高T_c氧化物超导体的元素替代效应（Ⅲ）

本文是同题系列文章的第三部分。主要总结了几种特殊元素替代效应的有关最新结果,包括如ＹＢＣＯ单晶体ＣｕＯ＿２平面和Ｃｕ－Ｏ链Ｃｕ位的３ｄ过渡族元素替代,（Ｙ,Ｐｒ）Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的问题,阳离子替代和氧的化学计量比的改变而引起的各向异性物性的改变,氧化物超导体超晶格和电子型超导体（Ｎｄ,Ｃｅ）＿２ＣｕＯ＿４系列的元素替代效应及其与空穴型超导体的比较。最后详细讨论了费密液体图像失效的Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ液体理论和有关高温超导体元素替代效应的一些推论。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应(Ⅱ)

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。     

高T_c氧化物超导体的元素替代效应（Ⅲ）

本文是同题系列文章的第三部分。主要总结了几种特殊元素替代效应的有关最新结果，包括如ＹＢＣＯ单晶体ＣｕＯ＿２平面和Ｃｕ－Ｏ链Ｃｕ位的３ｄ过渡族元素替代，（Ｙ，Ｐｒ）Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的问题，阳离子替代和氧的化学计量比的改变而引起的各向异性物性的改变，氧化物超导体超晶格和电子型超导体（Ｎｄ，Ｃｅ）＿２ＣｕＯ＿４系列的元素替代效应及其与空穴型超导体的比较。最后详细讨论了费密液体图像失效的Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ液体理论和有关高温超导体元素替代效应的一些推论。     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应（Ⅰ）

本文就高Tc氧化物超导体中的元素替代效应,尤其是对123相化合物中不同原子位置上部分元素替代所导致的晶体结构、氧含量、正常态和超导态性质,以及载流子浓度等的变化作了系统的评述。深入讨论了从中给出的有关高温超导电性微观机制的信息。     

高T_c氧化物超导体

自从1911年 Onnes 发现超导体以来,由于 Müller,朱经武,赵忠贤等发现,氧化物超导体,从而突破了超导转变温度以每年提高大约零点三度的缓慢进程(见图1),把液氮温区超导的梦想变成了现实,引起了社会的极大关注,在全世界形成了一股强大的超导热潮.     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应（Ⅱ）

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。     

Eliashberg理论与高T_c氧化物超导体

本文利用有效声子谱的Einstein谱α(w)F(w)=π/2 w_(10)δ(w-w_(10))和双δ函数谱α_2(w)F(w)=(λph/2)w_(ph)δ(w-w_ph)+(λ_(10)/2)w_(10)δ(w-w_(10))(w_(10为高频纵光学声子频率),求解在T=T_c时Matsubara表象中的Eliashberg方程,导出了高T_c氧化物超导体临界温度的计算公式,并对YBaCu_3O_7超导体作了T_c的数值计算。     

高T_c氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)的“不可逆线”

研究了高T_c氧化物超导体Bi(Pb)-Sr-Ca-Cu-O(F)体系的“不可逆线”。发现不可逆磁场H~*<120Oe时,H~*=1590(1—t)~3/2;当120Oe相似文献   

高T_c Y-Ba-Cu氧化物超导体系的半导体相转变

本文研究高T_cY-Ba-Cu氧化物超导样品中半导体相,把它与超导相的扫描X射线能谱相比较,发现半导体相缺钡。控制退火温度,气氛和偏析等手段,使含半导体相较多的样品表层Ba的比例接近超导相比例,在样品表层形成超导层,实现半导体相向超导相转变。     

高Tc氧化物超导体的电子结构

本文综述了高Tc氧化物超导体(La_2CuO_4及YBa_2Cu_3O_(7-8)的(计算)电子结构。本文基于Freeman教授研究组的工作。 (1) 体心四方结构的La_2CuO_4能带结构计算结果表明:La_2CuO_4的电子结构由在正方形Cu-O平面内的Cu3d-O2p相瓦作用所控制。存在一个沿[110]方向|q|=2k_F(强的)迭套的Fermi表面,它导致了电子驱动的结构失稳,以及在电子状态密度上的VanHove对数奇性。此种Fermi面的迭套被认为是引起了(Peierls 2k_F)失稳性,从而解释了La_(2-x)M_xCuO_4由四方结构到正交结构的相变。 (2) 如同在La_(2-x)M_xCuO_4中的情况一样,具正交结构的YBa_2Cu_3O_(7-8)的电子结构由Cu-O间的相互作用所支配;同时存在着二维及一维的Cu3d-O2p相互作用为YBa_2Cu_3O_(7-8)电子结构的特征。YBa2Cu_3O_(7-8)在E_F处的状态密度值低于La_(2-x)M_xCuO_4的相应值,在YBa_2Cu_3O_(7-8)中的Y或Ba原子作用如同一电子的施主。     

