强迫布鲁塞尔振子奇异吸引子的柯尔莫哥洛夫容量和李雅普诺夫维数

本文用周期采样降低吸引子维数的办法,计算和讨论了强迫布鲁塞尔振子的几种典型吸引子的柯尔莫哥洛夫容量d_C和李雅普诺夫维数d_L。结果表明,人们关于d_C和d_L关系的推测是正确的。这些推测是:当最大李雅普诺夫指数λ₁>0时d_C=d_L关系成立,当λ₁=0时d_C=d_L关系不一定成立。文中指出和论证了强迫布鲁塞尔振子的Runge-Kutta差分方程使上述算法给出的d_C不收敛的原因和克服办法。文中还指出:可能是类似的微分方程的差分化的原因,使得用单个观察量的时间系列来计算容量的办法遇到了发散困难。 关键词：     

吸引子维数的数值计算

对自冶的强迫布鲁塞尔振子采用Poincare截面方法,把吸引子维数计算中涉及的相空间降低一维。这样就可能在内存较小的计算机上计算柯尔莫哥洛夫容量d_c,并且也方便了李雅普诺夫维数d_L的计算。在计算d_c时,使用不断含并小格子的办法,在只解一次微分方程的情况下,可同时得到一组不同ε的含有点集元素的小格子数N(ε)。这样做,既节省机器时间,也节省了内存。本文着重讨论数值计算中遇到的方法和技巧问题。     

碱土氟化物离子晶体中点缺陷形成能计算

基于以前通过经验参数化途径得到的碱土氟化物电子壳模型参数和离子间互作用势参数,计算了CaF₂,SrF₂和BaF₂晶体中点缺陷形成能．计算并对比了SrF₂和BaF₂的声子色散曲线与非弹性中子散射实验数据,再一次复验了经验参数集的质量. 关键词：     

Ar-H2(D2, T2)碰撞体系的振转相互作用势及散射截面的理论计算

用量子力学从头算的耦合族CCSD(T)方法, 使用相关一致基组aug-cc-pV5Z并加3s3p2d1f1g高斯键函数计算了Ar原子与H₂分子的振转相互作用和电荷分布, 采用Boys和Bernardi提出的均衡法消除了基组重叠误差(BSSE). 然后用Tang-Toennies势能函数拟合得到Ar-H₂体系相互作用势的解析表达式. 在该相互作用势下, 用密耦方法计算了Ar原子入射能量为83 meV时, Ar-H₂(D₂, T₂)碰撞体系的散射截面. 计算Ar-D₂体系的微分截面与实验值比较符合很好. 计算结果及分析表明, 在长程吸引势的散射中, 色散能起主要作用; 在短程排斥势的散射中, 交换能起重要作用. 当碰撞参数在0.27 nm至0.47 nm的范围时, Ar-H₂(D₂, T₂)碰撞体系的径向偶极发生两次转向.     

螺旋桨鸣音的混沌动力特性研究

利用混沌动力学方法研究螺旋桨鸣音信号时间序列,估计时间序列的相空间重构最佳参数,并提出其具有混沌动力特性,分析了系统拓扑维数的边界和生成系统所必须独立变量的个数,还计算分析了重构相空间中吸引子轨迹随时间演化的发散情况。分析计算结果表明:螺旋桨鸣音信号时间序列可以选取最佳延迟时间t_D=1、最小嵌入维数d_E=8进行相空间重构,其混沌吸引子的关联维数为5.1579、最大Lyapunov指数为0.0771,此研究结果可以为螺旋桨鸣音现象的进一步研究提供理论基础。      

EAST装置低杂波电流驱动效率分析

在EAST上通过分析剩余环电压与低杂波功率之间的关系,计算得到了低杂波电流驱动效率。采用归一化功率,即功率对等离子体电流、电子密度、等离子体大半径以及有效电荷数归一化,将所有数据绘制在同一曲线中,这样可以得到不同等离子体参数下的低杂波电流驱动效率。实验得到低杂波电流驱动效率η₀=(0.5~1.3)×10¹⁹ A.m^-2.W^-1,在等离子体电流I_p=277kA、低杂波功率P_LH=681kW条件下,实验得到长达3s的低杂波全波驱动。     

β型烧绿石结构氧化物超导体$lt;i$gt;A$lt;/i$gt;Os$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;O$lt;sub$gt;6$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;A$lt;/i$gt;=K,Rb,Cs)电子能带结构的第一性原理计算

