Ni/a-Si多层膜中固相非晶化反应过程

采用原位X射线衍射法定量地分析研究了多晶Ni/非晶Si成分调制膜中的固相反应非晶化过程.提出了非晶Ni-Si相在Ni/a-Si多层膜固相非晶化反应中的生长模型.并对Ni晶界上的非晶化现象给予热力学和动力学上的解释. 关键词：     

Fe-Ti多层调制膜固态反应扩散的动态原位法X射线衍射研究

本文用动态原位法x 射线衍射研究了Fe-Ti 多层调制膜的固态反应扩散, 比较准确地测量了组份调制衍射峰强度的变化,并同时观测了峰位的移动, 计算出不同温度下Fe-Ti 多层调制膜的扩散系数, 并给出其随时间变化的曲线. 根据扩散系数随时间变化率, 计算出与粘滞弛豫相关的激活能 Q=8.3 士0 .2 kcal/ mol. 关键词：     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散     

Fe/SnO2非晶多层膜的磁特性

研究了高频溅射制备的Fe/SnO₂非晶多层膜的磁特性.当SnO₂层厚度d_s固定为5nm时，样品的饱和磁化强度M_s随Fe层厚度d_m的减小而降低，这主要受样品的死层效应和维度效应的影响.另外，在d_m很小时，样品呈现准二维磁性.样品居里温度T_C随d_m的减小单调下降.样品矫顽力H_c随d_m的变化呈现 关键词：     

二元合金多层膜中的固态反应非晶化

本文报道在Fe-Ti和Fe-Si系中发生的固态反应非晶化,肯定了Ni-Ti系中非晶相的形成,认为这类新型非晶化主要是一种动力学相竞争的结果,并初步讨论了在固态反应中形成非晶相的动力学判据。 关键词：     

Ni-Si多层膜中固态非晶化反应的热力学与动力学过程

研究了Ni/非晶Si(a-Si)多层组分调制膜(ML)中界面上的固相反应。根据计算的亚稳自由能图,对界面上固相反应形成非晶态进行了热力学与动力学的分析。提出了Ni/a-Si多层膜中的固相反应的动力学模型。 关键词：     

研究扩散屏障层对Mo/Si多层膜软X射线反射率影响的模拟

在特定波长下,用四层结构模型模拟了Mo/Si多层膜的软X射线反射率.研究了扩散屏障层dMo-on-Si和dSi-on-Mo对Mo/Si多层膜软X射线反射率的影响.研究发现,扩散屏障层并不总是损害Mo/Si多层膜的光学性能,通过合理设计dMo-on-Si和dSi-on-Mo厚度,增加dMo-on-Si与dSi-on-Mo的比值,也能提高多层膜的软X射线反射率.     

NiFe/Mo多层膜界面的电子显微学研究

用高分辨电子显微学方法研究了Ni₈₀Fe₂₀/Mo磁性多层膜，结果表明：(1)多层膜的结晶状态，随Mo非磁性层厚度而变化.当Mo层厚度为0.7nm时，多层膜基本为非晶；当Mo层厚度大于1.6nm时，Mo层和NiFe层内分别结晶为体心立方和面心立方多晶，层内晶粒尺寸为2—6nm.(2)在Mo层厚度为1.6和2.1nm的多层膜中，NiFe层和Mo层之间存在两种取向关系：(110)_Mo∥(111)_NiFe,［111］_关键词：     

Nb/Ti的扩散行为研究

为了简化NbTi超导线材的制备工艺,本文利用叠压的Nb/Ti复合片对600～900℃处理3～9小时的扩散样品进行了研究.扫描电镜观察和分析结果表明,800℃扩散5小时可以得到厚度较大,Ti含量较高的单β相扩散层;过高的扩散温度或过长的扩散时间仅会增加αβ双相区的厚度,反而会降低NbTi材料的性能.     

