稀土金属Sm/Si(100)2×1界面形成电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射芯能级和价带光电子能谱研究了室温下Ｓｍ／Ｓｉ（１００）２×１界面的形成与电子结构．实验结果表明，膜生长有几个不同阶段，分别为Ｓｍ原子聚集（Θ＜０.５ＭＬ）、反应扩散（０.５ＭＬ≤Θ≤４—６ＭＬ）和金属Ｓｍ膜生长．与Ｓｉ（１１１）７×７相比，Ｓｍ在Ｓｉ（１００）２×１的界面反应和扩散都得到加强．结合理论模型，讨论了该界面的形成与界面结构     

饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

Si（100）（2×1）表面光学二次谐波强度随温度的变化关系

通过测量基频光波长为１．０６４μｍ时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Ｓｉ（１００）（２×１）样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系，说明在此波长上二次谐波不是来源于表面耗尽场的影响，而是来源于表面态电子。Ｓｉ（１００）（２×１）表面反射二次谐波强度反比于温度的平方。本文提出了一个简单模型，给出了初步解释。     

a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。     

氟化Si（100）表面的结构研究

用Ｈｅ原子衍射研究了氟化Ｓｉ（１００）表面的结构。由Ｈｅ衍射测定表明Ｓｉ的悬空键是氟吸附的位置。Ｆ２与Ｓｉ（１００）２×１反应并不扰乱Ｓｉ－Ｓｉ二聚键，在Ｆ２入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了Ｆ２入射平动能可经活化而使Ｆ２与氟化的表面进一步反应，而且在高能Ｆ２暴露后观察到无序的表面结构。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

Bi系银衬底厚膜的制备及其传输电流性质

采用物理沉积法制了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的银夹板厚膜成相的影响表现为热处理过程中银夹板阻止了厚膜中的物质尤其是Ｐｂ的挥发，使厚膜处于低氧压状态，加速了８０Ｋ相向１１０Ｋ相的转化，测量了银衬底厚膜在外加磁场平行和垂直于厚膜表面的传输临界电流密度Ｊｃ与磁场Ｈ的关系。典型数据为Ｊｃ＝２．３１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ），３．６×１０＾２Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，１Ｔ）     

热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能

采用高温溶液法，以Ｂｉ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石（ＴｂＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２（简称ＴｂＹｂＢｉＩＧ）晶体。晶体外形规则，最大尺寸为７×６×４ｍｍ３，Ｘ射线衍射分析证实，生长的晶体为ＴｂＹｂＢｉＩＧ单相单晶体，扫描电镜能谱分析其组成为Ｔｂ２．０６Ｙｂ０．４６Ｂｉ０．４８Ｆｅ５Ｏ１２。在１．０μｍ～１．７μｍ波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ＝１．５５μｍ时，在１０°Ｃ～８０°Ｃ温度范围内测得法拉第旋转θＦ的温度系数为ｄθＦ／ｄＴ＝－２．３×１０－２ｄｅｇ·ｍｍ－１Ｋ－１。研究结果表明，ＴｂＹｂＢｉＩＧ单晶体在近红外波段θＦ约为ＹＩＧ单晶的３倍，温度系数小，是制作高性能光隔离器的一种好材料     

新显色剂4,4′-二(2,6-二溴-4-硝基苯基重氮氨基)联苯与汞显色反应的研究

本文研究了新显色剂４，４′－二（２，６－二溴－４－硝基苯基重氮氨基）联苯与Ｈｇ（Ⅱ）的显色反应，在表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ－１００的存在下，于ｐＨ８．８的Ｎａ２Ｂ４Ｏ７－ＨＣｌ缓冲溶液中，试剂与Ｈｇ（Ⅱ）形成２∶２橙红色配合物，其最大吸收峰位于４９０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为７．６２×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１。Ｈｇ（Ⅱ）量在０－１２μｇ／２５ｍＬ范围内符合比耳定律。方法用于废水中微量Ｈｇ（Ⅱ）的测定，结果满意。     

银－2－羧基－4－溴苯基重氮氨基偶氮苯－Triton X－100－SDS显色体系的研究及应用

新三氮烯类试剂之一，２－羧基－４－溴苯基重氮氨基偶氮苯，在ｐＨ１１．０的Ｎａ_２Ｂ_４Ｏ_７－ＮａＯＨ缓冲介质中，有非离子表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ－１００及阴离子表面活性剂ＳＤＳ的共同存在下，可与Ａｇ（Ⅰ）生成稳定的２∶１红色配合物，红色配合物的λ_（ｍａｘ）＝５４０ｎｍ，表观摩尔吸光系数ε_（５４０）＝１．１０×１０￣５Ｌ·ｍｏｌ￣（－１）·ｃｍ￣（－１）。Ａｇ量在０－１０μｇ／２５ｍＬ符合比尔定律。方法用于工业废水中痕量Ａｇ的测定，结果满意。     

