脉冲式激光引信用连续可调LD驱动电路的研究

为了满足引信用脉冲式半导体激光器驱动电路的脉冲宽度可调、频率可调、功率可调的需要,根据LD驱动电路的工作原理,建立LD驱动电路的一般模型,并进行了仿真分析。采用电子多频振荡器来提供驱动信号,用双MOS驱动器来驱动半导体激光器,通过大量的实验、仿真、分析、比较,设计出了方便可调的大功率LD的驱动电路。结果表明,该驱动电路完全能满足激光近炸引信对脉宽、频率和功率的需要。     

多功能LD驱动电源

本文报道一种可以实现高精度温度控制和功率控制、直接电调制的LD驱动电源。其致冷电路结构简单,调节方便,控制精度优于±0.005℃。     

半导体激光器（LD）的大电流窄脉冲驱动源

本文介绍了一种不受开关管速度限制的,基于电容充电原理的,实现LD大电流窄脉冲的驱动电路。     

LD—1型半导体激光器驱动电源

直流恒流源与多波形恒流脉冲电流源在激励半导体激光器、贵金属精密电镀、小型蓄电池充电、电火花机械加工中逐步得到广泛应用。我们所研制的 LD-1型半导体激光器驱动电源,主要应用于激励激光二极管做驱动源,同时也可以在贵金属电镀、小型蓄电池快速充电等方面应用。     

连续可调纳秒脉冲LD驱动电源的研制

为了满足单模尾纤输出脉冲半导体激光器及其后级光放大的要求,研制了一种重频、脉宽及峰值电流均连续可调的纳秒脉冲驱动电源.该电源使用功率场效应管作为开关,通过分析其驱动特性,采用合适的栅极驱动电路,从而缩短了脉冲宽度,增加了带负载能力;同时电源中的保护电路采用自断电等保护措施,能有效保证LD的安全工作.实验结果表明,该驱动电源工作稳定,能满足单模尾纤输出脉冲LD重频、脉宽、峰值可调的要求.     

激光测速系统中驱动电路的研究

激光测速技术的主要方法有脉冲法和相位法。由于激光相位法测速系统设计复杂,成本较高,因此只考虑脉冲法激光测速。针对脉冲法激光测速,提出了两种易于实现的脉冲驱动电路的设计方法,方法一基于555振荡电路和CPLD,主要利用了CPLD的逻辑延时;方法二完全基于CPLD的逻辑实现。逻辑分析和仿真结果证明,两种方法都可以驱动激光器工作,产生的驱动脉冲的频率和脉宽均可调节。     

半导体激光器驱动及温控系统研究

体积小、重量轻、稳定性高的特点,使半导体激光驱动器在许多领域都有广泛的应用,而且在未来仍具有突出的发展前景。本文就半导体激光器驱动及温控系统进行研究,首先介绍了半导体激光器恒流驱动的整体设计以及驱动电路设计,再针对温控系统的系统方案设计和温控硬件系统设计进行简要介绍。     

一种新型LD驱动电源的设计

本文详细介绍了半导体激光器驱动电源的工作原理,分别对基于晶体管、场效应管和专用芯片的驱动电源进行分析,对三种驱动电源进行了比较,并设计了一种基于DC/DC转换芯片的可调式激光器驱动电源,该电源输出恒流范围为0-4A,工作性能可靠、稳定,具有较大的应用价值.     

基于LVDS技术的远端数据传输系统实现

分析了用于高速数据传输的LVDS技术以及该技术常用的接口电路-串行器/解串器MAX9205/MAX9206的工作原理和工作模式.给出了MAX9205和MAX9206在系统中的具体应用电路连接方法,同时分析了这两个器件在应用中应该注意的主要问题.     

光纤激光器泵浦源驱动电路的设计

根据通信用光纤激光器泵浦源的要求,结合半导体激光器的特性,设计了一款高性能、低成本的激光器驱动电路(包括恒流电路、控制电路和保护电路)。恒流电路采用达林顿管作为调整管,利用集成运放的深度负反馈实现恒流输出。经实验验证,本设计系统恒流源稳定度达0.03%,纹波较小,可实现对光纤激光器泵浦源激光二极管(LD)的驱动。     

940nm高功率激光二极管及线阵

设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.     

