基于5-芳基-2-巯基噁二唑辅助配体的双核环金属铂配合物的合成及高效电致红光发光器件

设计合成了一种新型的基于5-芳基-2-巯基噁二唑辅助配体的双核环金属铂配合物（dfppy）2Pt2（C8OXT）2,其中dfppy为2-（4,6-二氟苯基）吡啶,C8OXT为5-苯基-2-巯基-1,3,4-噁二唑桥连配体.系统研究了该双核铂配合物（dfppy）2Pt2（C8OXT）2的热稳定性、光物理、电化学及电致发光性能.以（dfppy）2Pt2（C8OXT）2作为客体掺杂到聚合物主体材料中制备了单发光层聚合物电致发光器件.器件展现了饱和的红光发射,其最大发射峰为620nm.当配合物掺杂浓度为8wt%时,器件性能达到最好.其最高外量子效率为8.4%,最高电流效率为4.2cd/A,最大亮度为3228cd/m2.本研究表明,以5-苯基-2-巯基-1,3,4-噁二唑作为桥连配体的双核铂配合物在聚合物器件中能够实现高效红光发射.     

一种可旋涂的磷光铱(Ⅲ)配合物的合成及其在OLED器件中的性能

以1-(6-(9-咔唑基)己基)-2-苯基咪唑(Czhpi)为主配体,2-(5-(4-氟苯基)-1,3,4-三唑)吡啶(fpptz)为辅助配体,合成了一种溶解性好的可用于湿法旋涂制备有机电致发光器件的磷光铱(Ⅲ)配合物(Czhpi)2Ir(fpptz)。通过紫外-可见吸收光谱、发射光谱、低温磷光光谱及热重分析对其光物理性质和热稳定性进行了研究。将配合物(Czhpi)2Ir(fpptz)掺杂在1,3-二唑-9-基苯(mCP)中,作为发光层,经湿法旋涂制备了有机发光二极管器件。结果显示,该器件的最大电致发光谱峰位于523nm,最大电流效率约5.74cd·A-1,最大功率效率为2.88lm·W-1,色坐标显示在(0.31,0.41)附近。     

铱配合物的电致化学发光性能研究

结构相关的铱配合物[Ir(ppy)2L1](PF6)和[Ir(ppy)2L2](PF6)(ppy=2-苯基吡啶,LI=4-(2,2'-联吡啶-3-乙炔基)-N-(吡啶-2-亚甲基)-N-(噻吩-3-亚甲基)苯胺,L2=4-(2,2'-联吡-3-乙炔基)-N-二(吡啶-2-亚甲基)-苯胺)都具有优良的电致发光(ECL)性...     

以5-取代-8-羟基喹啉和2-苯基吡啶为配体的金属铱配合物的合成、表征及光致、电致发光性质

本文通过在8-羟基喹啉的5位上引入氨基和取代的苯基,合成了系列二-[2-苯基吡啶（C^N）][5-取代-8-羟基喹啉（N^O）]铱（Ⅲ）配合物（（C^N）2IrQ）.这里CN代表2-苯基吡啶,Q代表5-取代-8-羟基喹啉.通过1HNMR、13CNMR、MS、元素分析、单晶X-衍射等对配合物的化学和晶体结构进行了表征.利用循环伏安、UV-Vis、光致和电致发光光谱等对它们的光物理性质进行了表征.热重分析表明苯环上的取代基对配合物热稳定性有很大影响.常温下,几种5-取代苯基喹啉铱配合物的溶液和固体产生红色磷光发射,光致发光（PL）光谱在666和687nm附近出现两个强度基本相等的发射峰.配合物的发光性质主要受喹啉环和5位苯基的影响,苯环上的取代基团对配合物的发光性质影响不大.而5-氨基喹啉铱配合物PL光谱的最大发射峰在550nm,其PL光谱主要受2-苯基吡啶的影响.将配合物二-[2-苯基吡啶（C^N）][5-（4-甲氧基苯基）-8-羟基喹啉（N^O）]铱（Ⅲ）（7b）掺杂在聚2,7-（9,9-二辛基）芴（PFO）和30%（质量分数）的2-对叔丁基苯基-5-对联苯基-1,3,4-口恶二唑（PBD）的主体材料中,制备了聚合物发光器件（OLED）,器件电致发光（EL）光谱的发射峰在672nm处,18V时最大亮度为350cd/m2,在电压14V时CIE色坐标值为（0.61,0.33）,是一红光OLED器件.     

