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本文报道Ti扩散LiNbO_3光波导中四种直角配置的喇曼散射光谱。实验中,我们观测到了在这些配置下异常的喇曼光谱现象。这一现象可归结为光波导中入射光TE/TM模式的变换行为。 相似文献
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双折射光纤受激喇曼散射的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细地研究了双折射光纤的受激喇曼散射.观测到9级斯托克斯受激喇曼谱.文中讨论和测试了阈值和频移与泵浦光偏振方向间的关系;当泵浦光偏振方向与光纤椭圆核的长轴或短轴平行时的传输损耗.并根据测得的阈值在理论上计算了各级斯托克斯线的喇曼增益系数. 相似文献
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利用U(5)群链描述三原子分子振转谱的对称性质,并用群论方法计算了CO_2分子喇曼散射的跃迁矩阵元,给出了它的振动与转动喇曼散射截面.结果与实验较好地符合. 相似文献
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本文采用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器输出10ps脉冲串,经KTP非线性晶体腔外倍频,泵浦喇曼介质为二甲亚砜(DMSO)液体。实验研究了不同透镜焦长,焦点位置不及不同喇曼介质长度对瞬态受激喇曼散射的影响,获得了能量转换效率分别为45.6%和10.5%的前,后和同阶斯托克斯-喇曼射光,,并以实验结果进行了讨论。 相似文献
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本文采用非稳腔输出的XeCl准分子激光,首次观察到高压氢高激发态之间的受激喇曼散射,并讨论了它们产生的条件. 相似文献
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本文主要研究表面极化声子的喇曼散射.在探测表面极化声子的衰减全反射方法以及喇曼散射方法的基础上,借鉴了Kretchmann配置的衰减全反射喇曼散射法,提出了Otto配置的衰减全反射喇曼散射法,并以CaF_2单晶体为样品做了一系列实验.同时,本文利用了能量守恒及平行于样品表面的能量守恒关系,利用了格林函数或响应函数所推出的表面极化声子的一般频散关系,理论上给出了CaF_2-空气表面极化声子的一个唯象的频散关系.实验上用特定设计制做的一个样品架对CaF_2样品测定了它与空气界面上的表面极化声子的频散关系,比较结果,理论与实验取得了比较令人满意的一致. 相似文献
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本文报道了在室温下BaTiO3及BaTiO3:Ce的拉曼谱的特点,着重讨论了前向散射配置下两个1I(TO)模(位于275cm-1和516cm-1左右)出现在A1(TO)谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在BaTiO3的前向散射谱中扣除了背向散射信号后,两个宽峰基本减掉,而掺Ce后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在BaTiO3扣除背向散射后的谱中,还首次观察到一个位于492cm-1的峰。掺Ce后晶体的吸收曲线有很大变化,本文还讨论了吸收对散射强度的影响。 相似文献
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本文测量了受激Raman散射(SRS)(又称Stokes光)能量及等离子体尺度的依赖关系,揭示了SRS产生的条件及演变的规律。证明在黑洞靶中SRS是产生超热电子的主要机制。较好地测量了波长1.053μm激光在1.2~2.1μm波段范围内产生的SRS光谱及在0.72~0.78μm波段范围内产生的Anti-Stokes光谱。由SRS谱的短波截止推算出等离子体的电子温度为1.35keV。由谱的分布推算出SRS主要产生在0.07~0.15临界密度范围内(波长1.053μm激光的临界密度为1×10^(21)/cm^3)。 相似文献
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对逐层腐蚀的GaAs/Si材料进行喇曼散射实验,研究晶格振动声子谱沿外延生长方向的剖面分布,发现GaAs外延层从表面到界面经历着从双轴张应力到双轴压应力的变化。用Anastassakis等人提出的特殊相关模型对GaAsLO声子的谱形进行分析,发现GaAs外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄(从1μm—500?)是渐渐退化的,这是由于界面失配位错进入外延层所致。对GaAs LO声子与TO声子强度之比分析表明:外延层厚度从3.3μm变化到1μm左右时,其晶体质量并不是简单地随着厚度的减薄而退化,在1.3μm左右外延层晶体质量反而变好。对这种现象做了详细的讨论。
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光纤背向激光自发喇曼散射的温度效应研究 总被引:10,自引:1,他引:10
从理论和实验上研究了光纤背向激光自发喇曼散射的温度效应.光纤背向激光自发反斯托克斯喇曼散射、斯托克斯喇曼散射光的相对强度正比于光纤分子上、下能级粒子数的布居,依赖于温度.由于实际系统中,作为分光用的干涉滤光片不可能完全隔离背向瑞利散射光,因此,实际系统温度曲线比理论曲线低,本文给出了理论修正公式,提出了附加修正项,它与隔离度和波长有关. 相似文献
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