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越来越多的人相信,发展新一代在原理上全新的电子器件是下一世纪电子工业的希望所在.在这一方面,近年来已有一个又一个的量子器件原型见诸报道;还有更多的设想和建议不断被提出来,引起人们浓厚的兴趣.现在,又有一种新型小尺寸器件--单电子晶体管在在向我们招手.根据这种器件的发展前景,有人甚至提出了单电子学这一崭新的学科.单电子晶体管是与库仑阻塞这一著名的物理现象联系在一起的. 相似文献
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单电子效应与单电子晶体管 总被引:2,自引:0,他引:2
由于半导体超微细加工技术的发展,在半径为几百nm的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡,分别称为库仑阻塞,单电子隧穿和库仑振荡,与此效应有关的现象还有库仑台阶,旋转门效应,旋转门器件可利用作为电流标准测量,单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择,单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。 相似文献
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对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电子隧穿的物理原理;最后介绍库仑阻塞效应在单电子晶体管中的具体应用及其发展前景. 相似文献
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用扫描隧道显微术实现室温下的单电子隧穿效应 总被引:2,自引:0,他引:2
单电子隧穿效应通常只能在低温下实现。最近,采用扫描隧道显微术在纳米尺度的范围内实现了室温单电子隧穿,清晰地观察到了库仑阻塞现象和库仑阶梯特性。这是单电子隧穿研究中的重大进展,将在简要叙术单电子隧穿物理过程的基础上予以介绍。 相似文献
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纳米硅薄膜的量子特征及其应用前景 总被引:3,自引:0,他引:3
文章通过对纳米硅薄膜结构组分的研究,从实验和理论上共同探讨了其低维量子特征,并由此提出其电输运机制及其可见发光机理。最后,综合纳米硅薄膜的各种新颖物性,展望了其在纳米电子学和MEMS(微机电系统)领域内的应用前景。 相似文献
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简要介绍了高电子迁移率晶体管的基本原理,应用及近年来的进展,它具有的高速,高频,低噪声等优异性能,使它将成为未来的主流微波器件。 相似文献
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利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜, 其中Al-O势垒层由等离子体氧化1 nm厚的 金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为 6和3 μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运 特性进行了研究. DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和42 K分别达到27%和423%, 结电阻分别为136 kΩ·μm2和175 kΩ·μm2,并在实验中观 察到平行状 态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电 流的增加而发生振荡现象. 由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶 体管.
关键词:
双势垒磁性隧道结
隧穿磁电阻
共振隧穿效应
自旋晶体管 相似文献