纳米TiO2/聚苯胺复合膜电极的制备及其电化学性能

采用1mol·L-1硫酸作为介质,扫描速度为100mV*s-1,扫描电位为-0.2V～0.8V,用循环伏安法在纳米二氧化钛(Nano-TiO2)膜电极上实现了苯胺(Aniline)的电化学聚合,并对制得的Nano-TiO2/聚苯胺复合膜的电化学性质进行了研究.结果表明在峰电位(Ep)为0.28V处有一个明显的氧化峰,在Ep为 0.54V,0.08V,-0.06V处分别有一个还原峰,经长时间扫描,氧化峰电流可达到50mA·cm-2,具有工业应用价值.同时实验也表明,复合膜的生成、Ip的大小受溶液浓度、扫描速度以及扫描电位的影响.     

硫在疏质子介质中电化学还原机理的研究 II: 第二步氧化还原过程的研究

用电化学方法研究了硫在DMSO溶剂中的第二步氧化还原过程. 该过程在扫速大于200mV/s时表现为简单的电子转移过程; 扫速小于200mV/s时转化为ECE机理. 发现了S8^4^-, S3^2^-, S4^2^-的氧化峰, 峰电位分别为 -1.50, -0.96, -0.60(相对于银参比电极), 对S8^2^-/S8^4^-电对测定了标准电极电位和标准速率常数, 分别是-1.547±0.002V(相对于银参比电极)和3.3×10^-^3cm/s.     

石墨-五氯化锑层间化合物在有机电介质溶液中的电化学行为和结构研究

通过测定循环伏安曲线研究了石墨-SbCl5在1MLiClO4-PC(碳酸丙二醇酯)溶液中的电化学行为.I.II级石墨-SbCl5的还原电流峰出现在2.75～2.35V,氧化电流峰在2.85～3.05V(相对于Li/Li[+]).III级和IV级的相应电位区间与上相同,但其峰值较小,且曲线较为平缓,III级石墨-SbCl5的方波恒电流充放电表明,在500μA/cm[2]下,Li的插入量x(x=Li/C36SbCl5)在0.3以内,电极具有良好的可逆性,根据库仑滴定数据,放电前后X射线衍射图谱与电镜衍射花样的变化,初步认为I.II混合级石墨-SbCl5放电时的阴极反应是锂插入和形成新的层间化合物LiC24SbCl5的两个过程。     

延胡索酸泰妙菌素在碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

运用循环伏安法(CV)、计时电流法(CA)和计时电量法(CC)研究了延胡索酸泰妙菌素(Tiamulin fumarate,TF)在碳糊电极(Carbon Paste Electrode,CPE)上的电化学及其电化学动力学性质。结果表明,TF在CPE上的电化学过程是一不可逆的氧化过程,氧化峰电位Ep为0.772 V。在扫描速度10～1 000 mV.s-1范围内,其氧化峰电流Ip与扫描速度v呈良好的线性关系,表明TF在CPE上的伏安行为是一受吸附控制的过程。方波伏安(SWV)法结果表明TF氧化峰电流与其浓度在5.0×10-7～1.0×10-5mol.L-1及1.0×10-5～1.0×10-4mol.L-1范围内均呈良好的线性关系,相关系数r分别为0.9980及0.9966,检出限(S/N=3)为5.8×10-8mol.L-1,相对标准偏差(RSD)为0.8%～2.8%,加样回收率为97.6%～102.0%。据此建立了TF含量的电化学测定方法。该方法简便快捷,测定结果令人满意。     

多壁碳纳米管修饰乙炔炭黑电极测定碘

以多壁碳纳米管修饰乙炔炭黑电极为工作电极,研究了碘离子在该修饰电极上的伏安分析特性,讨论了支持电解质种类、酸度等因素对碘离子氧化峰电流的影响,获得了最佳的实验条件. 在0.4 mol/L KH2PO4缓冲液(pH=4.0)中,从200 mV以200 mV/s的速率正向扫描至1 200 mV,碘离子在570 mV处出现一灵敏的氧化峰,峰电流比未修饰电极增大约3倍. 采用二阶导数线性扫描伏安法进行定量分析,峰电流与碘离子的浓度在2.0×10-6～1.0×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为8.0×10-7 mol/L. 方法用于食盐中碘含量的测定,相对标准偏差为1.2%～1.6%,回收率为97.4%～103%.     

氮氧自由基电催化氧化盐酸伪麻黄碱的电化学行为及其电化学动力学性质

运用循环伏安法(CV)、计时电流法(CA)在玻碳电极(GCE)上研究了以氮氧自由基(4-羟基-2,2,6,6-四甲基-哌啶-1-氧自由基,TEMPOL)为均相电子转移媒体电催化氧化盐酸伪麻黄碱(PEH)的电化学行为及其电化学动力学性质.研究结果表明,PEH在GCE上的电化学氧化过程十分迟缓,不易直接发生电化学氧化反应.而在TEMPOL存在时PEH在0.641 V处出现了一个不可逆的氧化峰,且峰电流大幅度增加,表明TEMPOL对PEH的电化学氧化具有良好的电催化作用.在5～1 000 mV/s扫描速度范围内,氧化峰电流(Ipa)与扫描速率平方根(v1/2)呈线性关系,此催化氧化反应是一受扩散控制的电极过程.测定了电催化氧化反应动力学参数:电子转移系数α为0.72,催化反应速率常数k为(2.26±0.05)×103(mol/L)/s.催化体系氧化峰电流与PEH浓度在2.0×10-5～2.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-5mol/L.     

