散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的β-ＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Ｓｉ原子的非对称性和二聚Ｃ原子的对称性     

O2—Ag（111）表面散射经典轨道研究

利用分子动力学方法，采用三体简化模型及刚性转子近似，模拟计算了同核双原子分子Ｏ２小角度入射Ａｇ（１１１）表面，分子碰撞诱导解离几率，结果与实验规律一致。同时也获得了入射分子取向效应及散射分子的角分布对碰撞能的依赖关系等动力学信息。     

分子（H2,D2）与固体表面散射的理论研究

在含时量子计算方法的基础，利用量子散射中的角动量耦合理论等，导出了分子与固体表面非弹性散射的计算公式，对分子（Ｈ２，Ｄ２）与粗糙固体表面在较低能量下的非弹性散射做了计算，得出了模型势下的散射规律。     

表面增强拉曼散射概述（下）

表面增强拉曼散射概述（下）武建劳，郇宜贤，傅克德，张鹏翔（陕西师范大学物理系西安７１００６２）ＴｈｅＳｔａｔｕｓｏｆＳｕｒｆａｃｅ－ｅｎｈａｎｃｅｄＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＷｕＪｉａｎｌａｏ；ＨｕａｎＹｉｘｉａｎ；ＦｕＫｅｄｅ；ＺｈａｎｇＰｅｎ...     

氟化Si（100）表面的结构研究

用Ｈｅ原子衍射研究了氟化Ｓｉ（１００）表面的结构。由Ｈｅ衍射测定表明Ｓｉ的悬空键是氟吸附的位置。Ｆ２与Ｓｉ（１００）２×１反应并不扰乱Ｓｉ－Ｓｉ二聚键，在Ｆ２入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了Ｆ２入射平动能可经活化而使Ｆ２与氟化的表面进一步反应，而且在高能Ｆ２暴露后观察到无序的表面结构。     

Cu(100)表面上H2/D2散射的六维态-态量子动力学研究：位点平均模型的有效性

基于由optPBE-vdW密度泛函计算的数千个数据点拟合得到的精确的神经网络势能面,本文采用含时波包方法对H₂/D₂在刚性Cu(100)表面上的态-态散射进行了六维量子动力学计算. 与以往的理论和实验比较了H₂和D₂在Cu(100)中的振转(非)弹性散射的结果. 特别是通过将六维的(非)弹性散射几率与从十五个位点加权平均四维几率的结果比较,测试了在该体系中位点平均近似模型的有效性. 具体来说,位点平均模型很好地重现了振动弹性散射几率,尽管对于高能下的振动非弹性散射结果没那么好. 结果说明在未来研究重双原子或多原子分子从金属表面的态-态散射动力学时,可以使用位点平均模型来降低全维计算过高的成本.     

碳吸附于Fe（100）表面的第一性原理研究

本文采用自旋极化密度泛函理论计算了清洁Fe（100）表面及C吸附于Fe（100）表面三种结构: p(2×2)、c(2×2)及p(2×1)。清洁Fe(001)表面只有弛豫,没有重构。吸附C原子的Fe表面体系,最稳定位置为四重空位,空位吸附的C原子实际上与Fe成五重键,这与实验相符。通过对c(2×2)表面结构的电子态密度计算,发现C原子的s、p态与表面Fe原子的d、p及s态都有不同程度的相互作用,成键的主要作用为C2p态与Fe3dx2-y2、3dxy 态的杂化。     

a-Al2O3（0001）表面弛豫及其对表面电子态的影响

在周期边界条件下的，k空间中，采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法，对最外表面终止层为单层Al的a-Al2O3超晶胞(2×2)(0001)表面结构进行了弛豫与电子结构计算研究．结果表明，最外表面Al-O层有较大的弛豫，明显地影响了表面原子与电子结构，布居分析表明表面电子有更大的几率被定域在O原子的周围，表现出O的表面态．进一步分析了表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化，表面能级分裂主要来自于O的2p轨道电子态变化．通过对比弛豫前后的表面电子局域函数(ELF)图，分析了表面成键特性．     

Cl^—对铜表面上表面增强剌曼散射效应的影响

以机械抛光粗糙的铜表吸附衬底，在固／液系统中对Ｃｌ＾－及其不同的存在方式对表面增强喇曼散射效应和衬底表面的影响进行了较为系统的分析研究，结果表明，只有当适量的Ｃｌ＾－以适当的方式存在时才对ＳＥＲＳ产生影响；ＳＥＲＳ衬氏的表面形貌也随Ｃｌ＾－作用方式的变化而变化。     

基于Harvey-Shack表面散射理论的光学误差测量

基于散射理论,不同频段的光学表面制造误差会对光学性能产生不同的影响,而常用的光学设计软件一般没有考虑。为此利用小波变换对误差进行了频段分割;然后基于Harvey-Shack表面散射理论,从频段误差的角度对光学表面的光学性能进行了评价,同时基于小波变换的特点,当光学性能不满足要求时,找到了需重点控制的频段误差在光学表面发生的区域,从而对下一步的加工进行指导。最后以一块口径500 mm的大镜实测数据及设计要求"在0.33 mrad内环绕能量大于70%"进行了实验验证。结果表明,利用此方法能有效的建立"表面频段误差光学评价光学加工"三者之间的联系。     