用全势线性缀加平面波方法计算β型烧绿石结构氧化物超导体AOs₂O₆ （A=K,Rb,Cs）的电子能带结构及态密度.计算发现电子自旋轨道耦合和在位库仑势U的作用增大了费米面处态密度值.通过计算还得到这三种化合物电子关联常数λ_c分别为1.55,1.12和0.73.由实验测量与能带计算得到的电子比热容系数的比值得到电子质量提高参数.通过分析这三种化合物电子质量提高参数,推算出它们的电声子耦合常数λ_ep分别为1.56,0.78和1.08.由此提出KOs₂O₆为强电子关联和强电声子耦合系统,而RbOs₂O₆和CsOs₂O₆的电子关联性与电声子耦合为中等. 关键词： β型烧绿石超导体 能带结构 电子关联 电声子耦合     

阳离子对Er3+掺杂硼酸盐玻璃结构和发光特性的影响

针对Si/Al掺杂量增大使BaO-(1-x)SiO₂-xAl₂O₃-B₂O₃-0.005Er³⁺(x=0,0.5,1,摩尔分数)玻璃样品的1 540 nm红外发光和540 nm上转换发光强度呈现相反的变化趋势,讨论了阳离子掺杂对稀土离子周边对称性和电负性变化与荧光行为的内在关系。红外傅里叶透射光谱显示,不同掺杂浓度下样品的最大声子能量没有明显变化,说明光谱随掺杂浓度的变化与玻璃体系的最大声子能量无关。根据Judd-Ofelt理论计算了⁴I_13/2和⁴S_3/2能级的光学参数,通过比较两能级的跃迁几率(A)、寿命(τ)、荧光分支比(β)和受激发射截面(σ)等光学参数,发现⁴I_13/2能级和⁴S_3/2能级的相关参数呈现相反的趋势。最后测试了样品⁴I_13/2能级下1 540 nm的寿命,进一步从电负性角度考虑了样品的发光效率。理论计算和实验结果相符。     

六方系InAlGaN晶体的长波长光学声子研究

利用拉曼散射实验方法对六方系InAlGaN晶体的光学声子进行了测量,同时利用修正随机元素同向位移模型对其光学声子与组分的关系进行了理论模拟。结果表明InAlGaN晶体的E₁与A₁光学声子分支都表现为单模行为,测量得到的In_xGa_0.45-xAl_0.55N晶体的A₁(LO)声子与计算结果一致。对In_xAl_0.42-xGa_0.58N晶体的A₁(LO)声子的计算结果与Cros的测量结果进行了对比,两者也相符。     

GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d₀,d₃₀,d₁₀(val)和d₁₀(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d₀的计算结果与实验结果的比 关键词：     

PbTiO3铁电相及顺电相的声子色散理论计算

用统一的、参数物理意义明确的刚性离子模型研究了铁电体PbTiO₃铁电相和顺电相的声子色散关系和布里渊区中心有关相变的振动模,用比以往计算少得多的参数得到了比较好的结果,并提出了研究软模的简化模型构想. 关键词： 3')" href="#">PbTiO₃ 刚性离子模型 Born-Mayer势 声子色散     

考虑胶子质量的重夸克偶素位模型

本文是一种尝试,假定胶子具有一有效质量μ,在重夸克偶素位模型中,唯象地计及胶子的质量效应,得到一个新的有效位势V_eff=-4/3α_s(e^-μγ)/γ十(g_v+g_s)γ十V₀。从这一位势模型出发,推导了Breit-Fermi项,给出了质量计算公式,并通过数值解薛定谔方程,利用多因素优选法分别对μ=0.8GeV和μ=0.4GeV选出一组最优参数,用这两组参数分别计算了J/φ家族和 关键词：     

LiNH2 的晶格动力学、介电性质和热力学性质第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,在局域密度近似下采用线性响应的密度泛函微扰理论计算了LiNH₂的晶格动力学、介电性质和热力学性质,得到了布里渊区高对称方向上的声子色散曲线和相应的声子态密度,分析了 LiNH₂的红外和拉曼活性声子频率,同时给出它的介电张量和玻恩有效电荷张量. 研究表明,LiNH₂存在小的各向异性,计算所得结果与实验值和其他理论值符合较好.最后,利用得到的声子态密度进一步预测了LiNH₂的热力学性质 关键词： 密度泛函理论 晶格动力学 热力学性质 第一性原理计算     

