IGBT的驱动与死区补偿

通过分析IGBT的短路特性，提出了驱动与保护电路、缓冲电路的设计方法，最后介绍了一种实用的死区补偿方法，提高了整机的可靠性，有效减少了因开关时滞、死区造成的逆变器输出电压畸变。     

一种SVPWM的死区时间效应补偿方法

本文对SVPWM波的死区时间效应进行了分析，同时给出了一种全新的针对永磁同步电机驱动中死区效应的补偿方法。该方法同时考虑了零电流钳位和寄生电容的影响，通过计算和实际验证表明，该方法确实改善了死区效应的影响。本方法理论分析的有效性及其实际效果都通过在空调直流电机驱动控制应用中得到了充分验证。     

IGBT特性分析与驱动参数的优化配置

详尽分析了 IGBT的特性及驱动条件 ,概述了 IGBT有效保护的要求 ,以 TEM- 2型电磁法发射机中的全桥变换电路及 GT60 M30 2型 IGBT为例 ,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究 ,并给出了 TEM- 2型发射机的驱动参数     

IGBT特性分析与驱动参数的优化配置

详尽分析了IGBT的特性及驱动条件,概述了IGBT有效保护的要求,以TEM-2型电磁法发射机中的全桥变换电路及GT60M302型IGBT为例,对驱动参数的优化配置进行了较为详细的研究,并给出了TEM-2型发射机的驱动参数.     

高压IGBT的驱动器应用研究

介绍了一种新一代高性能的高压IGBT的集成驱动器SCALE的工作原理、特性以及过流保护的特点，重点讨论了在实际应用中注意事项，并给出了有关的实验波形。     

基于 SVPWM 控制的死区补偿策略

对 SVPWN 控制的死区效应补偿方法进行分析,提出运用预测电流控制算法来进行死区补偿策略.理论上分析该方法的可行性,并在变频器的具体运用中证实了其有效性.     

IGBT串联运行时的动态均压

分析了高电压工作中ＩＧＢＴ串联运行时导致端电压静态和动态不均衡的种种原因,给出了几种改善端电压不均衡的具体控制措施和电路,主要给出了对称均压电路和驱动控制均衡电路,经实际应用表明效果良好。     

功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.     

基于新型开关策略的死区补偿技术

在逆变系统中,死区导致逆变器的输出波形发生畸变,即死区效应．文中在对死区效应进行量化分析的基础上,提出一种基于新型开关策略的死区补偿技术．该方法通过实验验证,实验结果证明了该方法的实用性和有效性．     

大功率IGBT直流特性和动态特性的PSPICE仿真

应用等效模拟的方法建立了IGBT PSPICE仿真的直流模型和动态模型，对大功率IGBT的直流特性和动态特性进行了仿真分析，模型的仿真值与器件的实际值相比，所有特性均较吻合，表明仿真模型适用于大功率IGBT的特性分析。     

死区电流极性检测的一种新方法

针对逆变器死区期间电流过零点检测不准确会影响死区补偿效果的问题,比较了几种常规检测方法,分析了这些方法存在的不足,根据电流极性检测原理并结合反馈电流补偿法,提出了一种新的检测方法,设计了具体的逻辑电路并仿真仿真结果表明该方法能准确检测出死区期间电流极性,从而验证了该方法的有效性,为下一步实现可靠的死区补偿提供了有力的判据     

微波暗室内静区的功率比计算模型

基于模拟目标运动原理和数学建模方法,通过控制相邻两天线的辐射强度成比例的变化,运用等价重心原理,模拟了视在目标点的相对连续运动,应用光学镜像原理,分析了微波从"发射点→墙面反射区→静区"的传播过程,建立了静区从诸墙面得到的反射信号的功率之和与从信号源直接得到的微波功率之比的数学模型.运用MATLAB软件,实现了计算的程序化过程,数值计算结果可为判断微波暗室能否满足仿真技术要求提供理论依据.     

扰动电压观测器与线性补偿策略相结合的死区补偿方法

为克服逆变器死区时间及开关的导通压降等非线性特性对永磁同步电机(PMSM)无传感器控制系统检测精度的影响,提出一种将扰动电压观测器与线性补偿策略相结合的新型死区补偿方法,对逆变器死区效应带来的不良影响进行抵消.搭建基于脉振高频电压注入算法的PMSM无传感器控制系统模型,分别加入新型死区补偿方法与普通线性死区补偿方法,并进行Simulink仿真分析.实验结果表明：加入新型死区补偿后,系统电流钳位现象得到缓解,转速估计误差减小20%左右,转子位置估计更为准确,证实了新型死区补偿方法的有效性.     

ZＸ-315逆变弧焊电源可靠性设计

提出了提高ＩＧＢＴ控制的ＺＸ－３１５逆变弧焊电源可靠性的措施：主电路与驱动线路电隔离；设定空载电压、短路电流、过流过压情况下关断驱动脉冲。采用该措施，可保证ＩＧＢＴ在完全导流及彻底关断两种极限状态下工作，避免由于误导通使ＩＧＢＴ在半导通状态下工作以及过压或过流而造成的损坏。     

具有死区的饱和工业过程控制系统的迭代学习控制

对具有死区的非光滑饱和工业过程的稳态优化进程施加迭代学习控制,给出加权开环PD型迭代学习控制算法。算法基于前次迭代的输出动态信息和事先给定的理想轨张,修正工业过程控制系统的阶跃输入,以期改善控制系统的动态品质。给出了理想轨线的选取方法,提出了理想轨线的δ可达性和迭代学习算法的ε收敛性的概念。利用Bellman-Gronwall不等式和λ范数理论,论证了算法的ε收敛性。数字仿真表明,迭代学习控制能有效改善工业过程稳态优化进程中控制系统的动态品质,如减少超调,加快动态响应速度,缩短过渡时间等,显示了算法对工业过程控制系统的有效性。     

PWM逆变器中IGBT的损耗计算

针对目前应用广泛的PWM逆变器中的IGBT，提出了一种其功率损耗的计算方法，该法根据厂家已提供的器件特性参数，可以方便地估算各种工况下IGBT的功率损耗．实验证明，该方法兼顾了简单和精确两个方面，效果较好．     

压缩薄件死区边界滑移线函数的可积性

假定剪应力线性分布,对死区边界滑移线引进参变量t,确定滑移线转角φ与x间的可积函数,以换元积分求得死区接触表面总压力与平均单位压力分布的精确值;所得结果与目前数值积分结果基本一致,表明沿死区边界滑移线integral from n=0 to x φ_idx是可积的,从而在理论上验证了数值解法的可靠性。     

变频电源中 IGBT 应用电路研究

介绍了ＩＧＢＴ器件的性能特点,提出了在设计ＩＧＢＴ应用电路中应注意的问题及解决方案。     

基于生态足迹的雷公山自然保护区生态补偿标准研究

搬迁移民或当地居民是否得到合理的生态补偿是自然保护区顺利建设和实现保护目标的关键环节,尤其是生态补偿标准的确定.本文以贵州省雷公山国家级自然保护区为案例,提出了一套基于生态足迹理论的生态补偿标准确定方法.该方法不仅考虑保护区居民生产用地的损失补偿,还以生态足迹为基础,计算了林产品、水产品、薪柴、牧草等生态系统为保护区居民社会经济活动提供的服务价值.结果表明,基于该方法得到的生态补偿标准,与保护区居民问卷调查结果差距较小,客观反映了居民的生态补偿意愿.该方法解决了以生态系统服务价值作为补偿标准过高,而仅以生产用地损失作为补偿标准过低的矛盾,可为其他保护区生态补偿标准的制定提供参考.