Eu3+掺杂铌酸盐玻璃的光谱性质

研究了Eu^3 掺杂铌磷与铌硅系列玻璃的发射光谱，声子边带谱及^5D0能级寿命，计算了样品的强度参数。随着Nb2O5浓度的增加，Eu-O键强增大，共价性增强，Eu^3 的局域环境对称性降低，电－声子耦合增强，^5D0能级的无辐射过程加快，寿命变短，温度猝灭加剧。研究了从77－690K铌磷与铌硅系列玻璃中Eu^3 离子在488nm激光激发下的变温荧光发射特性，求出了温度猝灭速率。分析了发光强度增强与减弱的原因，即热布居与无辐射过程随温度的变化关系，研究了谱线宽度与峰值位置随温度的变化关系。     

五磷酸铈晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响

采用蒸发溶液法生长出一系列Ce0.9Ln0.1P5O14晶体。研究了晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响。观察到,La3+,Lu3+和Y3+起稀释作用,使Ce3+的发光强度降低;加入一定量的Pr3+或Gd3+能使Ce3+的发光增强;Nd3+,Sm3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+或Tm3+等离子与Ce3+的能级有重叠,它们之间存在着竞争吸收或能量转移,从而使Ce3+的发光减弱。本文发现Eu3+和Yb3+对Ce3+有严重的猝灭作用。     

KMgF3:Eu2+晶体中Eu2+的受激发射研究

二价铕离子(Eu2 )在KMgF3晶体中产生窄带线状发射,峰值位于360 nm.依据自身建立的激发态能量损耗模型,预测了4f7(6P7/2)→4f7(8S7/2)跃迁实现受激发射的可能性.采用ASE技术测得了KMgF3:Eu2 晶体360 nm发射的光学增益,得到净光学增益系数g=(11.4±3.2)cm-1,实验证实了理论预测.晶体退火或掺杂敏化离子Gd3 或Ce3 可以改善Eu2 的增益效果.     

不同介质里Gd2O3∶Eu3+纳米晶中Eu3+的自发辐射

对不同介质包围的Gd2O3∶Eu3 纳米颗粒的发光性质进行了研究。从发射光谱观察到Eu3 的4f组态内跃迁峰位受周围介质的影响不大。Gd2O3纳米颗粒中Eu3 的5D0的自发发射寿命受周围介质的局域场影响很大,主要与介质的有效折射率和纳米颗粒的填充率有关。有两种模型可以描述自发辐射寿命与周围介质的相互作用:Onsanger-实腔模型与Lorentz虚腔模型。本实验结果表明,实腔模型比较合理,而虚腔模型与实验数据偏差较大。     

AlF3基氟化物玻璃中Eu3+的光谱性质与局域结构的关系

报导了Eu^3 掺杂AlF3基氟化物玻璃材料的制备及其光谱性质与局域结构的关系。声子边带谱表明与稀土离子的电子跃迁相耦合的声子模式为Al-F的伸缩振动模,结合^151Eu的Mossbauer谱,进一步确认了Eu^3 在该玻璃基质中的配位状态。由发射光谱,根据AlF3晶体所属空间群中等效点系的对称性分析,通过对称性破缺可以推测Eu^3 在该玻璃体系中占据的格位主要为Ci和S6。     

KBaPO4∶Eu3+红色发光材料的光谱特性

采用高温固相法制备了KBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响,并利用X射线衍射及光谱等技术对材料的性能进行了表征.研究结果显示:在400 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于621 nm|监测621 nm发射峰,所得激发光谱由O2-→Eu3+电荷迁移带(200~350 nm)和f-f高能级跃迁吸收带(350~450 nm)组成,主峰位于400 nm|改变Eu3+掺杂浓度,KBaPO4∶Eu3+材料的发射强度随之改变,Eu3+浓度为5 mol%时,强度最大|依据Dexter理论,得知引起浓度猝灭的原因为电偶极-电偶极相互作用|添加电荷补偿剂,可增强KBaPO4∶Eu3+材料的发射强度,其中以添加Li+,Cl-时,材料发射强度提高最明显.     

