横向塞曼激光器

横向塞曼激光器(TZL)的优异特性是:可同时产生两个垂直偏振的线偏振光,二者之间的频差从几十千赫到几百千赫(取决于磁场强度、谐振腔的各向异性和激活介质的非线性),频差连续可调;具有高的频率稳定度和频率再现度.因此,它在精密干涉计量,晶体旋光性和双折射的检测,多普勒测速等方面有广泛应用前景. TZL的工作原理是基于横向磁场(磁场方向垂直于光的传播方向)下的反常塞曼效应和激光谐振腔的各向异性.原子的发射光谱在磁场作用下发生分裂.在没有谐振腔的作用时,沿光的传播方向可接收到三种线偏振光:　　和　　,它们分别对应于磁量子数之差…     

横向塞曼激光器理论

根据Lamb理论,对横向磁场下任意J值(能级的总角动量)的激光场的振幅和频率方程进行了具体的计算,给出任意J值以及J=1→2的一阶、三阶系数的解析式。作为结果的一个具体应用实例,成功地解释了6328?的He-Ne²⁰横向塞曼激光器的拍频调谐曲线。 关键词：     

峰值稳频横向塞曼He—Ne激光器

本文主要介绍一种峰值稳频横向塞曼He-Ne激光器。实验发现激光器输出相互垂直振动的光拍频频率的最大值对应激光器增益轮廓中心。利用调制的方法将激光器输出激光的频率稳定在增益轮廓中心。与国家计量测试研究院的碘吸收稳频标准激光器拍频,频率稳定度为1×10~(-9)。     

横向塞曼激光器中非线性混频效应的理论

本文应用Lamb半经典理论,采用矢量场模型,研究了横向Zeeman激光介质的高阶非线性效应,计算了该情况下横向Zeeman激光介质的三阶极化强度和光强的解析表达式,从理论上解释了σ与π光差拍畸变以及σ与π光本身的高次谐波现象,给出了发生畸变的物理原因。 关键词：     

半导体激光器塞曼调制稳频的实验对比研究

首先阐述了实现半导体激光器外调制锁频方案的必要性,并针对一种利用塞曼效应进行外调制稳频的实验方案,详细地阐述了其基本思想和实验原理,以及这种稳频方案相对于一般的内调制饱和吸收稳频技术在实验上的差异.本文给出的具体实验参数和实验结果表明,这种方案相对于其他方案可以获得同等好的锁频质量.不仅如此,本文还给出了塞曼调制稳频和电流调制稳频的锁定频率输出的监视对比情况,从对比结果中,我们可以清楚地看到塞曼调制稳频使得激光器锁定频率无调制输出的优越特性.     

连续可调谐1.52μmHe-Ne横向塞曼稳频激光器

研制成横向磁场中全内腔单模1.52μmHe—Ne激光器.提出了一种在锁定情况下,激光频率沿最佳S曲线连续调谐的方法.采用这种方法,激光频率在较宽范围内调谐,均达到较高频率稳定性.适于作单模光纤通讯的相干光源.     

光场横向效应导致CO2激光器混沌运转的实验研究

对横向效应导致单纵模多横模CO_2激光器失稳进行了实验研究.观测到了经各种途径到达的激光混沌态,并对其物理机制进行了探讨.     

无偏光元件横向磁场调制塞曼原子吸收光谱分析法研究

本文报导作者提出的一种新的塞曼原子吸收光谱法，即无偏光元件模向磁场调制ＺＡＡＳ法，由研究ＺＡＡＳ仪器中偏光元件的作用机理入手，分析讨论了谱线塞曼分裂中π成分之作用，提出用数学模型方法补偿偏光元件作用的构想，和理论计算研究，系统地用实验考证和修正补偿模型工作。系统地做了２０个常见元素的补偿模型研究和分析性能测试，并做了初步的分析应用。     

利用原子的塞曼光谱对半导体激光器进行稳频

中性原子的超精细能级在磁场中产生塞曼分裂 ,另外 ,左旋和右旋圆偏振光激发下原子的跃迁选择定则不同 ,因此 ,原子在超精细塞曼能级间的吸收谱峰相对无磁场条件下的吸收谱峰有一定的移动。利用这一点 ,验证了一种简单、灵活的方法对半导体激光器进行稳频 ,使激光器的线宽稳到小于 1MHz。通过对实验结果的分析 ,发现由左旋和右旋圆偏振光激发引起的原子吸收谱峰移动之和与饱和吸收峰半高宽相等时 ,稳频效果最好     

小型重复率脉冲横向激励激光器

引言最近,人们对研制各种用途的小型重复率脉冲CO_2激光器产生了极大兴趣。这些用途包括测距和跟踪(Hartwi(?)k,1980年)、遥感大气污染(Killinger等人,1980年),因此,小型手持式器件具有显著的优势。此外,诸如线性和非线性红外光谱学、光学泵浦、红外激光光化学和激光手术等领域都由于可得到低成本和可靠的高脉冲重复率器件而受益或可能受益。     

低噪声光纤激光器的实验研究

光传感和光通信领域的迅速发展迫切需要相位噪声和强度噪声都很低的激光光源,为满足这一需求,设计出一种新型低噪声光纤激光器。激光器采用复合腔结构,以掺铒光纤作为工作物质,通过在未被抽运的掺铒光纤中形成的瞬态自写入光纤光栅的窄带滤波特性进行选模和压窄线宽,产生稳定的单频激光输出;经过光路改进,激光输出光谱信噪比优于62 dB;利用光电负反馈电路,弛豫振荡峰下降了约25 dB,低频段强度噪声也大为改善,有效地抑制了光源的强度噪声。激光器的输出光功率大于1 dBm,线宽小于1 kHz,边模抑制比超过50 dB。优异的低噪声特性使得该激光器在光传感和光通信领域具有重要的应用价值。     

