Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.     

Yb:Y_xLu_(1-x)VO_4混合激光晶体中的缺陷研究

采用提拉法生长出了Yb:YxLu1-xVO4混合晶体,XRD测试发现该晶体具有四方Zr Si O4结构,经计算晶胞常数为a=b=0.7126(2)nm,c=0.6259(7)nm。利用化学腐蚀法和同步辐射X射线形貌术,分析了晶体中的缺陷,发现位错和小角度晶界是晶体中的两种主要缺陷。利用Read-Shockley公式计算分析了晶体中的转向小角度晶界,发现Yb:YxLu1-xVO4晶体中存在伯格斯矢量为[100]的位错。分析了晶体中位错和小角度晶界的形成原因,认为晶体生长和退火过程中的温度波动容易在Yb:YxLu1-xVO4晶体内部引起局部晶格畸变,诱发位错和小角度晶界的产生,因此混合晶体生长过程需要更精确控制。     

化合物半导体异质外延层中的缺陷

本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。结果表明CdTe/GaAs中主要缺陷是失配位错及微孪晶,而在GaAs/Si中还含有反相无序。     

熔融织构生长(MTG)法制备的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体点阵缺陷的同步辐射形貌研究

自Jin等人首次采用熔融法合成类单晶显微结构的体材以来,许多研究者已获得具有高度C轴取向的类单品或高质量的单品。我们用同样方法也制得了在77K、2T磁场下,J_c为2.38×10~4A/cm~2的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体,并用高压透射电镜观察证实了高密度的位错、位错环以及弥散分布的211相,CuO粒子可能是主要的磁通钉扎中心,从而大大地     

三维SiO2欧泊模板溶剂热法制备硫化锌光子晶体

以单分散二氧化硅微球在重力场下自组装得到的三维有序欧泊(opal)为模板，采用溶剂热法在模板空隙内生长ZnS晶体，从而制备高质量的硫化锌基光子晶体. 通过X射线衍射(XRD)和Raman光谱证明ZnS晶体为闪锌矿结构且晶体质量较好，并对其生长机理进行了讨论. 通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见分光光度计对所合成的ZnS/opal复合物与ZnS反欧泊结构进行了表征，结果表明两种结构都保持了欧泊三维有序性，并且在Г-L方向(垂直于(111)方向)上出现了布拉格衍射峰，说明其具有良好的光子晶体特性.     

Yb:GdVO4晶体的缺陷研究

Yb：GdVO4晶体是一种很好的激光材料，但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响，开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。采用提拉法生长了面25mm×20mm，掺杂浓度为2％的Yb：GdVO4晶体；分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响；采用化学腐蚀法，以盐酸、氢氟酸为腐蚀剂，对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验，通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究；对晶体进行了高分辨X衍射实验，结果表明晶体中存在镶嵌块结构；开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。     

HKC细胞损伤前后对草酸钙晶体吞噬能力的差异

采用人类肾脏近端小管上皮细胞系(HKC)建立氧化性损伤模型,研究损伤前后HKC调控草酸钙(CaOxa)结晶的差异。采用CCK-8法检测HKC的细胞活性;利用激光共聚焦显微镜观察HKC损伤后表达的晶体粘附分子骨桥蛋白(OPN);采用倒置显微镜观察HKC的形态变化;采用扫描电子显微镜(SEM)观察HKC微结构及其诱导的晶体;采用X射线衍射分析(XRD)表征晶体的组分。在CaOxa过饱和溶液中,正常HKC主要诱导形成二水草酸钙(COD)晶体,而损伤HKC则同时诱导了COD和一水草酸钙(COM)晶体。正常HKC对COD晶体有较强的吞噬能力,而损伤HKC的这种能力较弱;HKC损伤后表达OPN,促进CaOxa晶体的成核和聚集,从而增加了肾结石形成的危险性。     

铬酸镧材料的微结构研究

用高分辨电子显微镜对铬酸镧的晶体结构及晶界、位错等晶体缺陷进行了观察与分析。高分辨电镜的观察发现了铬酸镧晶体中存在结构调幅,并构建了长程有序结构的模型。对观察到的铬酸镧倾斜晶界进行了分析。电子衍射的结果表铬酸镧在室温上为正交晶系,并发现晶体中存在畴结构。     

