聚乙烯亚胺改性介孔氧化硅载体孔结构的调控机理

以三嵌段共聚物聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷(P123)为模板,硅酸四乙酯(TEOS,C₈H₂₀O₄Si)为硅源合成了比表面积高达712.5 m²/g,孔体积为2.44 cm³/g的新型介孔氧化硅载体(MCF).通过正电子湮没寿命谱(PALS)以及常规表征手段;例如N₂吸附脱附、透射电子显微镜、热重分析、傅里叶变换红外光谱等系统研究了聚乙烯亚胺(PEI)改性MCF对纳米尺度孔结构的影响.结果表明,合成的MCF具有明显的无序介孔结构,孔与孔之间通过窗口相互连接形成了一个连续的、具有良好热稳定性的多孔通道网络,同时可以直观看到有机胺PEI已被成功引入到MCF通道中.为了更全面地评估材料孔径的变化情况,通过高灵敏度、可探测亚纳米量级的正电子湮没技术研究正电子在PEI负载MCF中的湮没机制,发现存在τ₃和τ₄个长寿命分量,表明样品中存在微孔和介孔.同时由于PEI分子的引入,导致τ₃和τ_...     

纳米Cu/Al2O3组装体模板合成与光吸收

以有序的多孔氧化铝为模板,利用交流电在孔洞中沉积金属铜得到纳米Cu粒子/Al₂O₃组装体系.透射电镜观察显示随着交流电沉积时间的延长,孔洞中纳米Cu粒子数量增加.测量了纳米Cu粒子/Al₂O₃组装体系的紫外可见光吸收光谱,发现随着孔洞中纳米Cu粒子数量增加,纳米Cu粒子/Al₂O₃组装体系的吸收带边大幅度红移;根据雷利散射引起的消光增强解释了组装体吸收带边红移的原因.同时发现 关键词： 纳米Cu 模板合成 光吸收     

嵌入Ag纳米颗粒层的DNA忆阻器

构建了具有“Al/DNA-CTMAB/Ag NPs/DNA-CTMAB/ITO”结构的有机忆阻器件, 并对其电流-电压 (I-V)曲线进行测量. 结果表明, 嵌入Ag纳米颗粒层, 不仅可以增强器件的导电性, 而且忆阻特性也显著提高. 当颗粒粒径在15–20 nm范围时, 开-关电流比I_ON/I_OFF能够达到10³. 器件的I-V特性受扫描电压幅值V_A的影响, 随着V_A的增大, 高阻态的电流变化较小, 而低阻态的电流明显增大, 开(或关)电压V_SET (V_RESET)和I_ON/I_OFF增加. 实验还发现, 器件高低阻状态的相互转换取决于外加电场的方向, 说明该忆阻器具有极性.     

聚合物纳米复合电解质(PEO)8-ZnO-LiClO4微结构及电导率研究

以聚氧化乙烯(PEO)为基质,成功制备出纳米ZnO掺杂的(PEO)₈-ZnO-LiClO₄离子导电聚合物电解质,并利用多种实验技术,包括扫描电子显微镜、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱和正电子湮没寿命谱(PALS),系统地研究了纳米ZnO与基质间相互作用及其对聚合物链段运动、纳米尺度自由体积、离子输运和复合电解质电导率的影响.实验结果发现,纳米ZnO的掺杂使聚合物电解质的离子电导率得到了大幅度提高,当ZnO与PEO质量比为6%时达到最大,(PEO)₈-ZnO-LiClO₄的电导率为1.82×10^-4 S ·cm^-1,比(PEO)₈-LiClO₄的电导率(6.58×10^-5 S ·cm^-1)提高了大约一个数量级.XRD结果显示,纳米ZnO的加入降低了PEO的结晶性,增加了锂离子传输的非晶相,从而提高了电导率.离散PALS测量结果表明,随着纳米ZnO的加入,复合电解质的自由体积、浓度和相对自由体积分数f_r均增加.连续PALS分析揭示了自由体积的分布由一个峰劈裂成两个峰,表明纳米ZnO的掺杂对聚合物的微结构有很大影响.基于实验测量的f_r和离子电导率,研究了离子导电机理.研究发现, f_r与电导率之间存在一个直接关系,即f_r越大,越有利于锂离子的传输,导致电导率越大.这个结果支持聚合物电解质导电的自由体积理论. 关键词： 正电子湮没寿命谱 聚合物纳米复合电解质 离子电导率 自由体积     

