半导体中定域模,准定域模晶格振动的光谱研究

本文讨论了用光学方法研究杂质诱发定域化振动模的理论模型,分门别类地论述了半导体中杂质诱发的定域模、禁带模、共振模和准定域模晶格振动及非晶态半导体的晶格振动谱,给出了它们的综合结果。半导体中杂质诱发定域模已被人们广为研究,作者主要以自己的结果阐述了禁带模、共振模、准定域模和非晶态半导体振动谱研究在近年来取得的重要进展。除以较多篇幅研究各种定域化振动模的位置外,本文还从键—电荷模型出发讨论了杂质诱发振动吸收带的强度。     

一维单原子链中杂质引起的局域振动模

讨论了一维单原子链中杂质引起的晶格局域振动模和局域振动图像,分析了杂质质量和杂质近邻力常数对振动模的影响,通过数值求解晶格振动运动方程组．给出了局域振动模关于杂质质量和杂质近邻力常数分布的相图;分析了含杂质晶格振动模频率相对于完整晶格振动模频率的变化。     

掺杂、无序和混晶半导体的晶格振动行为

一、研究的意义和目的 杂质诱发的半导体晶格振动问题和无序和混晶半导体的晶格振动问题的研究,在过去20多年中一直是比较活跃的. 过去的研究表明,在杂质诱发晶格振动情况下,由于杂质原子量和掺杂的不同而引起的力常数的变化,可以诱发与杂质有关的、不同程度局域化的振动模(尤其是位于声子带上方的局域模),并可使原来光学不激活的声子带模变得部分地光学可激活.然而对与低频的声学声子带有关的杂质诱发振动行为,国内外却研究得很少,实验方面尤其如此. 关于无序半导体的晶格振动行为,已有的研究成果表明,无序可以使理想晶体情况下光s学不激活…     

掺杂聚乙炔中的孤子振动定域模

在SSH模型基础上,本文研究了掺杂聚乙炔链中杂质势对孤子振动模的束缚影响。不同边界条件下的数值计算发现Goldstone模将受到杂质钉扎并出现两个新的定域模g₁′和g₂′。另外,还得到了其它已知的定域模g₂,g₃和g₅,这些定域模随杂质势的敏感程度各有不同,在所取参数下取得了与实验基本一致的结果。 关键词：     

闪锌矿结构杂质振动特性的研究

本文给出闪锌矿结构中替位杂质的声子谱。系统分析了杂质诱发的局域模,禁带模和共振模的形成规律及特性。除了TA带上方的准局域模外,还发现了在TA声学带下方的新的低频共振模式。 关键词：     

一维极化子的定域振动模

本文研究了一维电子-晶格耦合系统中极化子的晶格振动,发现了两个新的定域振动模g₆和g′₆,它们分别在一定的耦合参量λ的范围内存在。本文还给出了各个定域振动模的频率和位形随λ的变化情况。 关键词：     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

窄禁带半导体的光学性质

本文阐述了窄禁带半导体的一般性质,较详细地论述了近年来采用吸收光谱、反射光谱、调制反射光谱、磁光光谱、荧光光谱和喇曼光谱等光学手段研究HgCdTe等窄禁带半导体的能带结构、晶格振动、自由载流子和杂质缺陷的光学效应的进展。     

Ⅲ——Ⅴ族半导体中的深杂质态

为确定禁带中深能级位置与杂质波函数定域化之间的关系,把最近发表的赝势杂质计算进行了推广。过去曾发现,这些函数定域在距中心最近邻的距离内,而且这种定域化不是有关能级在禁带中位置的敏感函数。如果从波矢空间不同部分的贡献来研究杂质能量和波函数的形成,就能够解释这个结果。导带和价带二者的贡献都很大,因为通常它们的符号相反,所以能级的最终位置取决于仔细的抵消过程。这个过程也影响了波函数的波节结构。过     

具有在位势的一维双原子链中杂质引起的对称局域模

对具有在位势且含杂质的一维双原子链的晶格振动方程组进行求解,得到了局域振动的解析解,给出了在位势对局域振动影响的基本特征,并简要讨论了对称局域模的存在形式.     

