约瑟夫森结AlOx-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯ_x-Ａｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯ_x厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４.２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在 关键词：     

喷雾热解法制备掺Cr的Al2O3薄膜及其抗腐蚀性能

用喷雾热解法制备出厚为２０００Ａ的掺Ｃｒ的Ａｌ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明其为无定形的Ａｌ２－ｘＣｒｘＯ３（ｘ＝０．０７２），ＳＥＭ和椭圆仪分析结果验证了薄膜的均匀性。该薄膜表现出良好的绝缘性质和抗腐蚀性能。     

高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

氧化态K—MoO3／γ—Al2O3催化剂结构的EXAFS研究

对Ｎａ２ＭｏＯ４．２Ｈ２Ｏ，ＭｏＯ３，（ＮＨ４）６Ｍｏ７Ｏ２４．４Ｈ２Ｏ等结构典型的含钼化合物及氧化态Ｋ－ＭｏＯ３／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂样品进行了ＥＸＡＦＳ测试，并以Ｎａ２ＭｏＯ４．２Ｈ２Ｏ为标样进行多层拟合计算，以研究各样品钼组分的配位结构。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

角分辨XPS对自组装单分子层厚度和官能团位置的定性及定量研究

用角分辨ＸＰＳ（Ａｎｇｌｅ－ｒｅｓｏｌｖｅｄＸＰＳ）研究研究了ＨＳ（ＣＨ２）１０ＣＯＯＨ（Ｉ）ＨＳ（ＣＨ２）３ＯＣ６Ｈ４Ｎ＝ＮＣ６Ｈ４（ＣＨ２）７ＣＨ３（ＩＩ）和ＨＳ（ＣＨ２）６ＨＳ（Ⅲ）３种分子在Ａｕ膜表面制备的自组装单分子层，得出了（Ｉ）中Ｓ原子，（Ⅱ）中Ｓ，Ｎ原子距膜表面的垂直距离，并结合构象分析确定了分子的取向和倾角，对分子（Ⅲ）则得出分子在紫外光照射下氧化反应的选择性，发现氧化主要在底层     

AlxGa1—xAs／GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的Ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

非晶态Fe0.5Al0.5PO4表面上激光促进甲烷直接氧化合成甲醇的研究

用溶胶－凝胶法合成了非晶态Ｆｅ０．５Ａｌ０．５ＰＯ４。用ＸＲＤ和ＴＰＲ表征了其结构和晶格氧的活性;用ＩＲ和ＴＰＤ表征了ＣＨ４在其表面上的吸附行为;用ＬＳＳＲ方法考察了ＣＨ４直接氧化合成ＣＨ３ＯＨ的反应规律。结果表明,Ｆｅ０．５Ａｌ０．５ＰＯ４具有非晶态的结构,ＦｅＰＯ４和ＡｌＰＯ４的微区被均匀地相互隔离,导致固体本身不具有长程有序性。非晶态的Ｆｅ０．５Ａｌ０．５ＰＯ４与晶态的Ｆｅ０．５Ａｌ０．５Ｐ     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

All-Optical Bypass-Exchange Switches

Ａｌ┐ＯｐｔｉｃａｌＢｙｐａｓ┐ＥｘｃｈａｎｇｅＳｗｉｔｃｈｅｓＹＵＮＺｈｉｓｈｅｎｇＬＩＹｕｌｉｎＬＩＵＪｉｆａｎｇＸＵＸｕｅｍｅｉ＋）ＬＩＵＭｕｘｉｎｇ＋）（ＸｉａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ＆ＰｒｅｃｉｓｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｃｓ，Ｃ...     

铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究

研究了空气氧化Ｍ＾２＋（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）和Ｆｅ＾２＋的碱性悬浮液制备铁酸盐ＭＦｅ２Ｏ４的条件，考察了原料配比、ｐＨ值、氧化温度、氧化时间对生成ＭＦｅ２Ｏ４的影响。利用ＸＲＤ及ＳＥＭ检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明，在３４３￣３５８Ｋ和Ｒ＝２ＯＨ＾－／（Ｍ＾２＋Ｆｅ＾２＋）＝１．０、Ｍ＾２／Ｆｅ＾２＋＝０．５（摩尔比）下用３００ｍＬ／ｈ的空气氧化Ｍｘ／３Ｆｅ１－ｘ／３（ＯＨ）２悬浮液     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

Ni／Al2O3催化剂上CH4／CO2重整反应积碳的研究

采用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和脉冲反应技术考察了９７３Ｋ下经不同方法处理后的Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂表面的积碳，单独用ＣＨ４或ＣＯ处理后的催化剂在２８３．６ｅＶ左右出现了一个新的Ｃｌｓ峰，可归属为金属碳化物，对ＣＨ４，ＣＯ处理过的催化剂用ＣＯ２处理后发现，结合能约为２８３．６ｅＶ的Ｃｌｓ峰强度明显降低，但由ＣＯ处理的催化剂的积碳的活性不如由甲烷生成的积碳活性好，ＣＯ歧化反应可能是导致镍催化剂失活的主要     

应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnS_xSe_(1-x)和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)价带带阶的研究

采用基于原子球近似下线性Ｍｕｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）的平均键能计算方法，研究了以ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ为衬底，沿（００１）方向外延生长的应变层异质结ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、ＺｎＳ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳｘＳｅ１－ｘ的价带带阶值ΔＥｖ（ｘ）．研究表明，ΔＥｖ（ｘ）值随衬底合金组分ｘ单调变化．且两者的关系是非线性的．在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好．     

新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析

ＬｉＡｌＯ２和ＧａＮ的晶格失配率只有１．４％，是一种很有希望的ＧａＮ外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的ＬｉＡｌＯ２单晶，并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射Ｘ射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明：ＬｉＡｌＯ２在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地，是沿（１００）方向生长。用温度梯度法生长的ＡｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡和包裹物，在ＬｉＡｌＯ２（１００）方向晶面     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

X射线胶片的脉冲光源响应标定

用ＬＦ－１１激光装置的１．０６μｍ脉冲激光加热Ｃｕ靶产生的Ｌ－壳层线辐射作脉冲Ｘ射线源，在曝光量为（０．０１～１０）－７Ｊ·ｃｍ－２范围内，标定了ＫＯＤＡＫＡＡ－５，ＫＯＤＡＫＳＷＲ和ＵＦＳＨ－Ｏ软Ｘ射线胶片的响应曲线，并与用连续光源标定的进行了对比．结果表明，这三种ｘ射线胶片，在强脉冲光源曝光条件下，都存在着胶片响应互易律失效问题，过去用连续光源标定的响应曲线，在激光等离子体诊断实验中，已经不能采用．     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．