纳米棒状GdPO4:Eu3+荧光粉的合成及其发光性能的研究

采用溶解热法合成出了纳米棒状GdPO₄:Eu³⁺荧光粉,其中不同磷源和pH值对最终产物的形成起着关键的作用. 将纳米棒状和块体GdPO₄:Eu³⁺荧光粉的发光性能进行了对比,其中与块体GdPO₄:Eu³⁺荧光粉相比,纳米棒状GdPO₄:Eu³⁺荧光粉的色纯度得到了改善,而在激发光谱中,纳米棒状GdPO₄:Eu< 关键词： 纳米棒 磷酸钆 发光性能     

纳米GdPO4：Eu3+的合成和光谱特性

采用EDTA二钠盐参加的共沉淀方法制备出纳米GdPO₄:Eu³⁺,利用X射线衍射,荧光光谱和电镜等测试手段对GdPO₄:Eu³⁺的相结构和发光性质进行了研究。XRD图谱结果表明700℃合成了纯的具有单斜晶系、独居石结构的纳米GdPO₄:Eu³⁺。根据Scherrer公式计算,700,800℃热处理后样品的一次颗粒度分别为18,40nm左右。激发光谱和发射光谱的研究表明,电荷迁移态和Eu³⁺的特征发射峰的强度随GdPO₄:Eu³⁺纳米粒子的增大而增强。在较小的纳米粒子中,存在结构扭曲的现象,315nm激发下的发射光谱研究表明,Gd³⁺和Eu³⁺具有较好的能量传递。     

Er3+/Yb3+共掺TeO2-WO3-La2O3玻璃中银纳米晶的析出及发光性能

采用熔融冷却法制备了Er³⁺/Yb³⁺共掺TeO₂-WO₃-La₂O₃-AgNO₃玻璃,通过热处理获得了透明含银纳米晶的碲酸盐系统玻璃。测试了不同热处理条件后所得玻璃样品的透过率及受激发射光谱,并使用高分辨透射电镜表征玻璃中的银纳米晶,分析了荧光增强机理。经过390 ℃热处理15 min后,玻璃中析出了银纳米晶。玻璃在银纳米晶引入前后的上转换绿、红光均为双光子吸收。银纳米晶产生的局域电场增强使得含银纳米晶玻璃的上转换发光和近红外发光都有增强,其中上转换绿光强度是不掺AgNO₃玻璃的5倍。     

单锥形纳米孔的制备和离子传导特性研究

用荷能重离子径迹刻蚀的方法在高分子多聚物膜 (PET) 上制备出单锥形纳米孔. 刻蚀过程通过监测跨膜电流来控制, 最大刻蚀电流I_max不同, 得到的锥形孔小孔孔径也不同. 研究单锥形纳米孔在KCl 溶液中的I-V曲线发现, 单锥形纳米孔的离子传导呈现出不对称特性, 该现象称为整流效应, 整流系数γ大小随纳米小孔孔径大小和电解质溶液浓度而变化. 关键词： 径迹刻蚀 纳米孔 离子传导 整流系数     

Nd-Fe(Co,Nb)-B交换耦合磁体的磁性

用熔体快淬法结合热处理制备了高性能纳米复合永磁合金Nd₉Fe_85.5-xCo_xNb₁B_4.5(0≤x≤16).最佳磁性能对应的成分为Nd₉Fe_81.5Nb₁B_4.5,其永磁性能如下：最大磁能积(BH)_max＝156kJ/m³,剩磁J_r＝1.11T 关键词：     

基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容存储效应研究

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为30×10¹¹ cm^-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al₂O₃/Pt纳米晶/HfO₂叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8 V扫描电压范围下C-V< 关键词： Pt纳米晶 快速热退火 原子层淀积 存储效应     