高临界温度氧化物超导体的临界电流

本文从高T氧化物超导体的基本物理、化学性质出发,深入分析了提高其临界电流密度的关键所在。评述了当前薄膜、体材料、线材和带材料发展的工艺状态和性能。指出了今后的发展趋向和应用前景。     

高Tc铜氧化物超导体的结晶化学和分块设计

本文简要地描述了已发现的铜氧化物超导体的不同结构类型,并按其中CuO平面的不同连接和分隔方式做了分块划分。利用这些连接、分隔的不同方式可以组合出新的结构类型。这种思想已被铅系的Pb-2222(PbBaSr(NdCe_2)Cu_3O_y),LaBa(NdCe)_2Cu_3O_y和Ta-1222等新化合物的设计和成功制备所证实。最后提出了寻求新型层状铜氧化物和超导新体系的可能方向。     

脉冲磁场测量小信号高T_c氧化物超导体上临界场的方法

本文讨论了一种脉冲磁场下确定高T_c氧化物上临界场的方法。利用锁相放大器,使测量信噪比提高近二个量级。本文分析了所测量的信号。 确定H_(c2)为磁阻饱和时的磁场。最后测量了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_(3.2)O_y的H_(c2)与温度关系。     

高T_c氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述

高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术,也跟其它镀膜技术一样,在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作,对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍,并对该领域未来的发展作一些展望     

高临界温度氧化物超导体的超导特征参量:λζ和Δ

磁场穿透深度(λ)、相干长度(§)和能隙(△)是表征超导体处于超导态时其内禀特性的三个物理参量,是了解超导体的独特性质、探索超导机理和建立微观理论的依据和约束。本文在简要介绍传统超导体中有关λ、§和△的引入与测量方法的基础上,着重评述用于高Tc氧化物超导体中有关λ、§和△的新测量方法,以及目前对各种类型高Tc超导体所给出的实验结果。     

人工金属超晶格(Ⅰ)

本文系统地讨论人工金属超晶格的制备、表征和物理性质,包括磁性、输运特性和超导电性。第一部分重点谈样品制备和异常磁性。     

关于高T_c氧化物超导体的能隙及其超导态下残余电子比热问题

本文讨论了自由载流子负 U 中心相互作用机制下高 T_c 氧化物超导体的能隙和超导态下极低温时残余线性电子比热项的问题。对 La-Sr-Cu-O 和 Y-Ba-Cu-O 两个系统所得的能隙的数值计算结果分别为2△(0)/k_BT_c=4.00和4.22;两系统的超导态下极低温时残余线性电子比热项的电子比热系数分别为 C_1=2.25和3.04 mJ/mol·K^2.这些数值计算结果与实验数据比较大体一致.     

关于高T_c氧化物超导体的能隙及其超导态下残余电子比热问题

本文讨论了自由载流子负 U 中心相互作用机制下高 T_c 氧化物超导体的能隙和超导态下极低温时残余线性电子比热项的问题。对 La-Sr-Cu-O 和 Y-Ba-Cu-O 两个系统所得的能隙的数值计算结果分别为2△(0)/k_BT_c=4.00和4.22;两系统的超导态下极低温时残余线性电子比热项的电子比热系数分别为 C_1=2.25和3.04 mJ/mol·K~2.这些数值计算结果与实验数据比较大体一致.     

无序体系的理论方法(Ⅰ)

本文综合评述了无序体系的理论方法,包括数值计算方法,平均格林函数求解方法。     

格点规范理论(Ⅰ)

本文介绍了由Wilson等人发展起来的处理粒子间强相互作用的格点规范理论。由于这个理论是建立在点阵上的规范理论,故首先讨论了点阵上体系的场论性质和统计物理性质之间的联系,介绍了处理粒子禁闭问题的Wilson判据,点阵的哈密顿形式。然后讨论了各种具体模型的计算方法,如规范场的点阵模型、紧致QED模型、费米子模型、阿贝尔Higgs模型等。在此基础上,总结出Wilson定理。本文也讨论了格点规范理论中的实空间重正化群方法,介绍了Heisenberg平面模型的重正化群分析,一维的二维的复现关系及Migdal近似。最后评介了近年来对于Wilson回路算子的一些研究,内容包括’t Hooft代数和Wilson回路算子方程等。