甲氧苄啶在多壁碳纳米管-Nafion修饰电极上的电催化氧化及电分析方法

用循环伏安法(CV),计时库仑法(CC),计时电流法(CA),线性扫描伏安法(LSV)及电流-时间曲线研究了甲氧苄啶(trimethoprim, TMP)在碳纳米管-Nafion修饰电极(MWCNTs-Nafion/GCE)上的电化学行为,电化学动力学性质以及电分析方法.结果表明,TMP在GCE上有一个极弱的氧化峰,而在MWCNTs-Nafion/GCE上出现一个敏锐的氧化峰,表明MWCNTs-Nafion/GCE对TMP电化学氧化具有良好的催化作用.在扫描速度为10～800 mV/s时其氧化峰电流与扫描速度平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明TMP在MWCNTs-Nafion/GCE上的伏安行为是受扩散控制的电化学过程.TMP在MWCNTs-Nafion/GCE上氧化峰电流与浓度在5.0×10-6～1.0×10-3 mol/L范围内呈良好线性关系;检出限为6.6×10-7 mol/L;RSD在0.75%～1 69%之间;加标回收率在98.1%～101.1%之间.本方法简便快捷,测定结果令人满意,可用于TMP的电化学定量测定.     

水杨酸在改性钠基蒙脱土修饰电极上的电化学行为及测定

用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对钠基蒙脱土进行改性,并用红外光谱、X衍射对CTAB-NaMMT进行表征,制备了改性钠基蒙脱土修饰电极(CTAB-NaMMT-CMC/GCE),研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为.结果表明,在pH 0.8的H_2SO_4-Na_2SO_4电解质溶液中,SA在1.19 V出现一明显的氧化峰,在40 ～400 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率的平方根(v~(1/2))呈良好线性关系,表明电极过程为受扩散控制不可逆过程.测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别为2、2、0.389、1.275×10~(-6) cm~2/s.方波溶出伏安法的氧化峰电流(I_(pa))与SA浓度在8.0×10~(-7) ～1.25×10~(-4) mol/L范围内呈良好的线性关系(r=-0.999 6),检出限为2.27×10~(-7) mol/L,加标回收率为96% ～101%.     

铁氰化钆修饰电极的制备及表征

应用电化学循环扫描法于玻碳电极表面沉积并形成铁氰化钆修饰电极(GdHCF/GC),扫描电镜(SEM)显示,有两种大小和外形明显不同的颗粒状GdHCF附着在电极表面.红外光谱表明,GdCHF的C≡N弯曲振动吸收峰出现在2062.5 cm-1处.循环伏安法测试表明,在0.2 mol/L NaC l溶液中,GdHCF/GC电极出现两对氧化还原峰,扫速为20 mV/s时,其氧化还原峰的式量电位分别为E0’(I)=192.5 mV和E0’(II)=338.5 mV.研究了不同支持电解质对GdHCF/GC电极电化学性能的影响,GdHCF对Na+离子有优先选择性.     

羧基化多壁碳纳米管修饰碳糊电极用于溶出伏安法测定铋(Ⅲ)量

将羧基化的多壁碳纳米管滴涂在碳糊电极表面上,应用羧基化的多壁碳纳米管修饰碳糊电极(MWCNT-COOH/CPE)测定铋(Ⅲ)时,将试液在0.1mol.L-1盐酸溶液中在-500mV处预富集120s,使铋(Ⅲ)与1-(4-磺酸基苯基)-3-[4-(苯基偶氮)-苯基]-三氮烯(SPAPT)生成络合物,然后在-500～500mV范围内扫描,使络合物中的铋(Ⅲ)从电极上溶出,实现了铋离子的溶出伏安法测定。在-32mV处可得铋离子的氧化峰电位,其峰电流值与铋(Ⅲ)浓度在1.0×10-9～4.0×10-7 mol.L-1范围内呈线性关系,检出限(3S/N)为3.0×10-10 mol.L-1。     

铅及铅锑合金阳极膜中硫酸铅的氧化过程

应用电位阶跃和交流阻抗法分别研究铅和Pb-5wt% Sb合金在4.5mol·dm^-^3H~2SO~4(30℃)中于1.3V(vs. Hg/Hg~2SO~4, 下同)生长20min后的阳极膜在0.9V还原5min后再在1.4V将膜中硫酸铅氧化的过程。实验结果表明在0.9V还原二氧化铅而得到的硫酸铅能在1.4V于1min内氧化为二氧化铅。这是由于此种硫酸铅处于硫酸铅颗粒表层的缘故。至于颗粒内部由铅直接生成的硫酸铅的氧化为二氧化铅就要缓慢得多。合金中的锑能使二氧化铅晶核形成和生长速率显著降低。     

