Sr2Mg(BO3)2:Tb3+的真空紫外发光性质

采用高温固相反应法合成了Tb3+激活的Sr2Mg(BO3)2荧光粉.利用XRD表征荧光粉的相纯度.研究了材料在VUV-UV范围的激发光谱和在VUV-UV光激发下的发射光谱及荧光衰减曲线.结果显示:Sr2Mg(BO3)2:Tb3+荧光粉的基质吸收带主峰位置大约位于178nm,Tb3+的最低自旋允许和最低自旋禁阻f-d跃迁吸收带分别位于235和278 nm,172nm激发下荧光粉的最强发射光谱主峰在543 nm,色坐标为(0.30,0.45),Tb3+的荧光寿命值约为2.8 ms.     

Mg(IO_3)_2-H_2O体系的一个新物相Mg(IO_3)_2·2H_2O和溶解度-温度相图

在Mg(IO_3)2-H_2O体系中发现了一个新的物相二水碘酸镁Mg(IO_3)2·2H_2O.用称重法测定了Mg(IO_3)2,Mg(IO_3)2·2H_2O和Mg(IO_2)2·4H_2O的溶解度随温度变化的曲线。     

Mg(IO_3)_2-LiIO_3-HIO_3赝三元系的相关系

一、引 言 碘酸盐晶体由于存在着未成键的电子对,通常不具有对称中心,因而在电光和非线性光学效应方面具有广泛应用的可能性.同时,大部分碘酸盐晶体的空间堆积系数较低,约为50%左右,这就为离子在晶体中运动提供了可能性.所以,碘酸盐晶体作为快离子电导材料也是十分值得探讨的.     

Mg原子3p3/2nd系列自电离分支比的研究

利用多通道量子亏损理论(MQDT),结合已知的K矩阵,研究了受实验条件限制目前无法得到的Mg原子3p3/2nd(J=1,3)系列的自电离分支比,同时对3pnd系列的部分自电离光谱作了计算,并取得了和实验比较吻合的结果。结合分支比研究结果探讨了Mg原子的能级结构特点及粒子数反转的可能性     

Mg原五3p3／2nd系列自电离分支比的研究

利用多通道量子亏损理论（ＭＱＤＴ），结合已知的Ｋ矩阵，研究了受实验条件限制目前无法得到的Ｍｇ原子３ｐ３／２ｎｄ（Ｊ＝１，３）系列的民离分支比，同时对３ｐｎｄ系列的部分自电离光谱作了计算，并取得了和实验比较吻合的结果。结合分支比研究结果探讨了Ｍｇ原子的能级结构特点及粒子数反转的可能性。     

First-Principle Study of H2 Adsorption on Mg3N2（ll0） Surface

The adsorption of H2 on two kinds of Mg3N2（110） crystal surface is studied by first principles. Adsorption sites, adsorption energy, and the electronic structure of the Mg3N2（110）/H2 systems are calculated separately. It is found that H2 is mainly adsorbed as chemical adsorption, on these sites the 1-12 molecules are dissociated and the H atoms tend to the top of two N, respectively, forming two NH, or the H atoms tend to the same N forming one NH2. There are also some physicM adsorption sites. One of the bridge sites of Mg3N2 （110） surface is more favorable than the other sites. On this site, H atoms tend to the top of two N, forming two NH. This process belongs to strong chemical adsorption. The interaction between 1-12 molecule and Mg3N2（110） surface is mainly due to the overlap-hybridization among Hls, N 2s, and N 2p states, covalent bonds are formed between the N and H atoms.     

镁Mg2s^21S0—3s3d^1D2单光子电四极矩跃迁的研究

用原子束技术－激光共振电离－飞行时间质谱探测离子信号的方法，观察到了原子束中镁Ｍｇ３ｓ＾２１Ｓ０－３ｓ３ｄ＾１Ｄ２单光子电四极矩共振跃迁，并对实验结果进行了判断和分析。     

Synthesis and electrical properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 ceramics

Ceramic compositions of a combination between lead magnesium niobate, Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃, and lead titanate, PbTiO₃, were fabricated by using Mg₄Nb₂O₉ precursor technique. Their electrical properties with respect to temperature and frequency were examined and the effect of sintering conditions on phase formation, densification, microstructure and electrical properties of the ceramics were examined. It has been found that optimisation of sintering condition can lead to a highly dense and pyrochlore-free PMN–PT ceramics. The gradual decreasing of the physical properties of the sintered ceramics was related to the gradual decrease of density and inhomogeneous microstructure. The results also revealed that for the lower concentration of lead titanate a relaxor behavior is noticed with a high electrostrictive effect, which was almost hysteretic free. However, higher amount of lead titanate led to a normal ferroelectric behavior.     

