掺杂聚合物蓝绿发光二极管

本文报道了用有机染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３分散到聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）中的掺杂聚合物作为有源层制作的蓝绿发光二极管（ＬＥＤ），聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备．ＩＴＯ／Ａｌｑ３：ＰＶＫ／Ａｌ器件在正向偏压为６Ｖ时可以看到蓝绿发光，峰值波长为５１０ｎｍ，最大亮度为１６８ｃｄ／ｍ２．     

发射偏振光的聚合物发光二极管

发射偏振光的聚合物发光二极管最近用聚合物基器件已首次从发光二极管获得偏振光。这种发光二极管由夹在玻璃衬底两薄膜电极之间的拉伸取代聚噻吩薄膜构成（见下图）。当电流通过聚合物薄膜时，聚合物材料便发光，产生偏振光输出。本研究在Ｏ，Ｉｎ－ｇａｎａｓ指导下由瑞...     

聚合物发光二极管矩阵显示器

介绍聚合物发光二极管(poly-LED)矩阵显示器的发展历史、结构、原理及降低功耗的方法.最后介绍有源矩阵poly-LED显示器的制作工艺和驱动方法.     

有机／聚合物双异质结发光二极管

报道了用有机／聚合物薄膜材料制备的双异质结发光二极管。器件结构为：玻璃衬底／ＩＴＯ／ＰＶＫ／ＡｌｑＰＢＤ／Ａｌｑ３／Ａｌ电极。在这种结构器件中，电子和空穴分别从Ａｌ负电极和ＩＴＯ正电极中注入，产在ＰＢＤ及ＰＶＫ中传输注入到Ａｌｑ３发光层中。器件在正向偏压为４Ｖ时有绿色光输出；在正向偏压为１０Ｖ，最大亮度可达３０００ｃｄ／ｍ＾２以上。经光谱测试，电致发光峰值波长为５２３ｎｍ。     

采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管

为了得到高对比度的聚合物发光二极管（PLED）．设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为：CrOx／Cr／1TO／Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配．以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14．7：1．这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果，对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。     

有机小分子掺杂的聚合物共混发光二极管

报道了用可溶性发光材料聚（２,５－二丁氧基苯）做发光材料,分别与母体聚合物聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）和聚甲基丙烯酸甲脂（ＰＭＭＡ）共混,并掺杂电子传输材料叔丁基联苯基苯基口恶二唑和空穴传输材料二胺衍生物作发光层,用铟锡氧化物和铝分别作正负电极,制作了两种蓝紫光有机／聚合物单层发光器件。通过比较两种器件的器件特性,发现以ＰＭＭＡ做母体的器件比用ＰＶＫ做母体的器件有更好的稳定性,器件开启电压为１０Ｖ左右,发光峰值波长均位于４２４ｎｍ,电致发光效率可达２．９％,比用ＰＶＫ做母体的器件效率高一倍多。     

半导体聚合物激光器的建立

广泛研究过去十年大量研究致力于实现显示用的薄膜发光塑料及其他有机材料。这些研究是由可悬挂平板式或旋转式大型、灵活和廉价的屏幕显示引发的。在这种塑料基技术取得惊人发展的同时，过去几年中明显缺少一种显而易见的应用，即激光器。世界许多研究者都曾认为，这类材料因其存在固有的问题不可能发射激光。因为处于两相邻聚合物链上的电荷（链间光极化子对污1起光感生吸收。也有人认为，这种光极化子对的形成是这种材料所固有的，因此产生吸收不可避免。深入研究表明，这种吸收很大，足以遮盖由聚合物产生的任何增益（放大），因此似乎…     

注入型多孔硅基发光二极管的研究进展

主要评述了Schottky结和PN结多孔硅基发光二极管的结构和性能及其研究进展。讨论了器件界面态对其性能的影响。最后分析了目前器件研究中存在的亟需解决的问题以及解决方法。     

高性能的稳功率、准直半导体激光发射头

介绍一套实用的半导体激光发射头,其激光功率稳定、准直光束发散角仅为0.2 m rad、调制频率最高可达100 MHz,并具有可靠的保护线路。     

半导体激光多普勒测速装置

介绍了采用半导体激光器为光源、PIN管为光电接收器的小型多普勒测速装置,为多普勒测速仪向便携式发展开辟了途径。     

瓦级半导体激光器光束整形装置

介绍了一种采用光束远场发散角分割的方法 ,利用已有专利的微片棱镜堆光束整形器 ,对瓦级半导体激光器光束整形 ,该装置由半导体激光器、微柱透镜、柱面透镜、微片棱镜堆、聚焦系统和光纤组成 ,该方法可在一定程度上改善整形效果 ,具有结构简单、加工和装配容易的优点     

红光半导体激光器的发展及其应用

本文简明介绍了红光半导体激光器的发展及其应用范围,说明了它在激光工业中的重要性。     

大功率激光二极管的精密恒温制冷系统

介绍了一种大功率激光二极管的精密恒温制冷系统,利用半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和精密温控,构成全固态制冷系统。本系统使用ＰＣ机作为控制平台,采用自整定ＰＩＤ算法,人机界面友好,控制精度高,温控精度可达±０．１℃,激光二极管输出光功率波动峰峰值小于１．５‰。     

激光二极管抽运下的祖母绿晶体自由运转激光器

报道了温差水热法生长的祖母绿晶体在660 nm激光二极管(LD)抽运下的激光实验结果。根据祖母绿晶体的光学特点和生长情况,加工了长度分别为10.5 mm和3.4 mm的两种激光棒,并分别进行了激光实验。当激光二极管输入功率为2.68 W时,在平凹腔中祖母绿晶体分别实现了2.7 mW和24 mW的731 nm红外激光的自由输出,其中长度3.4 mm激光晶体的光-光转换效率为1.4%,斜率效率为11.9%,激光阈值在0.7 W附近,并分析讨论了效率低的原因。     

蓝光激光二极管抽运Pr:YLF绿光激光器

报道了蓝光激光二极管抽运的掺镨氟化钇锂(Pr:YLF)固体绿光激光器。采用长度5mm、掺杂离子数分数为0.5%的Pr:YLF晶体作为激光增益介质,在中心波长444nm的蓝光激光二极管抽运下,获得波长522.4nm的连续绿光激光输出。应用不同透射率的输出耦合镜研究了激光器的输入输出特性。在吸收抽运光功率530mW,输出镜透射率为1.9%时获得最大输出功率为90.1mW,斜率效率达到65.3%。     

半导体泵浦固体激光器在激光加工中的应用

介绍了激光加工的优点和对激光器输出参数的要求，对固体激光器中发展最活跃的半导体泵浦全固体激光器进行了分析。在对当前的几种主要结构比较后，指出盘形激光器和光纤激光器将在未来的激光加工中发挥更大的作用。     

用于激光原子囚禁的二极管激光器的稳频和移频

用饱和吸收光谱法对二极管激光器进行了稳频,使得激光器的等效线宽小于1～MHz,并利用声光调制器使激光的频移量得到控制,能满足激光冷却与囚禁原子对激光频率稳定性和频移量的要求,实现了Rb原子的激光囚禁。