KBaPO4:Eu3+红色发光材料的光谱特性

采用高温固相法制备了KBaPO4:Eu3+红色发光材料,研究了Eu3+掺杂浓度、电荷补偿剂等对材料发光性质的影响,并利用X射线衍射及光谱等技术对材料的性能进行了表征.研究结果显示:在400 nm近紫外光激发下,材料呈多峰发射,分别由Eu3+的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,主峰位于621 nm;监...     

Eu3+掺杂硼酸盐晶体及玻璃材料的光谱性质

控制不同的烧结条件，制备了Eu^3 掺杂La2O3—3B2O3体系的晶体及玻璃材料。在这两种组分相同但物相不同的基质中，Eu^3 离子表现出不同的光谱性质。通过对比两种材料的发射光谱、声子边带、电荷迁移带及荧光寿命，讨论了Eu^3 离子周围局域结构的改变对其发光性质的影响。     

复合氟化物中缺陷对Eu2+光谱的影响

用传统的高温固相法及近几年兴起的温和水热法合成了KMgF3:Fu多晶粉末，同时用BridgmanStockbarger法生长了KMgF3:Eu单晶体。对三种方法合成的样品进行比较发现：水热和单晶样品中，除了Eu^2 的f→f锐线发射外，还观察到420nm处的宽带发射；这些发射带主要应归属于晶体中存在的色心和氧中心。而且与高温样品相比，Eu^2 在360nm处的线发射强度明显减小，原因是发生了Eu^2 到色心的能量传递。     

ZrO2中Eu3+的发光特性

研究了掺1mol％Eu^3 的ZrO2纳米材料随退火温度变化的发光性质,得到退火温度为600和800℃的样品中Eu^3 的^5D0→^7F2发射在604nm处,我们认为：^7F2能级受到较强的晶场影响而发生能级劈裂,劈裂成4个子能级,出现两种发射,在章中为604和612nm．的两种发射,这两种发射所占的分支比不同,前一种发射所占的分支比较大,而后一种发射所占的分支比较小,因而,604nm的发射占优势。研究了ZnO2纳米材料中掺杂浓度变化时Eu^3 的发光性质,得到掺杂浓度为3mol％的样品的发射与众不同,它只有597nm处的1个宽带发射。     

在ZnSxSe1-x单晶中自由激子光谱的研究

在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子激发光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构.激发光谱的结构,激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分x密切有关.x=0.125和x=0.02样品相比较,随着X的增加而增加自由激子的发光效率,同时在激发光谱的振荡结构中增加光滑成分和背景,亦即减少光学声子形式的能量弛豫,增加声学声子形式的能量弛豫.这些现象归结于在混晶中非均匀势垒引起的激子迁移率的减小.     

ZnSe单晶的生长及其激子光谱

本文描述了甩升华法生长ZnSe单晶的生长情况和晶体品质。为了获得高纯高完整性单晶,由高纯Zn和Se反应合成了ZnSe,设计了特殊形状的成核室,保证了在一个晶核上单晶的生长;同时在生长过程中控制组分分压,减小了化学计量比的偏差。通过偏光显微镜的观察和He-Ne激光散射的形貌分析表明,在生长速率小于0.5(毫米/天)情况下,在块状单晶体中观察不到生长带纹的条纹,但观察到位错缺陷。在液氦温度的光致发光光谱中首次观察到强的自由激子光谱和激子激发态的光谱;观察到典型的反射光谱和精细的束缚激子谱线,没有观察到2.4eV以下的深能级发光谱带。这些结果表明单晶的纯度和完整性是良好的。     

三硼酸锂晶体中负晶的观察

采用光学显微镜、X射线形貌术以及激光散射层析等方法,对新型非线性光学材料三硼酸锂晶体中的一种特殊的包裹体——负晶进行观测和研究,揭示了它的本质和组成,探讨了它的形成机理。 关键词：     

ZnWO4:Cr3+晶体的光谱

采用提拉法生长出不同掺杂浓度的ZnWO4:Cr3+单晶.该材料在912nm处形成宽带荧光发射.激发峰随掺杂浓度的加大而向短波方向移动.在发射带晶体的吸收低,有可能作为在800-1000nm可调谐激光工作介质.     