Mg2+对Fe∶LiNbO3晶体光折变响应时间的影响

在 Fe∶Li Nb O3 中掺进 3 mol%和 6mol% Mg O,生长了 Mg∶Fe∶L i Nb O3 晶体 .测试了 Mg∶Fe∶Li Nb O3 晶体抗光致散射能力、衍射效率、响应时间和光电导 .推导响应时间与光电导之间的关系 .在 Fe∶Li Nb O3 晶体中掺进 6mol%的 Mg2 + ,它的抗光致散射能力比Fe∶L i Nb O3 晶体提高一个数量级 ,响应速度比 Fe∶Li Nb O3 晶体提高四倍     

Mg1+xB2中过量Mg对其超导电性的影响

利用固相反应法制备了非化学计量的二元金属硼化物超导体Mg1+xB2(x=0,0.1,0.2).粉末X光衍射(XRD)表明较多的过量Mg极易导致绝缘的MgB6和MgO杂相,Mg与MgB2不易形成固溶体.当杂相较少时,对样品电阻率和交流磁化率研究发现其超导临界温度Tc几乎不受杂相的影响,但正常态电阻率随Mg过量增加而迅速增大,同时抗磁屏蔽信号下降.对交流磁化率的实部、虚部与Mg含量等关系作了讨论.我们的结果说明过量Mg导致的杂质对晶界区的Josephson耦合有破坏作用.     

K_2C_2O_4,Mg(NO_3)_2和Na_2S_2O_3过饱和水溶液瑞利弛豫的不连续行为

本文用瑞利散射强度相关的方法求得了K_2C_2O_4,Mg(NO_3)_2和Na_2S_2O_3水溶液的弛豫时间常数。结果表明当达到过饱和态时,弛豫时间常数有不连续增大的趋势。连同过去关于NH_4H_2PO_4的报导,显示这是过饱和体系的一个共同特征。此弛豫时间常数因此可以做为标度从不饱和相至饱和相转变的有序度参数。     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/CoFe2O4复合薄膜 电学、磁学性能的研究

利用射频磁控溅射技术在LaNiO3/SiO2/Si基底上制备了Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/CoFe2O4和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3/CoFe2O4/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3两种复合薄膜.我们采取了三种退火条件对复合薄膜进行退火处理,研究两种复合薄膜的晶体结构、电学和磁学性能.通过对两种复合薄膜的结构的分析,发现两步法退火后得到复合薄膜同时存在纯钙钛矿相和尖晶石相两种结构.铁电性能测试表明:两种复合薄膜均具有较好的铁电性能,其中三层复合薄膜的剩余极化强度Pr最大可以达到14.9 μC/cm2,这要归因于多层复合薄膜内部的应力-应变效应和界面耦合效应.在电场强度为80kV/cm的漏电流密度数量级仅10-5A/cm2,其导电机制在高电场区满足Schottky机制.介频性能测试表明:复合薄膜的介频特性较差,双层复合薄膜的介电性能较好,其介电常数εr为1078,其介电损耗tgδ较大,约为0.43.此外,对复合薄膜的磁滞回线测试表明:两种复合薄膜中均存在磁学性能,且双层结构复合薄膜的铁磁性能较大,其饱和磁化强度Ms为119 emu/cm3,剩余磁化强度Mr达到31.6 emu/cm3,矫顽场Hc为1360 Oe. 以上测试结果表明,铁电有序和磁有序可以存在于钙钛矿-尖晶石结构当中,通过多层复合和合适退火方式可以增强其铁电和介电性能.     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响.     

Mg2+、Al3+离子增强SrTiO3:Pr3+荧光体发光性能的研究

采用溶胶凝胶法成功制备了SrTiO3:Pr3+、SrTiO3:Pr3+, Mg2+及SrTiO3:Pr3+,Al3+荧光粉.通过XRD、PL谱及第一性原理计算对样品的晶体结构、光谱特性及发光增强机制进行了研究.研究结果表明:共掺杂后,SrTiO3:Pr3+荧光粉为单一组成的SrTiO3立方相,主发射锋位于617 nm,对应于Pr3+离子的1D2→3H4跃迁发射.SrTiO3:Pr3+,Mg2+ 及SrTiO3:Pr3+, Al3+荧光粉的发光强度分别是SrTiO3:Pr3+荧光粉发光强度的7倍和2倍,但主要发光机制没有改变.Mulliken布局分析表明,Mg2+、Al3+离子的掺入使SrTiO3:Pr3+荧光粉中Ti-O及Pr-O键的化学键增强、键长变短,SrTiO3:Pr3+基质向Pr3+离子发光中心的能量传递效率提高,导致SrTiO3:Pr3+,Mg2+ 及SrTiO3:Pr3+,Al3+荧光粉的发光效率提高.     

