微波固态功率放大器脉冲调制技术的研究

本研究设计完成了一款高速微波固态功率放大器漏极脉冲调制电路,脉冲前后沿小于50ns。主要采用高速大电流低内阻的PMOS管为微波固态功率放大器设计了漏极脉冲调制控制电路,较传统电路有很大改进,固态功率放大器的工作状态可随意变换,有功率容量大、效率高、隔离性高等优点。最终基于该调制电路设计了一款C波段高速微波功率放大器,放大器工作频率在5.5GHz±200MHz,放大器实现了低功耗工作,输出信号前后沿小于50ns,降低了工作热损耗。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了研究纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响,在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极-源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示:非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

非对称栅压在负栅极-源漏极交叠结构超薄沟道双栅器件中的应用

为了对纳米尺度器件中量子力学效应对传输特性及动态特性的影响进行研究,该文在器件模拟软件TAURUS中实现了量子修正的漂移扩散模型(QDD),并对具有负栅极源漏极交叠结构的超薄沟道双栅器件进行了数值模拟。结果显示非对称栅压的控制方法使得器件具有动态可调的阈值电压,能够动态地适应高性能与低功耗的要求。通过优化栅极与源漏区的交叠长度可以降低栅极电容,从而提高器件的动态特性,提高电路的工作速度。     

栅、漏极衰减对FET数目的影响

导出微波分布放大器中栅极传输线和漏极传输线的衰减与FET寄生参量的关系式，从讨论中可以看出。寄生参量是影响FET数目的主要因子。     

450MHz大功率固态功放的设计

介绍了作者设计的一个工作在450MHz左右的百瓦级固态功放组件的工作原理,主要技术指标,描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件实现高输出功率,较低热量产生,性能优良,工作稳定可靠。     

脉冲调制固态噪声源的分析与测试

为了降低微波辐射计基准参考源的功耗,提高系统的稳定性,提出了“脉冲调制固态噪声源”的技术方案,利用PIN射频开关周期调制低超噪比的固态噪声源的输出,使其在微波辐射计系统积分时间内等效输出需要的噪声温度。实验表明:利用该方法可以实现基准参考源,单一参考源功耗为0.25W,极大地降低了功耗。该方案适合于星载微波辐射计,在“神舟四号”上得到了成功地应用。     

基于混合环功分/功合网络宽带微波固态功率放大器的设计与实现

本文综合考虑影响合成效率的因素以及工艺精度,设计了一种混合环功分/功合网络,改善了驻波比和幅相特性,保证了良好的合成效率。基于混合环功分/功合网络研制了一款高性能的宽带微波固态功率放大器,在9GHz-17GHz的通带内,实现了46d Bm输出功率,38d B的放大增益。     

单周控制开关功率放大器的研究

本文以单周控制理论和开关功率放大器为基础,重点针对单周控制的开关功率放大器输出端存在的直流偏置问题,进行了理论研究,提出了改进方案。     

H桥IGBT栅极驱动设计与应用

以具体实例对H桥IGBT栅极驱动电路的设计做了分析.得出IGBT的驱动条件是栅极正电压、栅极负电压、栅极串联电阻与其主要运行特性的关系,并推导出H桥IGBT栅极驱动电流、驱动功率、栅极电阻的计算公式及死区时间的确定方法.为驱动电路的设计提供了可靠依据.     

浅析电励磁双凸极电机系统技术

电励磁双凸极电机具有结构简单、高可靠性、较高的能量密度和高速运行能力等优点。这种新型的无刷直流电机应用于起动/发电系统具有良好的前景。本文着重分析了电励磁双凸极电机的结构,工作原理及数学模型,以期为更好使用电励磁双凸极打下理论和实践基础。     

功率放大器的线性化技术研究

本文概述了目前流行的功放线性化技术，简单介绍了几种常见的线性化技术的原理，比较并分析它们的优缺点，讨论了线性化技术的发展方向，提出了一些观点。     

固态Marx发生器均流技术研究

为了提升固态脉冲发生器在低阻抗负载时的稳定性,提出了一种并联开关管电路的均流技术,采用增加小电阻降栅压的方法,设计了并联开关管测试电路和并联全固态Marx发生器测试电路对其均流效果进行验证.实验结果表明,并联结构的脉冲电源的内部浪涌电流得到有效抑制,开关管工作在安全工作区内,脉冲电源系统的稳定性得到了提高.     