磁场对石墨烯中弱耦合极化子性质的影响

研究了磁场作用下石墨烯中电子与表面光学声子弱耦合情况下的极化子的性质。采用线性组合算符和Pekar变分法分别推导出了石墨烯中弱耦合极化子的基态能量E₀、第一激发态能量E₁和跃迁频率ω随磁场强度B和德拜截止波数k_d之间的变化关系。数值计算结果表明,极化子的基态能量E₀随磁场强度B变化的曲线（k_d一定时）和E₀随k_d的变化曲线（B一定时）均会分裂成对称的两条,并且当B一定时E₀的绝对值随k_d的增加而增加。在k_d一定时,极化子的第一激发态能量E₁和跃迁频率ω均为磁场B的增函数;在B一定时,E₁和ω均随k_d的增加而增大。     

扰动对一维局域模的影响

在紧束缚模型基础上，考虑到缺陷、温度、掺杂等外界因素的影响，用方形随机分布模拟了格点原子扰动对一维局域模的影响.给出了不同扰动参数σ下，孤子和极化子中各个局域模的变化情况.计算发现，由于孤子g₁模的钉扎效应，扰动后，弱模g₄定域性会得到加强，还会产生两个新定域模g′₁和g′₂，它们与相应的g₁和g₂模有相同的节点和宇称 ；极化子的g₇模在畸变较大时将 关键词： 扰动 局域模 聚合物     

基于垂直磁场压缩的EAST等离子体初步研究

基于等离子体参数随大半径/小半径变化的规律,分析了电流平顶段垂直磁场与相关等离子体参数的关系。垂直磁场的非线性部分用于分析非感应电流驱动效应,包括自举电流效应。此外,对于给定的等离子体电流,推导了平顶段垂直磁场与线平均密度之间的关系,并进一步研究压缩后的等离子体。基于EAST第41195次放电的数据分析表明,垂直磁场强度的增大可以使得等离子体温度、密度、β_p和自举电流份额获得提升,为等离子体参数高参数,特别是β_p提供了一种可能性参考。     

用局域密度泛函线性丸盒轨道原子球近似超元胞法计算(Ba1-xKx)BiO3的Hopfield常数与Tc随组分x的变化

用局域密度泛函线性丸盒轨道原子球近似(LDF-LMTO-ASA)超元胞法计算(Ba_1-xK_x)BiO₃特定组分x的电子结构,其中x=0.0,0.5,1.0三种组分由扩大1倍的元胞计算;x=0.25和0.75两种组分由扩大4倍的元胞计算,所得能带参数总态密度TDOS(E_F)、分波态密度PDOS(E_F)以及自洽晶体势V^t(r),结合由实验测定的Θ_D≈210K,按McMillan强耦合公式以及Gaspari-Gyorffy近似,分别计算各原子的Hopfield常数η_t,电声子耦合常数λ以及超导转变温度T_c随组分x的变化。计算结果λ≈1而T_c最大约10K,且随x变化缓慢。与实验结果对比似乎暗示,在(Ba_1-xK_x)BiO₃中除电声子机制外,随组分变化的复杂结构相变亦将起重要的作用。 关键词：     

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（n-MOSFET）软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压V_g范围内，软击穿后的栅电流I_g符合Fowl er-Nordheim隧穿公式，但室温下隧穿势垒_b的平均值仅为0936eV，远小于S i/Si O₂界面的势垒高度315eV.研究表明，软击穿后，处于Si/SiO₂界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带，而是隧穿到氧化层内的缺陷带上._b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关；高温下，激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致_b逐 渐降低. 关键词： 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层     

YAlO3:Nd3+的子能级R1和R2的热移位

实验测定了YAlO₃:Nd³⁺的子能级R₁,R₂的热移位值。研究了单声子项中积分主值的行为,并计入光频支项对子能级热移位的贡献。用包含Raman项、单声子顶、光频支项的公式拟合计算子能级R₁,R₂的热移位,拟合计算值与实验值符合得很好。 关键词：     

HL-2A装置高βN双输运垒实验的集成分析

HL-2A托卡马克装置在中性束加热条件下获得了稳定的归一化环向比压(β_N)大于2.5的等离子体,并且实现了瞬态β_N=3.05、归一化密度(n_e,1/n_e,G)～0.6、储能(W_E)～46 kJ和高约束因子(H₉₈)～1.65的高约束性能.本文使用集成模拟平台OMFIT对βN=2.83和βN=3.05时刻的等离子体进行了集成模拟,计算得到的W_E,n_e,1/n_e,G,H₉₈和β_N等与实验参数基本一致,并通过计算发现两种情况下自举电流份额(f_BS)分别约达到45%和46%.此外,还进一步分析了HL-2A装置形成离子温度内部输运垒(ITB)的原因:快离子和E×B剪切流使得芯部湍流输运被抑制,改善了约束,从而形成了离子温度ITB.离子温度的ITB与H模边缘输运垒相互协同形成了高β_N的等离子体.