一维双原子链中杂质引起的局域振动模

对含杂质的一维双原子链,在链中所有原子之间近邻相互作用力常数均相等的情况下,数值求解晶格振动的运动方程组,得到不同局域振动模的振动图像和产生条件,给出了局域模关于杂质原子质量和原胞中两种晶格原子质量比分布的相图．     

非晶态硫系化合物半导体的制备和电导特性的研究

本文对四种硫系玻璃半导体材料的制备工艺和电导的温度特性进行了研究,给出了室温下电导率及电导激活能的实验数据.把所得结果同国外工作进行了比较,并对一些问题进行了初步讨论. 一、非晶态半导体的电导率 根据Mott-CFO模型[1],非晶半导体的导电过程有四种不同的类型,即扩展态中的电导、带尾定域态中的电导、禁带定域态中的电导以及在低温下的变程跳跃电导,总的直流电导率同温度的关系可表示为其中第一项为扩展态中的电导率,第二项为带尾定域态中的电导率,第三项为禁带定域态中的电导率,第四项为低温变程跳跃电导率.对硫系玻璃半导体,一…     

CdTe中Zn的定域模和准定域模晶格振动

本文报道4.2—300K和20—350cm^-1范围内低组份Cd_1-xZn_xTe混晶远红外吸收与反射光谱。实验观察到Zn及ZnTe在CdTe中诱发的定域模和准定域模以及类CdTe2TA双声子吸收过程。用质量缺陷模型结合格林函数方法估计了模式频率。用等位移模型计算了混晶的双模行为并拟合反射光谱,对类CdTe和类ZnTe模的弛豫与声子吸收强度的温度效应也作了计算和解释。 关键词：     

孤子振动模的定域性

对于聚乙炔中孤子的五个定域振动模,本文研究了它们的位形随链长的变化而演变的情况,从而可确定其定域性。本文同时考察了开链和闭环两种情况。对于闭链,五个定域模定域于孤子附近,其形状与链长无关。对于开链,定域模g₁,g₂,g₃和g₅的位形不随链长而改变,因而是完全定域的,但是g₄的两翼随链长增加而变宽,定域性不完全。 关键词：     

半导体氮化铟(InN)的晶格振动

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。     

半导体氮化铟(InN)的晶格振动

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状，主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等，也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。     

金属卤化物中的晶格振动

运用紧束缚双带模型对MX化合物晶格振动的计算发现,晶格振动谱由一条声频支和三条光频支组成,进一步得到了出现元激发时,晶格振动色散关系中的分立频率和相应的定域振动模.在MX化合物红外吸收谱的计算中发现对应不同元激发红外谱具有不同的特征. 关键词： 电荷密度波 晶格振动 红外吸收     

具有在位势的一维双原子链中杂质引起的局域振动

对具有在位势且含杂质的一维双原子链的晶格振动方程组进行求解,得到了局域振动的解析解, 给出了在位势对局域振动影响的基本特征,并简要讨论了局域模的存在形式.     

Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的远红外吸收光谱

本文报道4.2—300K和20—400cm~(-1)范围内不同组份的Cd_(1-x)Mn_xTe混晶远红外声子吸收光谱的研究结果。实验分辨了类CdTe,类MnTe剩余射线带及其TO-LO分裂,首次观察到位于混晶剩余射线吸收区内侧的低频吸收带、低x值情况下的准定域模吸收峰及其两侧的诸双声子吸收带。用缺陷晶格动力学理论估计了准定域模的出现及位置,讨论了其他吸收带的物理起源和判定。     

类Opal光子晶体红外区安德森定域化理论研究

本文根据Mie散射理论和低浓度近似下,对在中红外区高折射率半导体材料AlP等做为散射体的类Opal光子晶体的安德森定域化进行了理论研究,发现在浓度为10%,折射率比值大于3.8,无吸收状态下,此类晶体将出现两个定域化区.同时为此类晶体的定域化研究提供了一个比较理想的处理方法.