一种含载流子传输基的铱配合物:合成及深黄色电致磷光器件

合成了一种含有载流子传输基新的铱配合物(BPPBI)2Ir(ECTFBD)[HBPPBI:1-苯基-2-(4-联苯基)苯并咪唑,HECTFBD:1-(9-乙基-3-咔唑基)-4,4,4-三氟-1,3-丁二酮],其结构和组成经核磁共振氢谱和元素分析所证实。研究了这种铱配合物二氯甲烷溶液的光物理和电化学性质。制作了基于这种铱配合物的电致磷光器件。器件结构是ITO/MoO3(10 nm)/NPB(80 nm)/CBP:x%(BPPBI)2Ir(ECTFBD)(20 nm)/TPBi(45 nm)/LiF/Al[x%:质量百分比为4%和7%的掺杂浓度;NPB:N4,N4′-二(1-萘基)-N4,N4′-二苯基-4,4′-联苯二胺,CBP:4,4′-二(9-咔唑基)联苯,TPBi:1,3,5-三(2-(1-苯基)苯并咪唑基)苯]。这些器件显示出深黄色的发射。对于7%掺杂浓度器件,最大的电流效率和最大发光亮度分别是5.2 cd.A-1和8 690 cd.m-2。     

侧链含金属铱配合物的电磷光白光聚合物

设计了一系列新型芴-咔唑电磷光共轭聚合物.通过共价键将双(2-(9,9-二乙基-9H-芴-2-基)吡啶-N,C2’)合铱(III)(Ir Fpy)接枝到3,6-二溴咔唑的N-烷基侧链,采用Suzuki缩聚反应合成了铱配合物(Ir Fpy)含量分别为0.25 mol%,0.5 mol%和1 mol%的聚合物PF-Ir Fpy.当引入的配合物Ir Fpy含量为1 mol%时,得到的共轭聚合物发射色坐标为(0.44,0.56)的黄光.随着接枝的铱配合物Ir Fpy在共轭聚合物中含量降低,作为主体的聚(9,9-二辛基芴)蓝光发射不能被完全淬灭,得到共聚物同时发射主体蓝光及客体铱配合物黄光的单分子白光共轭聚合物.共聚物发光器件结构为ITO/PEDOT:PSS(50 nm)/polymer+PBD(30 wt%)(80nm)/Ba(4 nm)/Al(150 nm)[氧化铟锡/苯磺酸掺杂聚乙烯基二氧噻吩/聚合物+(2,4-二苯-5-4-叔丁基苯-1,3,4-噁二唑)(w=30%)/钡/铝],基于共聚物PF-Ir Fpy025的器件流明效率为3.97 cd/A,色坐标为(0.34,0.34),非常接近于标准白光发射的色坐标(0.33,0.33).为了研究采用共聚物PF-Ir Fpy025和PF-Ir Fpy05制备的白光器件的光谱稳定性,测试了外加电压在8~13 V范围内的EL光谱,当外加电压从8 V升高到13 V时,两个EL器件都表现出了良好的EL光谱稳定性.研究结果表明,在共轭聚合物侧链上引入螯合金属铱配合物单元是实现高效、稳定的白光电致磷光器件的有效方法之一.     

