量子点尺寸对硒化银及其石墨烯复合物光学非线性的影响

为探明量子点尺寸对硒化银量子点(Ag₂SeQDs)及其与石墨烯复合材料(GAS)非线性光学性质的影响,本文采用简单的化学方法,分别制备了尺寸为4.2～16.9 nm的Ag₂SeQDs,以及10.3～30.0 nm的Ag₂SeQDs/石墨烯复合材料(GAS),采用XRD、Raman、FTIR及TEM等手段表征了所制样品的结构与形貌.采用单光束Z-扫描技术,以波长为532 nm、脉宽为30 ps、重复频率为10 Hz的激光为照射光源,测量了各样品在开孔和闭孔条件下的归一化透过率,计算得到了它们的非线性吸收和非线性折射等系数.结果表明,Ag₂SeQDs具有双光子吸收和正的非线性折射性质,且双光子吸收和非线性折射系数随着量子尺寸的减小而增大;复合材料GAS具有饱和吸收和正的非线性折射性质,且相比单体石墨烯得到显著增强,增强因子随Ag₂SeQDs尺寸的减小而减小.分别采用双带近似模型及电荷转移机制,对Ag₂SeQDs及GAS材料随量子点尺寸变化的非线性响应进行了理论...     

室温合成硒化银纳米粒子及其X射线光电子能谱表征

在室温下制备了硒化银纳米粒子,本过程选用了新型的还原剂多聚甲醛。所得产物用X射线光电子能谱、X射线粉末衍射和透射电镜进行了表征。     

硒化银-聚丙烯酰胺复合微球的制备

采用反相悬浮聚合法合成了聚丙烯酰胺(PAM)高分子微凝胶,以其为模板,在室温条件下,以硝酸银(AgNO3)作为银源,硒代硫酸钠(Na2SeSO3)作为硒源,通过反胶束法制备得到了具有表面图案化结构的Ag2Se-PAM无机一有机复合微球材料,利用扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)和X射线衍射(XRD)等手段对复合微球的形貌、无机物硒化银的含量和晶形结构等进行了表征.实验结果表明,复合微球的表面结构与硝酸银的初始浓度和表面活性剂的用量有关,随着硝酸银初始浓度的增加,复合微球表面由简单的硒化银颗粒堆积到出现图案化结构;随着表面活性剂用量的增加,复合微球表面形貌趋于粗糙.     

基于KMnO4修饰的硒化镉量子点关-开型荧光探针法测定尿样中的抗坏血酸

本文基于抗坏血酸(ASA)对高锰酸钾修饰的硒化镉量子点(CdSe-GSH QDs)荧光的恢复,建立了用于尿样中ASA测定的关-开型荧光探针法。实验结果表明,在Tris-HCl缓冲溶液(pH=8.6)介质中,荧光恢复值△F与ASA的浓度呈良好的线性关系,相关系数(r)为0.9963,ASA 的检出限为0.06 μmol/L,线性范围为(0.12 - 7.50) μmol/L。方法用于尿样中ASA的测定,RSD在(0.44 - 0.54)%之间,回收率为(98 - 106)%。     

抗坏血酸还原法,室温固相反应制备纳米硒

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为软模板,用抗坏血酸作还原剂还原二氧化硒,利用室温固相反应技术制备了纳米硒,研究了制备反应的影响因素,得到了多种形貌的纳米硒,并用透射电子显微镜,扫描电镜,X射线衍射对产物的大小、形貌及结构进行了表征.     

室温下油水两相界面法制备CdS量子点

室温下,以油酸镉为Cd源、硫代乙酰胺为S源,在环己烷和水两相界面制备出单分散于环己烷的CdS量子点,并针对反应时间、pH值、反应物Cd2+和S2-的浓度比和搅拌速度对其性能的影响做了研究.采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外光谱仪(UV-VIS)和荧光分光光度计(PL)时产物进行了表征.实验结果表明,产物为粒径1.8～2.2nm的立方晶CdS量子点.另外,通过与反转胶束法和水相法的对比,进一步证实此制备方法所得量子点单分散性好和产量高的优势.     

不同前驱体制备CdSe/ZnS量子点及其性能研究

分别使用Na₂SO₃和NaBH₄制备Se的前驱体,进一步合成了两种发射不同波长荧光的CdSe/ZnS量子点。采用X射线衍射、荧光光谱、紫外光谱、透射电镜等表征手段,比较了2种体系制得量子点的性能,并考察了包裹反应时间、反应物配比对性能的影响。结果表明,NaBH₄体系得到的产物纯度更高,量子点粒径更小,且在反应速度和荧光强度两方面均优于Na₂SO₃体系;增加巯基乙酸,CdCl₂·2.5H₂O和NaBH₄的量有助于荧光强度的提高,而Na₂SO₃的量对荧光强度影响不。     

PbSe量子点合成路线的探讨

分别采用超声、TOP和NaBH4等三种方法对PbSe量子点的合成路线进行了实验探讨,用IR、XRD、粒度分析和荧光倒置显微技术对三种合成方法制备得到的量子点进行了表征,总结了各种合成方法的操作要点。     

新的磷-硒环状化合物的合成及其硒化反应

在１,８－二氮双环〔５．４．０〕－７－十一烯存在下,２,４－二叔丁基－６－甲氧基苯膦和硒反应得到一个新的磷－硒环状化合物,研究了该化合物的热反应。它与酰胺反应以较好的产率给出相应的硒代酰胺。     

水相中合成CdTe半导体量子点

用不同修饰剂在水相中合成了CdTe半导体量子点(Quantum Dots,QDs).通过紫外吸收光谱(UV-VIS)、荧光发射光谱(PL)、Zeta电位等方法对制备的样品进行了表征.实验结果表明:选用同一修饰剂,紫外吸收和荧光发射峰随反应时间的延长有明显红移,即粒径在不断长大;选用不同的修饰剂,反应相同的时间,可以得到不同粒径的量子点;合成CdTe量子点的发射谱的平均半峰宽约为50 nm,单分散性很好;以巯基乙酸为修饰剂,反应时间为240 min时,是水相合成CdTe量子点的最佳条件;量子点水溶液的Zeta电位受修饰剂和pH值的影响;水溶性的、带有官能团的量子点适合于进一步的生物应用.     