Development of highly integrated RSFQ circuits on the basis of intrinsically shunted Josephson junctions

At PTB, for application in rapid single flux quantum (RSFQ) and voltage standard circuits, the development of highly integrated SDE circuits is focused on devices based on intrinsically shunted Josephson junctions in the SINIS and SNS technologies. In SINIS technology, the fabrication process has been optimized to values of the critical current density of j_C=500 A/cm² and the characteristic voltage of V_C=190 μV. To raise the circuit integration level, successive steps of development are shown by the example of the layout of an elementary RSFQ cell designed for higher values of j_C. In SNS technology, a fabrication process has been developed to produce small ramp-type junctions with contact areas smaller than 0.4 μm² and with values for j_C and V_C of about j_C=200 kA/cm² and V_C=20 μV. The design allows the SNS junction size to be further reduced down to the deep sub-micron range.     

悬链曲面上的点粒子动力学及扩展空间约束系统量子化

扩张型正则量子化方案的核心内容是位置、动量以及哈密顿量同时量子化. 通过分析悬链面上粒子的扩张型正则量子化方案, 并且与薛定谔理论进行比较, 发现内禀几何中二维悬链面给不出与薛定谔理论相一致的结果, 而考虑将二维悬链面嵌入在三维欧氏空间之后, 还需要将正则量子化方案进行扩张, 可以得到体系的几何势能和几何动量, 并与薛定谔理论相一致.     

The nuclear-structure dependence of radiative corrections in superallowed Fermi beta-decay

We give a shell-model calculation of the nuclear-structure-dependent axial-vector contribution of the Born graphs to the radiative correction in superallowed Fermi β-decay. The impact of the correction is to give a modest improvement in the test of the conserved-vector-current (CVC) hypothesis, and a slightly smaller value of the quark-mixing matrix element, V_ud. The test of the unitary of the first row of the Kobayashi-Maskawa matrix gives: V_ud² + ν_us² + V_ub² = 0.9962 ± 0.0016, violating the three-generation standard model. Hints from neutron-only data suggest that nuclear-structure corrections in superallowed Fermi β-decay are still not fully under control.     

Investigation on threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs based on p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure

The threshold voltage (V_th) of the p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is investigated via Silvaco-Atlas simulations. The main factors which influence the threshold voltage of p-channel GaN MOSFETs are barrier height Φ_1,p, polarization charge density σ_b, and equivalent unite capacitance C_oc. It is found that the thinner thickness of p-GaN layer and oxide layer will acquire the more negative threshold voltage V_th, and threshold voltage |V_th| increases with the reduction in p-GaN doping concentration and the work-function of gate metal. Meanwhile, the increase in gate dielectric relative permittivity may cause the increase in threshold voltage |V_th|. Additionally, the parameter influencing output current most is the p-GaN doping concentration, and the maximum current density is 9.5 mA/mm with p-type doping concentration of 9.5×10¹⁶ cm^-3 at V_GS = -12 V and V_DS = -10 V.     

分析指认固体中稀土离子4f-5d跃迁光谱的简单模型

概要介绍和总结最近由段昌奎等人提出,并经发展扩充的用以分析指认固体中稀土离子f-d跃迁光谱的简单模型,以及对Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Eu²⁺、Tb³⁺、Ho³⁺、Er³⁺的f-d激发光谱及Nd³⁺的d-f辐射谱的成功应用。也论及值得进一步研究的其他离子的f-d谱。     

NaZnLa(PO4)2中Ce3+和Tb3+的发光

采用高温固相反应合成了NaZnLa(PO₄)₂中掺杂Ce³⁺、Tb³⁺的荧光体,对其晶体结构、发光行为进行了研究,并尝试对NaZnLa(PO₄)₂:Ce,Tb荧光体进行调制。NaZnLa(PO₄)₂是LaPO₄的同构物,为单斜晶系独居石结构,从XRD谱数据得到NaZnLa(PO₄)₂基质的晶胞参数为a=0.6823nm,b=0.7045nm,c=0.6497nm,β=1039°,v=0.303nm³,其晶胞参数与单斜LaPO₄的晶胞参数相似。在NaZnLa(PO₄)₂:Ce,Tb荧光体中,Ce³⁺对Tb³⁺有良好的敏化作用,掺杂适量的BO₃^3-、Al³⁺、Dy³⁺,可以增强发光亮度。     