铜与硝酸银置换反应的条件及机理探究

在铜与硝酸银溶液反应中通常观察到铜表面析出光亮的银,较难观察到银晶体的形状。为了更清晰地观察银晶体析出的形态,采用实验探究法,以琼脂和水为介质,探究不同介质、温度、浓度下银析出的形态及其机理。结果显示,在琼脂中银为树枝状,溶液中为团簇状,并且在溶液中随着温度升高或浓度降低,银单质分枝变多、变细长。结果可以用琼脂的三维网状结构和晶体的位错生长机理来解释。     

氧化物表面的侧表面原子成象——Ⅰ.Eu_2O_2晶体由位错滑移形成表面台阶的动态原位观察

通过高分辨电子显微术获得了Eu_2O_3晶体分子清洁的表面侧面原子成象,观察到了由表面附近位错滑移出表面而形成表面原子台阶的动态变化过程,同时还观察到了此种表面台阶的形核生长。     

高压变质岩中角闪石晶内滑动的电子显微镜研究

本文利用电子显微镜研究了江苏东海榴辉岩中的角闪石和陕西鱼洞子群变质角闪岩中的角闪石微结构,发现这些角闪石存在位错和其他缺陷。在榴辉岩的角闪石中,位错为刃型位错,刃位错线平行c轴,B矢量值为9,矢量方向有两类:大多数//[100],少数//b轴。位错露头在a~*-b~*面上线型排列成位错壁。位错壁两侧的亚晶粒有微小的取向偏差,形成2—5°的小角晶界,且刃位错露头间隔越密,晶体扭曲越大,小角晶界也越大。在含水条件下角闪石通过交代反应,逐步增宽pyribole链体,在剪切带内生成滑石结构,并不断把角闪石颗粒细粒化。     

KTbP_4O_(12)晶体的生长及其荧光特性

本文采用蒸发溶液法从磷酸溶液中生长了KTbP_4O_(12)和一系列KLa_(1-x)TbxP_4O_(12)晶体。讨论了晶体生长中的物理化学问题。测定了晶体的X射线衍射图和红外光谱,发现KTbP_4O_(12)晶体存在着α和β两种不同的结构类型。计算了不同结构类型晶体的晶胞参数。 测定了晶体的荧光光谱,观察到在KLa_(1-x)Tb_xP_4O_(12)晶体中随着La~(3+)离子浓度的变化而有规律的变化。观察到KTbP_4O_(12)能发出强的绿色荧光,将可能作为一种新的晶体发光或激光材料。     

聚苯乙烯胶态晶体的合成

近年来 ,胶态晶体引起物理学家和化学家的共同关注 [1] .占据晶格点的纳米或微米级微粒自组装行为 [2 ] 在光学显微镜和扫描电子显微镜下可被清晰地观察到 ,因此能作为研究晶体相变的模型 [3 ] ,并有助于人们加深对晶体中点缺陷、晶界及位错等现象的了解 .胶态晶体所具有的周期性结构更使其在光学研究领域具有特殊意义 .与半导体中电子的能带结构类似 [4 ] ,胶态晶体中传播的光波色散曲线为不连续的带状结构 ,被称为“光子晶体”(photonic crystal) .在禁带区 (photonic band gap) ,光被禁止传播 ,而光散射加强 ,可将其应用于光电开关及光催…     

ZnO衍射花样180°不唯一性的消除

晶体电子衍射花样涉及到界面、位错等缺陷的晶体学性质测定时,需要设法消除180°不唯一性这一问题.应用Tecnai G~2 F20场发射透射电镜精密的倾斜样品台使晶体做有系统的倾转,观察衍射花样的变化并加以分析,从而消除了ZnO粉末单晶花样的180°不唯一性.     

