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1.
用卢瑟福背散射/沟道技术研究了1MeVSi ̄+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)G_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下,观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围,以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比GaAs更难以损伤,并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于GaAs中的相应临界剂量,用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用CNDO/2量子化学方法计算了GaAs和Al_xGa_(1-x)As中化学键的相对强度,并根据计算结果解释了注入过程中Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs中晶格损伤程度的差别。 相似文献
2.
由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,... 相似文献
3.
用深能级瞬态谱(DLTS)和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入LEC半绝缘GaAs的γ射线辐照缺陷。在Be-Si共注的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐照引入一电子陷阶E2,并且大大增强了原有的E01(0.298)和E02(0.341)等缺陷,同时明显地瓦解了原有的少子陷阱H03。在单纯注Si的LEC半绝缘GaAs中,γ射线辐阳引进了E'01(0.216),E'02(0.341),E'2,E'4和E'5(0.608)等缺陷。其中E01和E'01是新发现的和γ辐照有关的GaAs缺陷。和低阻衬底同质外延GaAs相比,Be-Si共注LEC半绝缘GaAs具有较低的γ射线辐照缺陷引入率,与此相反,单纯注Si的LEC半绝缘GaAs具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
关键词: 相似文献
4.
各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光.进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa). 相似文献
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6.
采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ge_xSi_(1-x)合金,根据总能最小原则计算了Ge_xSi_(1-x)合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,Ge_xSi_(1-x)合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得很好.原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小,对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序. 相似文献
7.
应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
8.
使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa_1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-deHass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m_0/m_0=0.073,m_1/m_0=0.068).随温度降低,子带上占据的电子增多,实验中发现:当样品温度为0.3K,横向磁场从0到7T扫描时,磁阻振荡出现间歇性的反常峰,磁阻振幅陡然增大5-6倍。 相似文献
9.
用深能级瞬态谱(DLTS)技术测量了高温退火的Be和Si共注入的LEC半绝缘GaAs(无掺杂)。在多子脉冲作用下的Al/Be-Si共注LECSIGaAs肖特基势垒中,观测到E01(0.298),E02(0.341),E03(0.555)和E04(0.821)等四个电子陷阱以及两个主要的少子(空穴)陷阱H'03(0.54)和H″03(0.57)。两少子陷阱的DLTS信号具有若干特点,比如它们的DLTS·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度;以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用DLTS技术测量这种陷阱的困难,我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为0.54和0.57eV。它们是新观测到的和Be-Si共注SIGaAs有关缺陷。
关键词: 相似文献
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用低能电子衍射研究了Sb和Bi吸附在InP{110}和GaAs{110}表面上表面结构。结果显示出:对Sb/InP{110},表面原子层间距:d1=0.27±0.23A(膨胀9.4%±0.02A);旋转角ω1为-10.77°±2.29°和ω2为15.26°±0.82°;吸附键长lc1-A=2.84±0.05A,lc2-B=2.75±0.02A,其键角α=101.21°±2.1°,β=107.86° 相似文献
13.
对1.55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽、高和腐蚀深度分别为8、3和2.6μm;2)对Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm、23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成,长度约2mm。结果表明,这种结构器件的内量子效率可达88%。 相似文献
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Si{111}的吸附表面结构 总被引:1,自引:1,他引:0
利用低能电子衍射研究了金属和非金属吸附在Si{111}表面的表面结构。结果显示出:对Al、Ga、Bi和Au原子,形成α-Si{111}3×3R30°-M或β-Si{111}3×3R30°-M结构的共价吸附。对Li、Na和Ag原子,形成正离子吸附,全部经高温解吸后,便诱导出Si{111}1×3重构。对Te原子,形成负离子吸附,经高温解吸后,便诱导出Si{111}类(1×1)结构。 相似文献
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Ma Xinwen Wang Youde Hou Mingdong Jin Gengmin Institute of Modern Physics Academia Sinica Lanzhou September 《原子与分子物理学报》1996,(3)
HIGHLYCHARGEDATOMICPHYSICSATHIRFL-CSRMaXinwenWangYoudeHouMingdongJinGengminInstituteofModernPhysics,AcademiaSinica,Lanzhou73... 相似文献
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THERMALINSTABILITYOFD-TBURNINGPLASMAS¥B.R.SHIY.X.LONGH.G.ZHAO(SouthwesterninstituteofPhysics,P.O.Box432,Chengdu610041,Sichuan... 相似文献
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1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex/Si多量子阱探测器集成的优… 总被引:2,自引:1,他引:1
对1。55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽,高和腐蚀深度分别为8,3和2.6μm,2)对SI1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm,23个周期的6nmSi0.5GE0.5+18nmSi组成,长度约2mm。 相似文献
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拉曼光活性(ROA)经典理论模型研究马树国吴国祯(清华大学物理系北京100084)AClasicalTheoryfortheRamanOpticalActivityMaShuguo,WuGuozhen(DepartmentofPhysics,Tsin... 相似文献