Li掺杂熔融织构YBCO晶体的面内磁阻

在0～9T范围内测量了磁场平行于c-轴时Li掺杂熔融织构YBCO样品面内电阻的温度关系.我们用A～H模型拟合实验数据.结果表明,以R/Rn=20%作为高阻区和低阻区的分界线,R～T曲线可分别用R=Rn{I0[CH-p(1-t)q]}-2来描述,其中Rn是正常态的电阻Rn=-5.36 0.145T.p=0.78,1.88 和q=1.5, 3.5分别是高阻区和低阻区的拟合参数.     

La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/x（Sb2O3）体系电输运性质及MR温度稳定性

用固相反应法制备La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/x(Sb2O3)(x=0.00,0.02,0.04,0.05,0.075,0.10,0.15)系列样品,通过X射线衍射(XRD)谱、电阻率-温度(ρ～T)曲线、ρ～T拟合曲线、磁电阻-温度(MR～T)曲线,研究了该体系的电输运性质及MR的温度稳定性.所有样品的电输运性质都表现出绝缘体-金属相变,相变温度很高(312K)且基本保持不变,随Sb2O3复合量增大,电阻率迅速增大,类金属导电可以用ρ=ρ0+AT2公式拟合,表明导电机制是电子-电子相互作用,x=0.075的样品,在200～320K温区磁电阻基本保持不变,MR的温度稳定性是晶界引起的隧穿磁电阻与钙钛矿颗粒体相本征磁电阻竞争的结果.     

单晶SiNd：YAG激光连续退火的数值计算

应用固相外延模型来模拟单晶Si的连续Nd：YAG激光退火过程,在低功率密度连续激光退火下,用准静态模型模拟辐照区向非辐照区的径向传导散热。在数值计算中，应用部分线性法处理非线性非齐次热传导方程,得到相应的隐格式差分方程，再用追赶法求解隐格式差分方程,得出绝热边界条件下的温度的时间和空间分布，从而得出激光退火的再结晶厚度。当激光波长λ=1．06μm、功率密度io=700W／cm^2。预热温度T0=523K时，经过0．7秒，表面温度度升到1290K左右，再结晶厚度约为0．5μm。     

集成光学 光波导材料与制备

TN252 2006065160在高阻硅村底上制备低微波损耗的共面波导=Low-mi- crowave loss coplanar waveguides fabricated on high-resis- tivity silicon substrate[刊,英]/杨华(中科院半导体所光电子研究发展中心．北京(100083)),朱洪亮…//半导体学报．—2006．27(1)．—1-4分别在普通的低阻硅衬底、带有3/μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输     

自由基CH（X^2П，α^4∑^-）的光谱数据从头算研究

用分子轨道从头算方法，对CH自由基的基态（X^2П）和低激发态（α^4∑^-）的光谱数据进行了计算。计算结果表明，在基态CH（X^2П）时。在QCISD（T）／6-311G＋＋（3df．3pd）水平上．计算所得的键长R=0.1120981nm，偶极矩μ=1．5891 Debye，υ=2845．43cm^-1均与实验值相吻合，在B3PW91／6-311G＋＋（3df，3pd）理论水平上，计算的基态能量为-38．496143Hartree。误差仅为0．22％；对低激发态CH（α^4∑^-），使用含时的密度泛函方法（TDDPT）和大基组6—311＋＋G（3df，3pd）计算所得的R=0．1094nm，垂直跃迁能量为0．926eV，均与实验结果有较好的吻合。     

双掺杂La0.67+1.33xSr0.33-1.33xMn1-xMgxO3体系的磁性和输运行为

用标准的固相反应法制备了双掺杂La0.67 1．33xSr0．33-1．33xMn1-xMgxO3(x=0．00,0．05,0．10,0．15,0．20,0．25)多晶样品,研究了它们的磁性和输运行为。对x=0．10和0．15,在温度高于Tc^cnset时出现相分离;对x=0．20和0．25,在低温区出现反铁磁行为。低掺杂样品ρ-T关系存在金属．绝缘体相变,高掺杂样品在测量温区内仅显示绝缘体行为。这些奇异现象用M-H关系、ESR曲线和拉曼光谱给予了很好的解释。     

La1－xPrxMnO3(x=0.1，0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究

一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La_1-xPr_xMnO₃(x=0.1，0 .2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO₃单晶基底上.XRD结果显示 薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CM R)效应，其中磁电阻比率达95％(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体 系中Pr离子的价态为+4价，因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系. 关键词： 脉冲激光沉积 1-xPr_xMnO₃')" href="#">La_1-xPr_xMnO₃ 电子 掺杂 庞磁电阻     

零磁场下La_(0.67)Sr_(0.33-x)Na_xMnO_3的电输运特性研究

采用固相反应法制备了样品La0.67Sr0.33-xNaxMnO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.33).通过样品的红外吸收光谱、Ramam光谱、ρ～T曲线以及ρ～T拟合曲线,研究了样品的晶格结构变化和输运性质.结果表明:随Na掺杂的增加,Mn-O-Mn的键长、键角变化加大;体系属于双交换作用输运机制;在低温区(TTp),用[ρ-Texp(T0/T)]拟合得很好,ρ(T)符合极化子近邻跃迁模型.     

非等同两原子与光场相互作用系统的腔场谱

研究了两个二能级原子与单模腔场具有不同耦合常量系统的腔场谱,讨论了量子化光场分别处于不同的光子数态时腔场谱结构随相对耦合常量R变化的新特性。发现随着R由0到1的增加,腔场谱各对应峰峰位相对腔场原共振频率ω0对称偏移;真空场（n=0）的峰高在0〈R〈0．3内变化较快,其拉比峰个数按2→6→4规律变化;弱场（n=1）峰高在0〈R〈0．5内变化较快,其峰数量按2→6→12→9→7规律变化;强场（n=8）峰高在0〈R〈0．1内改变迅速,其峰数量按2→8→11→5规律变化,谱结构显得更加复杂;进一步的计算表明,当n〉〉8时。其峰的数量按3→5→3规律变化。同时发现,R=0和R=1时,峰的数量相对较少。各峰峰高之和由最小单调增至最大,这在物理上反映了原子的协作效应。     

MgxB2起始成分对不可逆场和临界电流密度的影响

我们用固相反应法成功合成了MgrB2（0．5≤x≤1．3）系列样品，并对其结构，临界电流密度（Jc）和不可逆场（Hirr）进行了研究．实验结果表明，随着x增大晶格常数α逐渐增大，而晶格常数c在x=0．9左右达到最大值．所有x〉0．5的样品在零场下的Jc值都在10^6A／cm^2左右．然而在高磁场下，Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大．20K时．Mg0．8B2样品的不可逆场达到最大值5．2T，比MgB2样品要高出0．8T．研究表明，高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关．