Cu 表面性质的第一性原理分析

采用第一性原理赝势平面波方法, 计算并详细分析了面心立方Cu晶体及其 (100), (110) 和 (111) 这3个低指数表面的原子结构、 表面能量及表面电子态密度. 表面能的计算结果表明, Cu (111) 表面的结构稳定性最好, Cu (100) 表面次之, Cu (110)表面的结构稳定性最差. 3个表面的表面原子弛豫量随着层数的增加而逐渐减弱. Cu (110) 表面的最表层原子相对收缩最大, Cu (100)表面次之, Cu (111) 表面的最表层原子相对收缩最小. 表面原子弛豫不仅引起表面几何结构的变化, 而且使表面层原子的电子态密度峰形相对晶体内部发生变化, 这是表面能产生的主要原因, 而Cu (110)表面相对于Cu (100)与Cu (111)表面具有高表面活性的主要原因则源于其表面层原子电子态密度在高能级处的波峰相对晶体内部显著的升高. 关键词： Cu 晶体 表面结构 表面能 态密度     

无序二元合金（NixCu1-x）表面CO吸附及对表面偏析的影响

根据计算机编程构造出了存在和不存在表面偏析的无序二元合金Ni_xCu_1-x（x=0.4）的原子集团模型，然后按覆盖度θ=0.5，构造出了CO表面吸附的模型 ，应用Recursion方法计算了CO在（Ni_xCu_1-x）（存在偏析和不存在偏析时）合金表面不同位置（顶位和芯位）吸附的电子结构 .由此得出：1)CO在顶位吸附时较稳定；2)CO吸附使合金表面态密度峰降低，带宽加宽，使d轨道的局域性变弱；3)CO的吸附抑制了Cu 关键词： 化学吸附 表面偏析 Recursion方法 态密度     

洁净和氧吸附的Cu(100)表面重构的理论研究

在密度泛函理论下,计算了清洁和吸附氧原子的Cu(100)表面的驰豫和优势吸附构型。结果表明,氧原子在金属表面采用四重穴位时,具有最大的结合能,顶位吸附时结合能最小,桥位吸附时结合能居间。这一计算结果与实验报道一致。各种密度泛函方法的比较后,发现采用mPW1PW91密度泛函和LanL2dz赝势基组,能够准确给出与实验相符的计算结果。平板模型计算的分态密度图显示,在吸附过程中出现d轨道向Fermi能级移动并越过Fermi能级,而O原子的p轨道能级远离Fermi能级,表明有电子从铜原子的d轨道转移到氧原子的2p轨道,簇模型和平板模型的布居分析显示表面氧带有约0.65～0.7 e的负电荷。研究表明,采用适当的基组和泛函方法,即使采用簇模型来模拟表面,也可以获得与实验比较吻合的计算结果。     

FeS2(100)表面原子几何与电子结构的理论研究

采用密度泛函理论研究了FeS2(100)表面原子几何与电子结构.理论计算结果表明:FeS2(100)表面无弛豫、无重构,是体相原子几何的自然终止.与体相电子结构相比,FeS2(100)表面电子特性明显不同,禁带中央产生新的表面态,且表面态局域性强,主要由Fe原子的3d分波贡献.配位场理论定性分析表明:FeS2(100)完整晶面表面态产生机制是Fe原子的配位数减少、局部对称性下降所致 关键词： 密度泛函理论 表面电子结构 FeS2     

As吸附在InP(110)表面电子性质的理论研究

利用形式散射的格林函数方法，研究了As在InP(110)表面不同吸附结构的电子性质.体材料采用实用的经验紧束缚近似方法的哈密顿，分别计算了As-P交换作用和形成外延连续层结构表面态的性质，指出了表面态和表面共振态产生的原因.在计算中，一些表面紧束缚相互作用参数进行了调整，所得结果好于其他理论方法. 关键词：     

多重散射团族理论对CO／NiO（100）NO／NiO（100）吸附系统的分析与比较

用多理散射团族（ＭＳＣ）理论对ＣＯ／ＮｉＯ（１００）和ＮＯ／ＮｉＯ（１００）吸附系统的Ｃ１ｓ近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）和Ｎ１ｓ ＮＥＸＡＦＳ谱进行了详细的计算和分析。理论计算表明ＣＯ／ＮｉＯ（１００）是弱物理吸附,ＣＯ分子与表面的多极静电相互作用很弱,σ共振不依赖Ｃ－Ｏ键长的变化,ＭＳＣ方法分析表明,ＣＯ是以Ｃ原子朝下,吸附在衬底的Ｎｉ－Ｏ键上,可靠性因子计算显示Ｃ原子的吸附位置距Ｎｉ     

Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

基于第一性原理的自洽场密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),利用缀加平面波加局域轨道(APW+lo)近似方法，建立了五层层晶超原胞模型，模拟了GaAs(110)表面结构和单个Xe原子在其表面的吸附.利用牛顿动力学方法，对GaAs(110)表面原子构形的弛豫和Xe原子在GaAs(110)表面的吸附进行了计算.从三种不同的初始构形出发，即Xe原子分别在Ga原子的顶位，As原子的顶位以及桥位，都发现Xe原子位于桥位时体系能量最低.由此，认为Xe原子在GaAs(110)表面的吸附位置在桥位，并且发现吸附Xe原子后GaAs(110)表面有趋向于理想表面的趋势，表面重构现象趋于消失，表面原子间键长有一定的恢复,这与理论预言相符合. 关键词： 密度泛函理论 表面结构 APW 表面原子吸附     

GaAs（100）表面氧化的XPS 研究

用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 ,使其更容易被氧化