Ni在非晶Si中扩散机制的原位X射线衍射研究

通过对非晶Ni和Si多层组分调制膜(ML)中Ni和Si互扩散规律的原位X射线衍射法研究,考察了金属Ni在非晶Si(a-Si)中的扩散现象。得到了较低温度下Ni在非晶Si中扩散系数及规律,并且提出了Ni在a-Si中受非平衡缺陷延迟的间隙扩散机制。这个扩散模型较好地解释了Ni在a-Si中的扩散。 关键词：     

Fe-Ti多层调制膜固态反应扩散的动态原位法X射线衍射研究

本文用动态原位法X射线衍射研究了Fe-Ti多层调制膜的固态反应扩散,比较准确地测量了组份调制衍射峰强度的变化,并同时观测了峰位的移动,计算出不同温度下Fe-Ti多层调制膜的扩散系数,并给出其随时间变化的曲线。根据扩散系数随时间变化率,计算出与粘滞弛豫相关的激活能Q_y=8.3±0.2kcal/mol。 关键词：     

多层非晶薄膜爆炸焊接原理

 从冲击动力学原理出发，建立了多层薄膜爆炸焊接的动力学模型。多层薄膜组合从某种意义上讲可以看成是一种特殊的多孔材料，其在冲击波作用下的行为完全可用多孔材料状态方程来描述。文中还针对非晶态材料的特点，建立了多层焊接的传热模型。计算结果表明，多层爆炸焊接完全可以保证非晶态材料不发生相变。     

THE ANNEALING FEATURES OF Ta/Si MULTILAYER FILMS

The Ta/Si multilayers on (100) Si substrate have been studied over the annealing temper-ature range from 500 to 900℃ by X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy. The periodicity of the multilayers becomes worse with increasing annealing tem-perature and disappears at 750℃. At 600℃, two kinds of modulation wavelength coexist because the size of several TaSi₂ grains is larger than the contracted original modulation wavelength. The films are contracted after annealing. The largest contraction, at least 40nm decreasing in thickness, occurs at 600℃. When the annealing temperature is lower than 600℃, h-TaSi₂ grains grow randomly and the growth is not affected by the substrate. At temperatures higher than 750℃, h-TaSi₂ grows preferentially in [001] direction parallel to [100] axis of Si substrate. The appearance of texture depends on whether the atomic diffusion is short range or long range at the corresponding annealing temperature.     

非晶态多层膜和单层膜的低角X射线衍射研究

本文对a-Si:H/(a-SiN_x:H)非晶态周期多层膜和单层膜进行了低角X射线衍射研究。在周期数较少的多层膜衍射的布喇格衍射峰的低角侧发现了一系列次级衍射峰;在单层膜样品的低角衍射中也发现了一系列小峰。对此,我们提出了一个用于计算非晶多层膜和单层膜衍射强度的简单公式,使实验结果得到解释,并提出了一种测量膜厚的方法。 关键词：     

非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算

本文采用改进的CNDO/2(Semi Empirical Hartree-Focu of Complete Neglect of Diffe-rential Overlap)分子轨道方法计算了非晶Si和非晶Si基合金半导体的顺磁共振朗德劈裂因数(g值),讨论了晶格弛豫对g值的影响。计算结果与实验符合。 关键词：     

C60分子晶体中的类非晶散射研究

根据Ｘ射线衍射基本理论，计算了Ｃ₆₀分子晶体中的各种堆积方式下的Ｘ射线衍射花样，对Ｃ₆₀分子晶体中的类非晶散射产生的原因进行了探讨，指出在Ｃ₆₀分子晶体中，Ｃ₆₀分子有两种运动方式．非晶散射是Ｃ₆₀分子晶体固有结构特征所造成的 关键词：     

FeCrB非晶合金带铁磁共振研究

本文报道用电子自旋共振谱仪所测得的FeCrB非晶合金带的铁磁共振谱,给出了谱形随温度变化的实验结果。用“独立晶粒近似”理论解释了样品中的磁相变化,并讨论了线宽△H随温度T的变化。为研究非晶合金带材料的性能提供了新的实验结果。 关键词：     

FeCrZr非晶合金带的铁磁共振研究

研究了FeCrZr非晶合金带的铁磁共振(FMR)谱及谱线随Cr含量的变化,以及谱线随温度的变化,并与FeCrB系的铁磁共振谱比较,发现用Zr替代B的结果,使非晶带的FMR谱中各共振峰的位置和强度发生了明显的变化,结合M?ssbauer谱结果,分析了Zr对Fe基非晶磁织构的影响。