Cd_xHg_（1－x）Te／SiO_2固溶体微晶掺杂玻璃三阶非线性光学性质的

本文首次报道了对采用溶胶凝胶和原位生长工艺制备的Ｃｄ_ｘＨｇ_(１－ｘ)Ｔｅ／ＳｉＯ_２固溶体微品掺杂玻璃进行的三阶非线性光学性质实验研究及其结果。利用回返式简并四波混频技术，测得该固溶体掺杂玻璃的三阶非线性极化率的值为１０￣（－１２）ｅｓｕ量级。此结果比纯ＳｉＯ_２基体提高了２个数量级。表明该固溶体掺杂玻璃三阶非线性明显增强，在同样条件下，测得ＣＳ_２的三阶非线性极化率ｘ（３）为（１．７±０．２）×１０￣(－１２)ｅｓｕ，与国际上报道完全一致。     

MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究

获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３,迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜;并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大,ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加,迁移率下降,Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大,ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。     

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性     

原子核物理一题解

原子核物理一题解解由已知条件知，真空管的内直径为１ｍ，所以真空管的内截面积＝π（１ｍ）２／４，环的圆周长＝３π（ｍ），构成环的真空管的容积＝３π２／４＝７．４（ｍ３），压强ｐ＝１０－５ｍＨｇ＝１０－５×１３．６×１０３×９．８１＝１．３４Ｐａ．由气体...     

Spiro－Oxaziue染料掺杂高分子材料光致变色效应的研究

报道Ｓｐｉｒｏ－Ｏｘａｚｉｕｅ染料掺杂高分子（ＳＯ／ＰＶＡ）膜具有很强的可逆光致变色效应，通过对这种高分子膜吸收光谱的测试，证实ＳＯ分子具有二个特征吸收带，一个在３６０ｎｍ，另一个在５９５ｎｍ，分别对应于二个分子异构体ＳＯ１和ＳＯ２，有关这种ＳＯ／ＰＶＡ光致变色过程的研究给出了ＳＯ１对紫外光和ＳＯ２对可见光（波长在５１５ｎｍ）的吸收系数分别为１．２ｃｍ２／Ｊ和６×１０－２ｃｍ２／Ｊ，ＳＯ２的寿命为３８ｓ。最后本文给出了采用这种ＳＯ／ＰＶＡ膜实现紫外－可见光图像转换和空间光调制操作的实验演示结果     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

铜与2-羟基-3-羧基-5-磺酸基苯重氮氨基偶氮苯反应的分光光度法研究及应用

研究了铜与２－羟基－３－羧基－５－磺酸基苯重氮氨基偶氮苯（ＨＣＳＤＡＡ）的显色反应。在Ｔｒｉ－ｔｏｎＮ－１０１存在下和ｐＨ１０．４～１１．５的缓冲介质中，Ｃｕ２＋与ＨＣＳＤＡＡ形成１∶２的红色配合物，其最大吸收波长是５３０ｎｍ，对比度为１０２ｎｍ，表观摩尔吸光系数为１．３１×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１。铜在０～０．２４μｇ／ｍＬ范围内服从比尔定律。用于铅锌矿和花生中微量铜的测定，相对误差不大于３．７％，相对标准偏差不大于１．６％（ｎ＝６）。     

柠蒙酸盐热解法制备YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体及其性能研究

本文采用柠檬酸盐热解法成功地制备了反应活性高、均匀、超微（～１００Ａ）超导原粉．在成份调节和粒度控制方面具有独到之处．用这种粉末合成的Ｙｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体，其主相为正交１２３相，ＴＲ＝０＝９１．２Ｋ，Ｊｃ（０Ｔ，７７Ｋ）＝１．８×１０５（Ａ／ｃｍ２），制备小烧结时间短。温度低（≤８８０℃），反应周期短（≤３６ｈｏｕｒｓ），是一种很有发展前途的方法．     

CO（a）与CS2和CS传能反应中激发态碎片形成速率

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态ＣＯ（ａ）与ＣＳ２和ＣＳ的传能反应，测定了反应产生的激发态碎片ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数。ＣＯ（ａ）与ＣＳ２传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为３．４６×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１和１．１４×１０＾－１０ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１。ＣＯ（ａ）与ＣＳ传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为１     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．