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硅光电二极管陷阱辐射定标研究 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍CryoRadl低温绝对辐射计(HACR),给出通过激光功率控制器(LPC)调制过的He-Ne激光对所研制的Si光电二极管陷阱探测系统进行定标的实验及结果分析 相似文献
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通过引入具有类电磁诱导透明效应的超材料,非对称光子晶体谐振腔的透射特性得到了极大的优化,包括透射峰的品质因子和谐振腔模所对应的电磁场强度.品质因子的提高与非对称场强局域的增强有利于高性能电磁二极管的实现.我们在引入非线性材料的微带波导系统中验证了该方案.实验结果显示,此二极管在1.329 GHz的工作频率下可产生高达19.7 dB的透射对比度,同时输入功率强度仅为7 dBm.此外,我们提出的方案并没有大幅增加器件体积和剧烈降低信号透过率.这些特性的亚波长尺度实现将有益于集成光学回路的小型化. 相似文献
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基于真空二极管设计了一种X波段大功率微波检波器,该检波器主要由真空二极管、BJ-100波导、调谐螺栓、低通滤波器和直流电源组成,其工作频率可根据需要在8.6~9.8GHz范围内调谐。重点阐述该型大功率微波检波器的结构设计、实验室标定及辐射场测量实验结果,研究了不同脉宽和不同灯丝电压与检波特性的依赖关系。实验结果表明:该型检波器具有承受微波脉冲功率高(大于7kW)、响应快(响应时间小于2.0ns)、动态范围大、输出信号幅度高(可达数十V)、不需要同步信号等特点,适用于在高功率微波干扰环境下的单次和高重复频率脉冲功率测量。 相似文献
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基于真空二极管设计了一种X波段大功率微波检波器,该检波器主要由真空二极管、BJ-100波导、调谐螺栓、低通滤波器和直流电源组成,其工作频率可根据需要在8.6~9.8 GHz范围内调谐。重点阐述该型大功率微波检波器的结构设计、实验室标定及辐射场测量实验结果,研究了不同脉宽和不同灯丝电压与检波特性的依赖关系。实验结果表明:该型检波器具有承受微波脉冲功率高(大于7 kW)、响应快(响应时间小于2.0 ns)、动态范围大、输出信号幅度高(可达数十V)、不需要同步信号等特点,适用于在高功率微波干扰环境下的单次和高重复频率脉冲功率测量。 相似文献
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主要给出了波导型的X波段大功率微波探测器的结构、标定方法和标定结果。该新型大功率微波探测器具有承受微波峰值功率高(可达100 kW),时间响应快(响应时间小于2.0 ns),不需要同步信号,抗干扰能力强等特点。根据不同的需要,可以制作成波导型和同轴型的大功率微波探测器。波导型探测器由热离子二极管、标准波导、滤波器和外电路组成,其工作频率范围为波导的工作频率范围;而同轴型探测器由热离子二极管、同轴波导,滤波器和外电路组成,可以宽带使用。标定结果表明该探测器很适合高功率微波峰值功率测量,尤其是在强电磁干扰环境和高重频微波脉冲条件下的测量,为解决功率测量不准的技术难题提供一种有效的技术手段。 相似文献
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主要给出了波导型的X波段大功率微波探测器的结构、标定方法和标定结果。该新型大功率微波探测器具有承受微波峰值功率高(可达100 kW),时间响应快(响应时间小于2.0 ns),不需要同步信号,抗干扰能力强等特点。根据不同的需要,可以制作成波导型和同轴型的大功率微波探测器。波导型探测器由热离子二极管、标准波导、滤波器和外电路组成,其工作频率范围为波导的工作频率范围;而同轴型探测器由热离子二极管、同轴波导,滤波器和外电路组成,可以宽带使用。标定结果表明该探测器很适合高功率微波峰值功率测量,尤其是在强电磁干扰环境和高重频微波脉冲条件下的测量,为解决功率测量不准的技术难题提供一种有效的技术手段。 相似文献
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电桥法测二极管的伏安特性 总被引:1,自引:0,他引:1
电桥法测二极管的伏安特性高伟(安徽芜湖师专物理系241008)电桥法测电阻一种是公认的较精确地测量电阻的方法.本文介绍利用电桥平衡原理测量二极管的伏安特性的电路,能明显提高测量的准确度.一、羽量电路原理二极管伏安特性的坝量是普通物理学的基础实验之一,... 相似文献
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提出了一种基于六角格子光子晶体波导微腔和Fabry-Perot(FP)腔非对称耦合的全光二极管结构, 它由一个包含非线性Kerr介质的高Q值微腔与一个光子晶体波导中的FP腔组成. 通过有限时域差分方法对其传输特性进行了仿真, 发现通过两腔的非对称耦合可以实现在特定光强度下的正向传输、反向截止的功能. 在靠近微腔方向光入射时, 特定强度的光可以激发非线性微腔的Kerr效应, 改变了Fano腔的共振频率, 从而变成透射状态. 而远离微腔方向光入射, 由于这个不对称的结构造成场局域的分布不对称, 激发微腔Kerr效应的光强还不够, 所以光不能透射. 所设计的全光二极管结构具有良好的性能参数: 最大透射率高和高透射比、光强阈值低和易于集成等. 相似文献
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在室温下测量了GdoBr:Eu的常压和高压荧光谱,光谱范围在13 000~21 500 cm-1之间,压力至12 GPa。由光谱数据得到了Eu3+晶场能级随压力的变化曲线。7F0~5能级随压力的变化规律比较复杂,而5D0~2各能均随压力的升高几乎线性地降低。在基态谱项7F的49个状态上进行了晶场拟合计算,所得常压下的5个非零晶场参数分别为:B02=-1 124.0 cm-1,B04=-969.6 cm-1,B44=827.9 cm-1,B06=889.6 cm-1,B46=377.0 cm-1。高压下的计算结果表明,B04、B06这两个晶场参数随压力的增加而增大,B46随压力的增加而减小,而B02、B44随压力的变化有些起伏。晶场强度在8 GPa以下随压力增加而减小,其后开始变强。 相似文献
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介绍一种应用电光晶体补偿位相测量微小位移的方法,着重分析其测量精度,并应用这种方法校正压电陶瓷的线性,精度优于1%波长。 相似文献
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用微扰法研究了两端接地型蓝宝石介质谐振器测量高温超导薄膜微波表面电阻RS的误差与几何结构和工作频率的关系.结果表明,介质柱直径与高度之比2a/L,金属屏蔽腔内半径与介质柱半径之比b/a以及工作频率f对测量误差和最小可测表面电阻Rsmin有很大影响.所得到的曲线可用于蓝宝石介质谐振器的设计中.结果还表明,适当选取2a/L,b/a与f可使测量误差接近于1%,最小可测表面电阻Rsmin可达到微欧姆的数量级.这对于高温超导薄膜的检测和微波器件应用说
关键词:
介质谐振器
高温超导薄膜
微波表面电阻
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