具有电子传输特性的Be金属配合物作为磷光主体材料的电致发光性能

采用具有优良电子传输特性的铍金属配合物二合铍(Ⅱ)(Bempp)作为磷光客体材料二(2-苯基吡啶)(N,N'-二异丙基苯甲脒)合铱(Ⅲ)(PPP)的主体材料制备磷光电致发光器件. 与经典的空穴传输型主体材料4,4'-二(N-咔唑)联苯(CBP)相比, Bempp更有利于空穴、 电子的注入及传输的平衡, 与PPP间存在更高效的能量转移. 该器件的各项性能指标, 包括最大效率和流明效率(63.1 cd/A和54.0 lm/W), 均明显高于采用CBP作为主体材料的磷光器件.     

带烷氧基的苯基蒎烯吡啶铱配合物在聚合物电致发光器件中的应用研究

采用旋涂法将一组带烷氧基的苯基蒎烯吡啶铱(Ⅲ)配合物(Ir(RO-pppy)₃)磷光材料掺杂到PVK中,制作出了聚合物电致发光器件:ITO/PE-DOT:PSS(40 nm)/PVK_0.7:PBD_0.3:(x%.)Ir-complex(80 nm)/CsF(1.5 nm)/Mg:Ag(200 nm).实验结果表明,带有长烷氧基链配体的铱(Ⅲ)配合物能表现出更好的器件行为,当掺杂浓度为3.2%时,器件的最高发光效率达19.9 cd/A(7.8 lm/W,9.1V),CIE为(0.20,0.56);器件最大亮度为15700 cd/m²(8.4V).通过对这组铱(Ⅲ)配合物的光物理行为及电化学性能的研究,考察了主体材料与配合物之间的能级配置以及能量转移的机理.     

新型铱配合物的合成及电致发光性质研究

合成了一种新型橙红色磷光材料铱的配合物(npp)₂Ir(acac)(npp=2-(1-萘基)-4-苯基吡啶，acac=乙酰丙酮)，通过 ¹H NMR、MS、元素分析对其结构进行了表征。以铱配合物(npp)₂Ir(acac)作为发光体，制备了结构为ITO/Ir(5%)：PVK(60 nm)/F-TBB(15 nm)/Alq₃(15 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的电致发光器件，研究了其电致发光性质。结果表明器件的最大发射波长在599 nm，最大发光亮度为3 841 cd·m^-2，最大电流效率达3.9 cd·A^-1。     

铱配合物为核、聚对苯为枝的超支化电磷光聚合物的合成与发光性能

用Suzuki缩聚反应合成了以三-(2-间溴苯基吡啶)合铱为核,以聚2,5-二辛氧基苯为枝的超支化电磷光绿光聚合物（PPPIrppy）。 聚合物中当铱配合物摩尔分数大于0.5%时,主体的发射被完全淬灭,电致发光（EL）光谱只有位于520 nm处的绿光发射,表明主客体之间发生了有效的能量转移。 基于铱配合物摩尔分数为1％的聚合物的发光器件(器件结构：ITO/PEDOT:PSS/emissive layer/Ba/Al)在电流密度为40×10-3 A/cm2时,最大电流效率达到2.89 cd/A,器件的最大亮度达到1 689 cd/m2,色坐标为（0.34,0.59）。     

Highly efficient pure white polymer light-emitting devices based on poly(N-vinylcarbazole) doped with blue and red phosphorescent dyes

Efficient white-polymer-light-emitting devices (WPLEDs) have been fabricated with a single emitting layer containing a hole-transporting host polymer,poly(N-vinylcarbzole),and an electron-transporting auxiliary,1,3-bis[(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazolyl]-phenylene,codoped with two phosphorescent dyes:Iridium(III)bis (2-(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2') picolinate (FIrpic) and home-made Ir-G2 for blue and red emission,respectively.With the structure of ITO/PEDOT:PSS 4083(40 nm)/emission layer(80 nm)...     