凝胶体系中羧酸对草酸钙结晶的影响

羧酸是泌尿系结石形成的抑制剂。本文采用双扩散法考察凝胶体系中一元羧酸HAc、二元羧酸酒石酸、三元羧酸柠檬酸和四元羧酸EDTA对草酸钙(CaOx)结晶的影响。HAc没有抑制作用。酒石酸和柠檬酸能够改变一水草酸钙(COM)晶体的形貌，并抑制草酸钙晶体二维生长，这种抑制作用随时间的增加而增强。EDTA使COM晶体在长度方向生长更快，而在宽度和厚度上生长更慢。随着结晶温度的降低，形成草酸钙晶体的时间增加，且二水草酸钙(COD)的比例增加。在5℃的低温条件下，添加有二元、三元和四元羧酸的CaOx结晶中，COD成为主要的物相。     

聚乙烯在氧化铝模板中的结晶与取向行为

用多孔阳极氧化铝(AAO)模板制备了直径为200nm的聚乙烯(PE)纳米纤维,并用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、偏光显微镜(PLM)和X-射线衍射(XRD)方法研究了PE在二维圆柱状受限条件下的结晶与取向行为.FTIR研究表明,由于模板的限制作用,PE纳米纤维的结晶度低于本体.同时,PE纳米纤维晶体的b轴平行于模板孔洞的方向取向,而a轴垂直于孔洞的方向取向.XRD结果进一步证明,在纳米孔洞中PE晶体的b轴平行于纳米孔洞方向.PLM结果表明,在结晶过程中,晶体主要是在模板与本体的界面处成核,然后晶体呈发散状向本体和纳米纤维中竞争生长.由于PE晶体的b轴是其生长速率最快的方向,在本体中形成典型的环带球晶形貌;而在二维圆柱受限条件下,只有沿孔洞方向生长的晶体才能增长,而其它生长方向则受到抑制,造成PE晶体的b轴沿孔洞方向优先取向.     

呈柱状排列的C_(60)

纯净的C60的晶体是面心立方的，该晶体中有很大的空隙。美国哥伦比亚Missouri大学J．L．Atwoorl教授等最近报道说，加入一种共晶物质，可以使C60在晶体中的排列更加紧密［Chem．commun．1998，1901］。他们采用的共晶物质是p—calix［4］arenepropylether。用单晶衍射测定了这种共晶物的结构。证实晶体中C60的分子被Calixarene分子隔开而显著地紧密堆积在一起成完全有序的一维线性结构。晶体中的calixarene分子则顺着其偶极的方向以首尾相接的方式堆积。呈柱状排列的C_(60)@石磐…     

席夫碱盐燃烧法制备纳米Er2O3晶体

以硝酸铒和席夫碱为原料，制备席夫碱盐络合物。使用燃烧合成的方法制备了Er2O3纳米晶体。采用傅立叶变换红外光谱(FT—IR)分析了反应历程。使用x射线衍射分析仪(XRD)进行了物相分析及粒径计算。使用透射电镜(TEM)观察了粉体的形貌。结果表明，生成相为单一的立方晶系。纳米晶体晶粒分布不均匀，没有明显的硬团聚现象发生。荧光试验表明，其发射谱在1．54μm处出现发射峰，同时在1．54μm两侧出现肩峰。     

改性聚苯乙烯微球的制备及其胶体晶体的组装

采用甲基丙烯酸改性的无皂乳液聚合方法制备了尺寸为210 nm、含羧基的聚苯乙烯(PS)微球，用红外光谱、透射电子显微镜和粒度分析仪对其形状和结构进行分析，结果表明，经甲基丙烯酸改性后得到了表面为高密度电荷的单分散性PS微球.用垂直沉积法快速制备出在较大范围(大于1 cm2)呈现很好有序性的密排结构聚苯乙烯胶体晶体薄膜，其在590 nm波长处存在光子带隙.在电子显微镜下，观察到这种胶体晶体是面心立方(fcc)密排结构.     

高氯酸碳酰肼过渡金属配合物晶体形态的理论和实验研究（英文）

通过Bravais-Freidel-Donnay-Harker(BFDH法)和growth morphology(生长形态法)方法,研究了高氯酸碳酰肼锰、高氯酸碳酰肼铁、高氯酸碳酰肼钴、高氯酸碳酰肼镍和高氯酸碳酰肼镉的晶体生长形态。结果表明,这5种化合物的晶形均接近长块状,在(101)和(002)晶面的相对生长速度最小,为晶体的最重要的生长方向。根据晶体的主要生长晶面,推断出官能团中具有活性氢原子的晶形控制剂可以有效地控制晶形。此外,通过实验合成这5中配合物,并用冷场发射扫描电子显微镜观察其晶体形貌,通过对比表明growth morphology的模拟结果更接近实验所得形貌,因此该方法可以更可靠地预测高氯酸碳酰肼金属配合物的晶体形态。