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本文用MOCVD技术在GaAs衬底上成功地制备了具有波导结构的Zn0.8Cd0.2Se-ZnSe应变层超晶格样品,在77K温度的光致发光光谱中观测到n=1的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。在光泵浦下,在波导结构的F-P腔中观测到具有多模结构的受激发射,受激发射谱中的不同模具有不同的阈值功率密度;时间延迟衰减曲线的半宽度越窄,阈值光强越大. 相似文献
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n=1重空穴激子和施主-受主(D-A)对的光致发光在常压MOCVD生长的Zn0.85Cd0.15Se-ZnSe应变超晶格中被观测到了.激子和施主-受主对发光峰值位置随着增加正向偏置电压都相继产生蓝移和红移.这是由量子限制斯塔克效应引起的,究竟是蓝移还是红移则取决于由肖特基势垒引起的内部自建电场与外加正向电压引起的外电场之间的竞争. 相似文献
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本文首次在室温和0-2.5GPa静压范围内研究了Znse/Zn0.74Cd0.26Se应变超晶格的静压光致发光,观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性.经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数.理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好. 相似文献
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在室温下测量了Znse-ZnTe应变层超晶格的光吸收谱,观测到对应于第一轻重空穴跃迁的吸收台阶.根据测量所得的超晶格带隙确定了ZnSe-ZnTe的价带不连续为1.10eV. 相似文献
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本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。
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在16K至室温范围内测量了ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子吸收谱.观测到对应于1E-1HH1E-1LH及1E-3HH跃迁的三个激子吸收峰. 相似文献
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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研... 相似文献
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对磁量子结构中电子在外加恒定电场下的输运性质进行了研究.分别计算了电子隧穿相同磁垒磁阱和不同磁垒磁阱构成的两种磁量子结构的传输概率和电流密度.计算结果表明,在相当宽广的非共振电子入射能区,外加电场下电子的传输概率比无电场时增加.对于电子隧穿相同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,共振减弱;对于电子隧穿不同磁垒磁阱构成的双磁垒结构,无电场作用时的非完全共振在适当的偏置电压下转化为完全共振,这时的电子可实现理想的共振隧穿.研究同时表明,磁量子结构中存在着显著的量子尺寸效应和负微分电导. 相似文献
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李介平 《原子与分子物理学报》1994,11(2):141-146
恒定外电场下,类氢原子的Schrodinger方程可在抛物座标下分离变量,然后求解。渐过波函数的几率振幅极小值定义了Stark能级,在弱电场情形,本文讨论了一种近似计算法。 相似文献
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采用分子动力学模拟的方法研究了过冷水的结构和形核过程随电场强度变化的情况。对系统微观结构的分析显示在电场强度为0~10~(10)V/m范围内,处于200K的过冷水在5 ns时间内不足以发生形核,只有当电场强度增加到10~(11) V/m或者温度降低到100K时系统才能在5 ns内发生形核。模拟结果表明电场强度的改变对系统中水分子团簇的微观结构有明显影响,电场强度的增加能促进系统的短程有序性。 相似文献
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A semiconductor superlattice with a complex unit cell in an external magnetic field is considered. The effect of background dynamics is also discussed.The cyclotron-acoustic plasmons have been investigated. 相似文献
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激光束通过c向静电场作用下的α-碘酸锂单晶时,观察到与c向正交而且张角很大的散射带,其强度在透射光斑的两侧并不对称。当入射光的电向量垂直于c向时,散射光的电向量则平行于c向;而前者平行于c向时,后者则垂直于c向。如果入射光的电向量既不垂直也不平行于c向,则出现电向量分别平行和垂直于c向的两条散射带,在特定条件下它们相重合。本工作详细研究了散射带的偏振态、强度分布的类准周期结构及其弛豫行为等。我们认为这种散射带很可能是由于晶体中载流子沿c向运动产生的某种效应所引起。同时用显微镜观察了解电场作用下α-腆酸锂单
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