Vibrationally resolved band profiles for autoionisation of NO (cΠ) nℓλ (vR=0) Rydberg states into NO AΠ (vi=0, 1, 2) vibronic levels

Excitation spectra for dispersed VUV-fluorescence of NO (λ_fl=134–152 nm) were measured in the exciting-photon energy range between 16.9 and 24.8 eV using monochromatised synchrotron radiation at medium bandwidth of 29 meV. Fluorescence from A¹Π (v_i=0, 1, 2) vibronic NO⁺-levels and fluorescence from excited dissociation fragments NI (3s ²P_J) was observed simultaneously by recording the dispersed fluorescence with a monochromator–position-sensitive detector combination. The autoionisation of NO (c³Π) nℓλ (v_R=0) Rydberg levels into the NO⁺ A¹Π (v_i=0, 1, 2) vibronic levels was observed vibrationally resolved. Different Beutler–Fano profiles for autoionisation of one Rydberg level NO (c³Π) nℓλ (v_R=0) into the different vibronic NO⁺ A¹Π (v_i=0, 1, 2) levels are clearly visible. The dependence of the Beutler–Fano profiles on the quantum numbers n, ℓ, and λ of the Rydberg electron is discussed. For the direct photoionisation into the NO⁺ A¹Π (v_i=0, 1, 2) vibronic levels a non-Franck–Condon behaviour was observed.     

二维等离子体并行PIC模拟的性能分析及应用

通过区域分解法实现了二维等离子体粒子模拟程序并行化,并将此程序运行在由16个Pentium Ⅲ 1.6G CPU组成的微机机群上,对其性能进行了测试.结果表明,在计算规模一定的情况下,并行程序的并行效率随计算结点的增加而降低;而在计算节点不变的情况下,并行效率随计算规模的增加而增加,并行计算更适合于计算规模大的物理问题.利用此并行程序计算了等离子体中的束流不稳定性,结果表明,在波动激发的线性增长阶段,等离子体束流激发的Alfv啨n波基本上沿背景磁场方向传播,其波数满足共振条件ω-kV_b=-Ω_i,其中ω和k分别为Alfvén波的频率和波数,V_b为束流的速度,Ω_i为离子的回旋频率.     

Design and simulation of AlN-based vertical Schottky barrier diodes

The key parameters of vertical AlN Schottky barrier diodes(SBDs) with variable drift layer thickness(DLT) and drift layer concentration(DLC) are investigated. The specific on-resistance(R_(on,sp)) decreased to 0.5 m? · cm~2 and the breakdown voltage(V_(BR)) decreased from 3.4 kV to 1.1 kV by changing the DLC from 10~(15) cm~(-3) to 3×10~(16) cm~(-3). The VBRincreases from 1.5 kV to 3.4 kV and the Ron,sp also increases to 12.64 m? · cm~2 by increasing DLT from 4-μm to 11-μm. The VBRenhancement results from the increase of depletion region extension. The Baliga's figure of merit(BFOM) of3.8 GW/cm~2 was obtained in the structure of 11-μm DLT and 10~(16) cm~(-3) DLC without FP. When DLT or DLC is variable,the consideration of the value of BFOM is essential. In this paper, we also present the vertical AlN SBD with a field plate(FP), which decreases the crowding of electric field in electrode edge. All the key parameters were optimized by simulating based on Silvaco-ATLAS.     

核磁共振碳谱研究:烷烃化学位移和(CSS)与分子路径指数矢量(VPM)

系统研究了核磁共振碳谱和化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组十元素分子路径指数矢量VPM,并发现它与烷烃化学位移和CCS有良好线性相关性.采用多元线性回归进行准确估计与预测,结果优良.