蓝色磷光材料FIrpic的发光特性

研究了掺杂浓度及热退火对磷光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2?)吡啶甲酰合铱(FIrpic)发光性能的影响.不同掺杂浓度的薄膜及有机电致发光器件(OELDs)的发光颜色都随FIrpic浓度的增大由蓝色逐渐变化到黄绿色.纯FIrpic薄膜的吸收光谱和光致发光(PL)光谱在440-480nm范围内有明显的光谱重叠,476nm处的发光强度随FIrpic掺杂浓度增大而降低主要是由自吸收效应引起的.测量了不同激发密度下的光致发光光谱和不同掺杂浓度下的电致发光(EL)光谱,发现530nm处的发光强度随激发强度或掺杂浓度的增大而增强,证实了530nm处的发光是来源于FIrpic分子间的激基缔合物发光.通过比较热退火前后薄膜微观形貌及电致发光器件光谱的变化,进一步证实了热退火促进FIrpic分子聚集,增强了FIrpic分子间的辐射跃迁发光.通过调控FIrpic掺杂浓度和优化器件结构,并对器件进行热退火处理得到一系列发光颜色从蓝色逐渐变化到黄绿色的有机电致发光器件.     

新型2-取代苯基-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉基Ru(II)配合物的光电性质

为获取具有活性官能团的接枝型、高性能荧光传感配合物,合成了2-(4-氨基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉(CImPB-NH2)、2-(4-羟基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉(CImPB-OH)、2-(4-羧基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉(CImPB-COOH)和2-(4-硝基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉(CImPB-NO2)四种配体,借助紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、荧光(PL)光谱、循环伏安法(CV)和含时密度泛函理论(TD-DFT)对上述四种配体与过渡金属元素钌(Ru)所形成的配合物的光电性能进行研究.结果表明:四种配合物均在可见光区域有较强吸收,发光范围覆盖绿色到红色光波段.在极性溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中,以2-(4-氨基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉为配体所构建的钌配合物([Ru(CImPB-NH2)(bpy)2]2+的荧光量子产率(Φ)较不含咪唑环的5-氨基邻菲啰啉合钌([Ru(phen-NH2)(bpy)2]2+)的提高了67%,以2-(4-羧基苯基)-1H-咪唑[4,5-f][1,10]邻菲啰啉所构建的钌配合物([Ru(CImPB-COOH)(bpy)2]2+)的Φ可达29.8%,是[Ru(phen-NH2)(bpy)2]2+的18倍.理论计算表明:配体中取代苯环、咪唑环和邻菲啰啉的稠环共平面,形成共价大π体系,其有效共轭长度较邻菲啰啉母体有显著增加,配合物是以Ru为中心的近似八面体构型,理论计算的电子吸收光谱和跃迁性质与实验结果相一致.上述研究有可能为接枝型、高性能荧光传感配合物的设计和筛选提供实验依据.     

双四甲基铵四[4,4'-双(4",4",4"-三氟代-1",3"-二氧代丁基)联苯]双核铕(Ⅲ)配合物的合成及发光

合成了新配合物[N(CH_3)_4]_2[Eu_2(btb)_4](H_2btb=4,4'-双(4",4",4",-三氟代-1",3"-二氧代丁基)联苯).通过元素分析、红外光谱、紫外光谱对配合物的结构予以表征.在近紫外激发下,该配合物发射出强的铕离子特征红光.监控614nm的发射光,其激发光谱在391nm处具有很强的激发强度,能够被InGaN芯片发射光有效激发而发红光.将该配合物与395 nm发射的InGaN芯片组合制成了红色发光二极管,当配合物和硅树脂的质量比为1:30时,红色发光二极管的色坐标为x=0.6214,y=0.3159,器件的发光效率为0.59 lm·w~(-1).结果表明,配合物[N(CH_3)_4]_2[Eu_2(btb)_4]是制作白光二极管可供选用的红色发光材料.     