铅上阳极硫酸铅膜的还原过程

采用线性电位扫描法、电位阶跃法, 结合交流阻抗跟踪对铅在4.5mol.dm^-^3H2SO4中-0.6V(vs. Hg/Hg2SO4/4.5mol.dm^-^3H2SO4)极化20min形成的阳极硫酸铅膜的阴极还原进行研究。实验结果表明该膜大部分能被还原, 其中的硫酸铅颗粒先在表面按扩散控制下的三维瞬时成核与生长机理被还原, 然后Pb^2^+自颗粒内径向扩散至已生成的铅层表面上进行还原。颗粒中微粒间的液膜为离子输运的主要途径。     

铈降低在硫酸溶液中生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻的研究

应用电化学阻抗频谱法、线性电位扫描法和光电流技术研究了在4.5 mol· dm~(-3) H_2SO_4溶液中Pb-1%(at.)Ce（简称Pb-1Ce）合金在0.9 V (vs. Hg/Hg_2SO_4电极)生长的阳极Pb(II)氧化物膜的电阻较纯铅的低的原因。实验结 果表明,Ce阻抑阳极Pb(II)氧化物膜的生长并增加其孔率,从而降低其电阻。     

电位溶出分析法同时测定锡, 铅, 铜

本文应用电位溶出分析法进行同时测定锡、铅和铜的研究。结果发现在草酸溶液中锡、铅和铜有分离清晰的平台,其溶出讯号与浓度呈线性关系,可用于定量分析。用这一方法测定了某些罐头食品中痕量锡、铅和铜,获得满意的结果。     

间断多次扫描电位溶出分析方法的研究

间断多次扫描电位溶出分析是在多次扫描电位溶出分析和间断扫描伏安法的基础上提出的一种新的电位溶出分析技术,它不仅具有多次扫描电位溶出分析灵敏度高的优点,又克服了多次扫描电位溶出分析对多元素分析时元素之间相互干扰的缺点。文章讨论了间断多次扫描电位溶出分析的实验条件,同时用这种方法分析了人尿中镉、铅的含量。间断多次扫描电位溶出分析在电积10分钟时,最低可检测到0.005ng/mL的镉和0.01ng/mL的铅。镉、铅浓度为4ng/mL时,相对标准偏差分别为2.9%和3.2%,证明间断多次扫描电位溶出分析可以同脉冲阳极溶出伏安法媲美。     

meso-四(3,5-二溴-4-羟基苯)卟啉及其与铅的灵敏显色反应的研究

本文报导了新合成的卟啉试剂meso-四(3,5-二溴-4-羟基苯)卟啉[T(DBHP)P], 研究了它的性质及其与Pb^2^+的反应条件, 制定了测定痕量Pb^2^+的新光度法, 该法灵敏度甚高(δ=2.40×10^5), 在8-羟基喹啉存在下, 反应可在室温下迅速进行, 甚选择性也甚好, 可成为光度测量痕量Pb^2^+的优良方法。     

利用碘离子增感效应和金电极导数阳极溶出法研究铜丶铅和镉的同时测定

A method of simultaneous determination of copper (II), lead (II) and cadmium (II) in sulphuric acid-iocide ion medium was established by derivative anodic stripping voltammetry (DASV) on the gold electrode. The peak theights of lead and cadmium were increased by enhancement effect of iodide ion and the peaks of bismuth and copper were well formed and completely resolved on gold electrode in the presence of iodide ion, therefore peak of copper is not affected by bismuth. The sensitivities for copper, lead and cadmium were very high and their peak potentials in the stripping voltammogram were +0.25, -0.2 and -0.27 volt, respectively. The dependence of peak height of these elemets on their concentrations was linear. The detection limits for copper, lead and cadmium were 0.2 0.2 and 0.05 ppb, respectively. We have further studied the electrode process by means of triangle cyclic voltammetry and proved that he electrode reaction of copper is reversible, and that the reversibility of electrode reactions of lead and cadmium is not good.     

阳极二氧化铅膜的阴极还原为硫酸铅的机理

应用旋转环盘电极, 和静止电极线性电位扫描法(LSV)研究铅上阳极PbO~2膜的阴极还原为PbSO~4的机理。实验结果表明相应于Pb盘上阳极膜中PbO~2还原时所产生的Pb-7w/oSb环电流是原先PbO~2膜生长时析出的氧扩散入膜中以及膜内的PbO~2微粒中的品种逸出而被还原所致。无可溶性中间体可被检出。扫速对静止Pb上阳极膜中PbO~2的LSV法还原的影响符合薄膜反应的规律。本文提出了上述反应机理。