新型12/8极双凸极变速永磁电机的设计与分析

提出了一种新型12／8极双凸极变速永磁DSPM电机，它集永磁无刷直流PMBLDCM电机和开关磁阻SRM电机的主要优点于一身，加上其独特的转子斜槽和12／8极结构，该电机具有功率密度高、用铜量小、绕组电阻小和转矩脉动小等优点。用有限元法（FEM）对该电机的磁场分布、永磁磁链、反电势和电感特性进行了计算和分析，计算中考虑了永磁磁场和电枢反应的相互作用，样机实验结果验证了理论分析的正确性。     

应用于便携设备背光的DC2DC转换器

在分析提供手机白光二极管(LED)背光的DC2DC转换器应具有高效率、低功耗、低电流等特性的基础上,设计了一款芯片,集成PWM技术、同步整流技术、软启动技术的同时,利用与绝对温度成正比的电流源(PTAT电流源)和三极管、MOS管,设计实现了一具有迟滞功能的过温保护电路,同时工艺上采用了低阻抗版图设计.芯片采用0.5μm的P衬N阱数模混合1P3M BiCMOS工艺流片.测试结果表明,芯片开关频率可达到1 MHz,具有2.7~6.0 V的输入电压范围,实现了PWM亮度控制、过压保护和短路保护等功能,做到了高效率低功耗,转换效率高达86%,可稳定驱动多达5个白光LED,完全满足系统设计的需要.     

极化电压与铁电场效应晶体管漏极电流的稳定性关系

设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管（FFET）,并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电流的大小.当Pr增加时,Id随之增大.当FFET饱和极化后,Ps/Pr值增加,Id增大.FFET可以在特定极化电压（Vp=1.5 V）极化后,实现漏极电流的稳定输出,减小了Ps/Pr变化对FFET器件性能的影响.该漏极电流稳定输出时的极化电压值受到矫顽场Ec的影响,且Vp随Ec的减小而降低.     

极谱双点滴定法在络合滴定中的应用

提出在络合滴定中应用极谱双点滴定的实验方法。探讨了应用此法测定１０余种常见金属的可能性及适宜的回滴定剂。     

双凸极永磁电机矢量控制的建模与仿真

对8/6极转子斜槽DSPM电机进行了深入研究,提出了DSPM电机的矢量控制,和方波电流控制相比,电机运行更平稳,调速范围更宽,脉动转矩明显减小;通过仿真验证了DSPM电机矢量控制的有效性和正确性。     

新型脉冲漏磁传感器的仿真设计与实验研究

在对带保温层管道进行检测时,由于保温层的隔离作用使得传统的电磁无损检测方法感生的磁场在传播到管道表面时已衰减的非常微弱,因此,对带保温层管道中腐蚀缺陷的检测是无损检测领域的一个难点.脉冲漏磁方法由于结合了脉冲检测频率丰富以及漏磁检测适于铁磁性管道检测的优势,因而采用脉冲漏磁技术对管道腐蚀缺陷进行了检测.在分析了脉冲漏磁检测原理的基础上,仿真分析了4种不同结构的脉冲漏磁传感器沿管道表面和管壁的磁场分布以及对不同厚度保温层的检测能力,仿真结果表明带聚磁板的模型具有较好的检测能力.最后,采用实验的方法研究了这种模型传感器对腐蚀缺陷深度的定量能力,实验结果表明该传感器可以很好地实现对腐蚀缺陷深度的定量检测.     

波导型FET功率放大器的结构与设计

介绍一种直接在波导传输线中构成ＧａＡｓＦＥＴ功率放大器的方法，给出了这种功率放大器的设计和计算方法．实验数据和实际使用结果表明，这种结构的功率放大器具有损耗低、增益高、调整方便和性能稳定等优点，文中给出的设计方法对实践有较高的指导意义．     

功率放大器的宽带增益补偿技术及应用

本文设计了一个频率范围为1GHz～10GHz的宽带功率放大器。这种宽带微波功率放大器的频率范围和发射功率都考虑到经济和器件的因素,本放大器采用三级级联的方式获取1W的功率输出,设计中采用宽带增益补偿网络技术.