四[4,4'-双(4",4",4"-三氟代-1",3"-二氧代丁基)邻三联苯]双核铕配合物的发光及其在发光二极管中的应用

合成了一个双核铕的配合物,[HN(CH3CH2)3]2[Eu2(bdb)4]·CH3CH2OH,{H2bdb=4,4'-双(4",4",4"-三氟代-1",3"-二氧代丁基)邻三联苯}.该配合物在紫外和近紫外光激发下发出铕离子特征红光.配合物中三价铕离子的5D0激发态寿命为704μs,寿命曲线很好地和单指数衰减拟合曲线相吻合.监控614nm的红光发射,激发光谱位于250～420nm范围.在395nm处具有很强的激发强度,该配合物能够被395nm发射的InGaN芯片发出的近紫外光激发而发红光.变温光致发光测定表明,该配合物的温度淬灭效应很小.当温度升高到200℃,依然发射出很强的红光.配合物热稳定性达到260℃.发光性质和热稳定性满足制备LED器件的要求.将该配合物与395nm发射的InGaN芯片组合制备了红色发光二极管,当配合物和硅树脂的质量比为1:20,工作电流为20mA时,红色发光二极管的色坐标为x=0.61,y=0.31,发光效率为3.64lm/W.将该配合物与发蓝绿光的二-2-(2'-羟基苯基)苯并噻唑锌混合涂布在395nm发射的InGaN芯片上制备成了白光发光二极管,合适的质量比为铕配合物:锌配合物:硅树脂=1:1:25.工作电流为20mA时,色坐标x=0.32,y=0.32;色温Tc=6026K;显色指数Ra=81;发光效率为1.26lm/W.结果表明,该配合物是制备半导体高显色指数白光LED的一种红光材料.     

A Novel White Light Emitting Long-lasting Phosphor

A novel white light emitting long-lasting phosphor Cd1-xDyxSiO3 is reported in this letterThe Dy^3 doped CdSiO3 phosphor emits white light. The phosphorescence can be seen with the naked eye in the dark clearly even after the 254nm UV irradiation have been removed for about 30min. In the emission spectrum of 5% Dy^3 doped CdSiO3 phosphor, there are two emission peaks of Dy^3 , 580nm (^4F9/2→^6H13/2) and 486nm (^4F9/2→^6H15/2), as well as a broad band emission located at about 410nm. All the three emissions form a white light with CIE chromaticity coordinates x=0.3874, y=0.3760 and the color temperature is 4000 K under 254 nm excitation. It indicated that this phosphor is a promising new luminescent material for practice application.     

4,4′-双(4″,4″,4″-三氟代-1″,3″-二氧代丁基)联苯铕配合物的合成及发光性能

合成了2个新的配合物Eu2(btb)3(H2O)4(1)和Eu2(btb)3(phen)2(2)[H2btb=4,4′-双(4″,4″,4″, -三氟代 - 1″,3″-二氧代丁基)联苯, phen=1,10-邻菲罗啉]. 采用元素分析、红外光谱、紫外光谱和快原子轰击质谱表征了2个配合物的结构. 在近紫外光激发下, 配合物1和2都发射出强的铕离子特征红光. 对614 nm 红光进行监控, 其激发光谱在395 nm处具有最大的激发强度, 与InGaN芯片发射的近紫外光激发相匹配. 将配合物1和2与395 nm 发射的InGaN芯片进行组合制备了红色发光二极管. 在配合物和硅树脂的质量比为1∶25的情况下, 2个红色发光二极管的色坐标分别为x1=0.5210, y1=0.2285(配合物1); x2=0.5835和y2=0.2857(配合物 2), 位于标准的国际色坐标红色区域; 器件的发光效率分别为0.65和0.76 lm/W. 研究结果表明, 配合物1和2是制作白光二极管可供选用的红色发光材料.     