RExPr1-xP5O14晶体生长及其光谱

水热法生长了RExPr1-xP5O14单品,RE=La,Ce,Nd,Eu,Gd,Yb,Tm,Y,(x=0.1)单晶的最大线度为2cm。我们研究了原料的合成,观察了吸收,荧光,红外光谱,并计算了22400～16380cm-1范围内的Pr3+离子的振子强度。热重分析观察到在867～930℃有弱的分解。X射线衍射分析指出:结构为单斜晶系,空间群为P21/C;晶胞参数为a=8.73Å,b=9.04Å,c=13.02Å,β=90.5°     

钡钇氟化物中Eu2+离子的激发光谱和发射光谱

在298和77K下分别研究BaYF5(BaF2·YF3)中Eu2+的激发和发射光谱。Eu2+的发射光谱中,除了一个属5d-4f跃迁的宽发射带外,还有一组6PJ→8S7/2的4f-4f跃迁窄谱线发射。它们的发射强度与Eu2+的浓度和温度有关。由於Eu2+从4f7基态跃迁到4f65d1态产生两个宽的激发带,4f65d(eg)和4f65d(t2g)。实验证实,Eu2+的6PJ→8S7/2的窄谱线发射主要来自高能级的t2g激发能弛豫的结果。     

YAlO3：（Nd^3＋,Lu^3＋）单晶的各向异性吸收光谱

在室温下测量了ＹＡｌＯ３：（Ｎｄ＾３＋，Ｌｕ＾３＋）单昌三个晶轴方向的吸收光谱。其吸收谱带强度明显呈各向异生。将Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论加以修正，并扩展应用于处理各晶轴方向的吸收光谱。     

BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究

从声子-电磁激元频率色散关系的普遍公式出发,推导出了单轴晶体的Merten方程和电磁激元的频率色散关系。测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体的简正模和斜声子的喇曼散射谱,并根据Merten方程,拟合出了斜声子的方向色散曲线;记录了A₁类电磁激元在不同波矢值下的喇曼谱,观察到其频率色散现象.根据以上结果,对A₁(TO)模喇曼谱中两个宽的非对称峰的归属和BaTiO₃晶体的结构相变机制进行了讨论;计算出了这两种晶体的受夹介电常数;分析了掺Ce对BaTiO₃晶体结构的影响。 关键词：     

硅单晶中铜沉淀物的几何形态

本文利用红外显微镜和化学浸蚀的方法,研究了硅单晶中铜沉淀物的几何形态。实验表明,用红外显微镜观察到的各种形态的沉淀物是由{110}面上的片状沉淀组成的,样品的性质对它的形态没有影响。 关键词：     

INFLUENCE OF HIGH PRESSURE ON EMISSION SPECTRA AND CRYSTAL FIELD STRENGTH FOR Eu3+ IN GdOBr

The emission spectra of the Eu³⁺ion in GdOBr∶Eu³⁺ were measured in the range of pressure from 0 GPa to 12.4 GPa. The energy level schemes establis hed from the spectra show that the splittings of the ⁷F₁,⁷F₃ and ⁵D₁ multiplets decrease obviously with increasing pressure. The crystal-field parameters B^k_q and the crystal-field strength parameter S versusB^k_q were determined at different pressures. With pressurization S reduces and theJ-mixings of the state functions for the Eu³⁺ ion decrease, which is in agreement with the decrease of the multiplet splittings. This shows that for Eu³⁺ in REOX∶Eu³⁺ the diminution of the crystal-field strength with pressure, the authenticity of which is under suspicion for several years, is certain.