横向脉冲快放电型S2激光器的研究

介绍S2分子势能曲线特点、放电荧光谱及横向脉冲快放电型S2激光器的发展。     

高频横向放电激励的波导气体激光器

本文介绍的波导激光器是用横向放电方法激励的,其射频频率通常在甚高频到超高频范围内。即从约30兆赫到约3000兆赫。这种频率已经很高,足以保证放电电子与放电极的相互影响微不足道,从而获得较好的放电特性,结果,改善了激光器的性能,缩小了体积并减少了复杂性。     

DF激光器光栅选线实验研究

基于闪耀光栅的分光原理,利用小型直流放电驱动化学激光器,在平凹稳定腔内插入闪耀光栅,建立了选择激光器光栅谱线的实验装置.实验中共获得了14条谱线,测量了每条谱线的功率,计算了波长,分析了选线后谱线条数减少、谱线功率降低的原因.该装置尺寸小,使用比较方便,可以满足连续波DF化学激光器性能研究的需要.     

高功率激光器喷雾冷却的实验研究

以水为冷却介质,采用Spray公司的TG0.3机械雾化实心圆锥喷嘴,在体积通量为0.044,0.049和0.053 m3/(m2·s)情况下,对刻有不同微结构槽道冷却面的无沸腾区换热性能进行实验研究。结果表明：刻有微结构的表面可明显增强换热效果;壁面刻有高为0.2 mm的微结构槽道且壁面温度为52 ℃时,体积通量为0.044 m3/(m2·s则热流可达260 W/cm2,通量为0.053 m3/(m2·s则散热功率高达376 W/cm2,完全可以满足当前高功率激光器的散热需求。对于光滑面以及槽肋高为0.1和0.2 mm的换热面,其换热能力随着体积通量的增加而增强;换热面高度为0.4 mm时,通量对换热的影响变得较微弱。微结构槽道不仅增加了换热面积,还有利于液膜扩散,减小液膜厚度,增强换热。在三种不同的流量通量下,高度为0.2 mm的微结构槽道换热性能最佳。     

利用补偿线圈提高塞曼减速器效率的理论及实验研究

研究了用于锶原子光晶格光钟原子冷却的塞曼减速器,应用增添补偿线圈的方法可以延长减速器的有效减速距离和增大减速器末端的磁场梯度,进而增加一级冷却俘获锶原子的数目,理论分析采用该方法实现的塞曼减速器较使用单一线圈塞曼减速器可以增加31.17%的俘获原子数目;飞行时间法测量了减速前后原子束中原子的速度分布,原子的最可几速度由380m/s降为43m/s,分布线宽相应变窄。荧光法测量俘获原子数目表明在相同实验条件下,应用补偿线圈后磁光阱俘获原子数目从1.26×106提高到1.81×106,增加30.4%。     

具有横向效应的半导体激光器的同步传输技术

通过修正描述半导体激光器的动力学模型,给出了具有横向效应的半导体激光器的动力学方程,并分析了横向效应对半导体激光器输出特性的影响。在此基础上,进一步研究了具有横向效应的半导体激光器输出信号的同步传输技术。结果表明,考虑横向效应后,半导体激光器的输出呈现新的时空混沌态,且对初始值非常敏感。同时,无论是利用半导体激光器进行单通道信号的同步传输还是多通道信号的同步传输,其传输性能均十分稳定。该项同步技术十分简单,非常易于实际应用。     

横向模式可切换的少模环形光纤激光器

设计一种基于腔内全光纤模式复用器/解复用器(MUX/DEMUX)的少模环形光纤激光器,实现了LP₀₁模、LP₁₁模、LP₂₁模及混合模式可切换的激光输出。实验结果表明,利用低串扰的全光纤模式MUX/DEMUX结合4×1光开关,激光器可在三个最低阶的线偏振(LP)模式及其混合模式之间进行切换,LP₀₁模、LP₁₁模、LP₂₁模的泵浦阈值分别为40、60、80 mW,斜率效率分别为1.2%、0.82%、0.56%。对设计的少模环形光纤激光器结构进行数值模拟和参数优化,极大地改善了波长偏移问题,实现了小于0.032 nm的3 dB线宽。     

两光纤激光器相干合成的实验研究

利用迈氏腔技术,进行了光子晶体光纤(PCF)激光器相干合成的实验研究,实现了两光子晶体光纤激光器的相位锁定,获得了功率为47W的相干输出.解释了在迈氏腔的两个输出光路上分别实现相干相长和相干相消的物理机理.实验结果表明,合成激光光谱较单台PCF激光器的激光光谱有显著的改善,波长带宽小于5nm. 关键词： 光子晶体光纤 相位锁定 迈氏腔 光纤激光器     

He-Ne激光器放电点火电压的实验研究

寻找能降低He—Ne激光器点火电压的外加催离剂．实验对He—Ne激光器的点火电压在阴、阳极被可见光照射、低放射源作用于放电管和阴极附近加强电场的条件下进行了测量．对不同外加条件作用下He—Ne激光器点火电压实验数据的误差进行了分析．实验结果指出，用可见光照射阴极或阳极不能降低He—Ne激光器的点火电压；能明显降低点火电压的因素可以是低放射源或外加强电场．