高效白色磷光有机电致发光器件

采用真空热蒸镀方法以4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl) benzothiazolato-N,^C2] iridium (acetylacetonate) [(t-bt)₂Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层, 制备了高效白光的有机电致发光器件(OLEDs). OLEDs的器件结构为indiumtin oxide (ITO)/N,N’-bis-(1-naphthyl)-N,N’-biphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (NPB)/CBP: (t-bt)₂Ir (acac)/NPB/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP)/8-hydroxy quinoline aluminum(Alq₃)/Mg:Ag, 从ITO阳极开始的第一层NPB为空穴传输层, 第二层超薄的NPB为蓝色发光层, BCP为空穴阻挡层和激子阻挡层, Alq₃为电子传输层. 结果表明, 器件电压在3 V启亮, 在16.5 V时, 器件的最高亮度达到15460 cd·m^-2; 在4 V时, 器件达到最大流明效率为7.5 lm·W^-1, 器件启亮后所发出的白光光谱在低电压时随电压变化有稍微的移动, 但是都在白光范围内变化. 在电压达到8 V后Commission Internationale I’Eclairage(国际照明委员会) (CIE)色坐标为(0.33, 0.32), 并且光谱及色坐标稳定, 不随电压变化而改变, 与最佳的白光坐标(0.33, 0.33)几乎重合. 同时, 从机理上解释了光谱移动和效率衰减的原因, 并探讨了载流子陷阱和能量传递的关系.     

Photochromic properties of 1,3,3-trimethylspiro[indoline-2,3′-[3H]naphtho[2,1-b][1,4]oxazine] doped in PMMA and epoxy resin thin films

Irradiation of colorless 1,3,3-trimethylspiro[indoline-2,3′-[3H]naphtho[2,1-b][1,4]oxazine] SO doped in PMMA and epoxy resin with UV light (at 366 nm) results in the formation of an intensely colored zwitterionic photomerocyanine PMC. The reverse reaction was photochemically induced by irradiation with white light. Photocoloration and photobleaching reactions follow a first-order rate equation. It was found that photocoloration rate constant of SO in PMMA film is greater than that in epoxy resin. On the other hand, the photobleaching rate constant is almost identical in both matrices. Spirooxazine doped in epoxy resin shows much better fatigue resistance than that doped in PMMA.     

Linear and star-shaped polynuclear Ru(II) complexes of 2-(2'-pyridyl)benzimidazolyl derivatives: syntheses, photophysical properties and red light-emitting devices

Two new star-shaped ligands with a 1,3,5-triphenylbenzene core, tmpb (1,3,5-tris[p-2-(2'-pyridyl)benzimidazolylphenyl]benzene), and a 2,4,6-tris(p-biphenyl)-1,3,5-triazine core, tmbt (2,4,6-tris[p-2-(2'-pyridyl)benzimidazolylbiphenyl]-1,3,5-triazine), have been synthesized. Their corresponding trinuclear Ru(II) complexes [Ru3(tmpb)(bpy)6](PF6)6 (3) and [Ru3(tmpt)(bpy)6](PF6)6 (4) have been obtained. Two dinuclear linear Ru(II) complexes with previously reported ligands bmb (1,4-bis[2-(2'-pyridyl)benzimidazolyl]benzene) and bmbp (4,4'-bis[2-(2'-pyridyl)benzimidazolyl]biphenyl) and formulae [Ru2(bmb)(bpy)4](PF6)4 (1) and [Ru2(bmbp)(bpy)4](PF6)4 (2) have also been synthesized. Photophysical and electrochemical properties of the new compounds have been investigated. All four compounds display a characteristic metal-to-ligand-charge transfer (MLCT) absorption band and emit a red light when excited at the maximum of the MLCT band with emission maximum at 624, 629, 623 and 625 nm, respectively in neat films at ambient temperature. The emission quantum efficiency of the four complexes in neat films was determined to be 0.15, 0.17, 0.04 and 0.05, respectively. Light emitting devices based on these four compounds were fabricated by spin-casting the compound as a neat film to an ITO substrate, followed by the deposition of an aluminium metal layer. All devices emit a deep red light and the device behavior resembles that of a light emitting electrochemical cell. The EL maximum of the devices 1, 2, 3, and 4 is at 637, 657, 678, and 655 nm, respectively. All four devices have a fast response time when a sufficiently high voltage is applied. The device based on 2 is the brightest with a maximum luminance of 133 cd m(-2) at 7 V. The performance of devices based on 1, 2, and 4 is in general much more efficient than the device based on [Ru(bpy)3](PF6)2, which was fabricated and evaluated under the same experimental conditions as for the devices based on 1-4.