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前言精缩制版镜头为半导体集成电路制版工艺的重要设备之一。集成电路特别是大规模集成电路的制作对精缩制版镜头提出越来越高的要求。希望精缩镜头有尽量大的视场,尽量高的分辨本领。 相似文献
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在进行大规模集成电路光刻时 ,采用同步辐射光源是一项新技术。本文介绍了同步辐射光刻镜扫描控制系统。通过提高光刻镜扫描的控制精度和优选扫描振动频率 ,能够改善光栅的均匀度 ,以满足曝光的需要 相似文献
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本文报道了一项称为载波相移全息干涉计量的自动相位估算的新技术。该技术的主要特点是不同相移的条纹图案可用双曝光全息重视。这样即可用来对与时间相关的问题进行自动相位估算。 相似文献
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采用电子束光刻、热蒸镀和剥离工艺在室温下制备了多组磁性量子元胞自动机器件功能阵列. 实验研究了曝光剂量和曝光时间对三个不同间距参数磁性量子元胞自动机阵列图案的影响, 发现100 pA电子束束流和0.38 μs曝光时间可获得理想的阵列图案. 对制备的反相器阵列结构进行了磁力显微测试, 结果显示了正确的逻辑功能, 成功实现了不同间距参数功能阵列的实验制备. 此外, 实验还发现纳磁体阵列制备中容易出现缺陷, 模拟结果表明丢失纳磁体缺陷导致了信号传递反相. 相似文献
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193nm光刻曝光系统的现状及发展 总被引:1,自引:0,他引:1
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。 相似文献
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随着光学刻度技术的发展,对感光化学及材料的研究和应用巳显得非常重要。在工业照相领域,从标牌制作、印刷制版、量具刻度、印刷线路、光学刻度、全息照相乃至电子工业的大规模集成电路,都与感光材料密切相关。作为记录介质和中间掩膜的感光材料,种类繁多,工艺各别。它们可通过照相系统缩微各种图形,也能和母板接触复制各种分划。不同的感光膜层依靠光化学反应能记录精密刻划机械投影图形或接触式光刻图形,加工出明暗不同、正反各异的刻度模板,并 相似文献
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193nm光刻曝光系统的现状及发展 总被引:3,自引:0,他引:3
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。 相似文献
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首先讨论数学形态学中的击中与否变换应用于模式识别,然后对击中与否变换进行改进,并应用于多目标识别(探测)系统,增加了识别(探测)的容错性。结果表明,只要结构元素选取得当,这种方法是可行的。 相似文献
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Pedro J. Castro Joaquim J. Barroso 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》2006,27(10):1323-1333
Far-field radiation patterns can be used for identifying different kinds of resonant modes in a gyrotron cylindrical open
resonator. The operating TE021 mode is identified among its closest competitors TE221 and TE611 by measuring radiation patterns obtained experimentally based on millimeter wave source for exciting the open resonator.
A good agreement between experimental and, theoretically predicted values was found. 相似文献