Mg2+、Al3+离子增强SrTiO3∶Pr3+荧光体发光性能的研究

采用溶胶凝胶法成功制备了SrTiO3∶Pr3+、SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉.通过XRD、PL谱及第一性原理计算对样品的晶体结构、光谱特性及发光增强机制进行了研究.研究结果表明：共掺杂后,SrTiO3∶Pr3+荧光粉为单一组成的SrTiO3立方相,主发射锋位于617 nm, 对应于Pr3+离子的1D2→3H4跃迁发射.SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉的发光强度分别是SrTiO3∶Pr3+荧光粉发光强度的7倍和2倍,但主要发光机制没有改变.Mulliken布局分析表明,Mg2+、Al3+离子的掺入使SrTiO3∶Pr3+荧光粉中Ti-O及Pr-O键的化学键增强、键长变短,SrTiO3∶Pr3+基质向Pr3+离子发光中心的能量传递效率提高,导致SrTiO3∶Pr3+, Mg2+ 及SrTiO3∶Pr3+, Al3+荧光粉的发光效率提高.     

Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉的发光性质

采用微波加热固相法合成了Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉。利用XRD对样品的晶体结构进行表征,通过荧光分光光度仪对样品的激发光谱、发射光谱和能级寿命进行检测和分析。结果表明,Mg2+、Zn2+、Eu3+掺杂CaWO4不影响CaWO4基质的四方晶相。395nm激发下,与CaWO4∶2%Eu3+样品比较,分别掺杂0.5%的Mg2+或Zn2+的样品发光强度提高了1.3倍和2.1倍;与3%Mg2+或3%Zn2+掺杂CaWO4∶2%Eu3粉体发光比较,当Eu3+浓度增加为3%时,粉体的发光强度分别提高了7.3倍和14.8倍;与CaWO4∶3%Eu3+样品比较,3%的Mg2+或Zn2+掺杂后的样品光强分别提高了1.2倍和1.3倍。262nm比395nm激发同一样品的Eu3+的5D0能级寿命有所增加。与单掺2%Eu3+样品比较,随着Mg2+或Zn2+掺杂浓度增加,样品荧光寿命先增加后减小。同样激发波长下,与Mg2+或Zn2+掺杂CaWO4∶2%Eu3+样品荧光寿命相比,Eu3+浓度增加为3%时,样品的荧光寿命明显变短。     

化学溶液法制备的Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的光学性能

用化学溶液方法在宝石衬底及有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92%Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3-8%PbTiO3(PMNT)薄膜,X射线衍射测试结果表明:在有LaNiO3缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备的PMNT薄膜几乎是纯钙钛矿相,且薄膜呈现(110)择优取向.通过对Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上的PMNT薄膜在2.5-12.6μm波长范围内的红外椭圆偏振光谱测试,并拟合得到了PMNT薄膜在2.5-12.6μm波长范围内的光学常数(n和k),通过对宝石衬底上的PMNT薄膜在200-1100nm波长范围内的可见-紫外透过率测试,并拟合得到了PMNT薄膜在200-1100nm波段的光学常数(n和k)和吸收系数α,进而推导出PMNT薄膜的禁带宽度为4.03eV.     

Mg3Bo3F3:Mn2+, R3+(R=Eu、Sm、Dy)的阴极射线发光

本文研究了具有长余辉发光特性的红色Mg3BO3F3:Mn2+,R3+(R=Eu,Sm,Dy)的阴极射线发光性能,以及R3+离子的掺杂对Mg3BO3F3:Mn2+的发射光谱、色坐标等的影响.     

Mg,Ti共掺Al2O3透明多晶陶瓷光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备Mg,Ti共掺透明氧化铝陶瓷,测定了其吸收光谱、荧光光谱和激发光谱,结果表明,由于Mg2+的电荷补偿,当Ti掺入量较小时,Ti主要以Ti4+形式存在,(Mg,Ti):Al2O3透明陶瓷只在250nm的紫外波段有吸收峰,为O2-→Ti4+的电荷转移跃迁产生的吸收,并产生Ti4+离子在280-290nm和410-420nm的荧光发射峰;当Ti掺入量较大时,氧化铝透明陶瓷除了存在Ti4+的吸收峰,还表现出Ti3+离子490nm的特征吸收峰,即2T2→2E跃迁产生的宽带吸收,Ti3+离子的发射谱线与Ti:Al2O3单晶的相吻合.