锗纳米晶体团簇形成的量子点

采用氧化和析出的方法在氧化硅中凝聚生成锗纳米晶体量子点结构。其形成的锗晶体团簇没有突出的棱角和支晶结构,锗晶体团簇的轮廓较圆混,故可以用球形量子点模型来模拟实际的锗晶体团簇。对比了在高温(800℃-1000℃)条件下和在低温(400℃-600℃)用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体结构的PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布。高温条件下生成的锗纳米晶体较小(3nm-4nm),低温用激光照射条件下所生成的锗纳米晶体较大(4nm-5nm);其分布结构显示某些尺寸的锗纳米晶体团簇较稳定(3．32nm、3．54nm、3．76nm、3．98nm、4．17nm、4．35nm和4．62nm等),适当的氧化条件可以得到尺寸分布范围较窄的锗纳米晶体团簇。用量子点受限模型计算了锗纳米晶体团簇的能隙结构,用Monte Carlo方法模拟了PL光谱和对应的锗纳米晶体团簇的尺寸分布,分别与实验结果吻合较好。     

抛物型量子点的非线性光学整流研究

在紧凑密度矩阵方法和迭代法的框架下,从理论上研究了抛物型量子点(QDs)在不同的量子点半径、宽度以及外加电场和磁场下光学整流(OR)系数.在有效质量近似下,计算了量子点中电子的受限波函数和能量.给出了典型GaAs/AlGaAs抛物型量子点的数值结果.通过研究发现,非线性光学整流系数受到量子点的宽度、半径以及电场和磁场的...     

Ge量子点材料的制备工艺研究

采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.     

半导体量子点中双激子的双光子共振吸收

从基本的非线性光学三阶极化率出发,分析半导体量子点中双激子的双光子共振吸收三阶极化率,得到2个入射频率光电场和只有1个入射频率光电场的简并情况下双光子共振吸收三阶极化率,讨论了三阶极化率的实部和虚部在双光子共振频率附近的行为,随着共振频率宽度的增大,三阶极化率的实部和虚部很快减小,三阶极化率敏感地依赖于共振频率宽度的大小.     

玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究

用光致发光激发光(PLE)谱与光吸收谱和光致发光(PL)谱相结合，对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析．PLE谱表明带边激子发光的主要来源是1S3／2-1se和2S3/2-lse能态的电子弛豫，而缺陷态发光的来源除了1S3/2-lse和2S3／2-lse能态的电子弛豫外，还有更高能态的电子弛豫．     

室温离子液体催化肉桂酸甲酯的合成

研究了以苯甲醛为原料,经Perkin反应、甲酯化反应合成肉桂酸甲酯的方法.重点研究了在多种1,3-二烷基咪唑离子液体和适量三氯化铝构成的催化反应体系中的酯化反应,该酯化反应的最佳反应条件为:n肉桂酸 :n甲醇＝1:8 ,催化剂用量2mL,反应温度90～95℃,反应时间6小时,收率可达98.8%.产物和离子液体催化体系不溶而分层,便于分离,且离子液体可以重复使用.     

半导体量子点电调制吸收谱一次微分性质的理论分析

分析在电场作用下半导体量子点的介电响应函数,在弱场近似下得到半导体量子点的电调制吸收谱的一次微分性质。由于量子点的量子约束效应,半导体中的电子能带不复存在,成为一系列离散的能级;通常体材料中的电场调制机制不存在了,在电场作用下,量子点中的量子能级会随电场而改变;激子吸收峰红移,因此电场直接影响到介电函数中的激子能级,使激子能级产生与电场强度有关而与时间无关的移动。这样半导体量子点电调制吸收谱成为一     

玻璃中CdSSe量子点生长实验研究

介绍了玻璃中半导体量子点的生长过程，在620度用不同的生长时间在玻璃中生长了一系列不同尺寸的CdSSe量子点，基于扩散控制的生长过程理论用光吸收谱对该系列量了点的生长特性进行了分析讨论。     

还原性巯基修饰的 CdSe/ZnS 量子点合成及其与人血清白蛋白相互作用的研究

以还原型谷光苷肽为修饰剂,在水相中合成了稳定的核壳结构的 CdSe /ZnS 量子点．采用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究其与人血清白蛋白（HSA）的相互作用,研究表明：CdSe /ZnS 量子点对 HSA 内源荧光的猝灭机制属于形成复合物引起的静态猝灭,28℃时猝灭常数为2．1＆#215;105 Lmol -1,结合常数为2．8＆#215;105,结合位点数为1．0,量子点与 HSA 的结合力为静电作用力,量子点对 HSA 的构型未改变．     

玻璃中量子点之间电子的共振隧穿

在建立玻璃中阻容耦合双量子点模型的基础上,通过分析双量子点的静电能和化学势,讨论了化学势随外加偏压的变化和共振隧穿现象.随外加偏压的增大,当双量子点2个能级的化学势相等时发生共振隧穿现象,在I-V特性曲线上呈现电流峰.玻璃中不同间距的量子点用不同大小的耦合电容来表示.随着玻璃中2个量子点之间耦合电容的增大,2个量子点发生共振隧穿所需要的外加偏压随之增大.