激光二极管的光功率数字可调控制系统设计与仿真

小型测量仪及通讯仪器通常采用激光二极管作为其光源,这是因为它具有体积小、效率高、结构简单和价格便宜等优点.但是激光二极管的运行质量,与其驱动电源的性能密切相关,电流的起伏会引起光功率的变化,这就需要高性能电源驱动系统才能获得稳定、准确可调的光功率输出.根据激光二极管的工作原理,设计了以单片机控制为核心采用模糊控制技术以及附加一路参考信号的激光二极管光功率数字可调控制系统.系统利用智能模糊控制技术,可有效实现激光二极管光功率的实时控制和显示,可以获得稳定、准确可调的光功率输出.     

用于光纤CDMA的超短光脉冲源特性分析

超短光脉冲的产生是光纤ＣＤＭＡ通信的关键技术之一。本文采用半导体激光器多模速率方程模型,分析了增益开关半导体激光器的输出特性,对激光器的本征参数、工作条件与超光脉冲输出特性的关系进行了探讨：也研究了获得取最佳输出特性的条件,可通过控制偏置电汉来调节光脉宽,且在最佳偏置电汉下对市制电流脉宽有一定的宽容度。     

半导体激光器的高精度温控仪

温度对半导体激光器的特性有很大的影响.在要求半导体激光器输出波长稳定的情况下,必须对其温度进行高精度的控制。本文利用高信噪比的运算放大器和普通的负温度系数温度传感器及半导体致冷器做控温元件,研制了一种用于半导体激光器温度控制的高精度温控仪,控制精度可达±0.05℃.     

一种激光二极管精密驱动电路

文章介绍了一种基于C8051F007单片机控制的激光二极管精密恒流和温度驱动电路的设计、制作及其测试。该电路以两片集成芯片为核心,可自由设置、调节和实时监控激光二极管的注入电流和工作温度。利用普通的635nm激光二极管,对制作完成的电路性能进行的测试表明:本驱动电路在短时间(约10min),可控制的频率稳定度达10-4nm,可满足半导体激光器线宽压窄和稳频技术的研究需要。     

Spectral Properties of Fabry-Pérot Laser Diodes and Conventional Semiconductor Optical Amplifiers

This paper presents an unified comprehensive model for the analysis of the spectral properties of Fabry-Pérot laser diodes and conventional semiconductor optical amplifiers. We develop the model by considering the wide-band amplified spontaneous emission fields and the input optical signal fields in a general frame. Specifically, this paper discusses theoretical aspects of the model in details, which are based upon the spectra of material gain and spontaneous emission power,nonlinear gain suppression, and longitudinal spatial hole burning. This paper also presents simulation results of the model for the case of conventional semiconductor optical amplifier and the case of Fabry-Pérot laser diode to demonstrate its capabilities.     

808 nm半导体激光器烧结工艺的研究

研究了808 nm半导体激光器烧结过程中容易出现的"爬"铟现象,根据实验室的实验条件,采用了侧壁氧化结构来解决这个问题.制作了普通结构和侧壁氧化结构的激光器,烧结测试后发现:侧壁氧化结构的管芯烧结成品率可以达到95%以上,比普通结构的烧结成品率提高了20%.再将这两批管芯在500mA下老化测试,发现:侧壁氧化的管芯寿命明显长于普通结构的管芯.     

千赫兹量级窄线宽半导体激光器研究进展

窄线宽半导体激光器由于其高单色性、低频率噪声、高可调谐性等优点,广泛应用于高速相干光通信、分布式传感、激光雷达等领域.随着高品质因子(Q)光学谐振腔、硅光异构集成芯片等技术的发展,窄线宽半导体激光器近十年经历了革命式发展,线宽压缩至千赫兹(kHz)量级,甚至到亚千赫兹量级.文章阐述了千赫兹量级窄线宽半导体激光器的最新进展,针对不同压缩线宽机制的窄线宽激光器进行了分类介绍,深入讨论了优化耦合系数、减少外腔损耗等对窄线宽激光器性能的影响,并针对未来应用需求展望了千赫兹量级窄线宽激光器在进一步压缩线宽、提升输出光功率方面的发展方向.     

两个激光二极管端面泵浦的基横模Nd：YAG激光器

用两个功率为１．５Ｗ的连续激光二极管偏振耦合端面泵浦及分别从双端同时泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，ＴＥＭ００模ＹＡＧ激光最大输出功率分别为６８０ｍＷ和４９２ｍＷ，总的光－光转换效率分别为２６．４％和１７．７％。从理论上对二极管单端面及双端面泵浦的ＹＡＧ激光器进行了分析计算。