们的位置。同时利用对原子价的讨论发现体内点缺陷周围存在一个电中心,而界面点缺陷产生一个局域电场,它将导致电荷分布的转移。比较了杂质和空位的影响,并进一步证明在所有情况下它们的作用是高度局域的。     

n型4H-SiC材料中位错的电学特性研究

研究位错的电学特性对于研究器件可靠性具有重要意义.文章利用拉曼散射技术在室温条件下研究了n型4H-SiC材料中位错电学特性.结果表明:螺型位错(TSD)、刃型位错(TED)的电子浓度均高于无位错区,且TSD电子浓度高于TED.结合位错结构分析认为:TED中心的半原子面存在不饱和Si键,该键通过吸附电子使其饱和并达到稳定状态,因此TED中心俘获了比无位错区更多的电子;TSD结构中,位错区域原子间的拉应力导致该区域Si原子电负性增高,因而俘获电子形成比无位错区高的电子分布.     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.