低温ECL电路的直流特性分析

本文在对低温双极晶体管的直流特性的分析基础上，推导出ＥＣＬ电路在低温下的直流解析模型，并与实验结果和计算机模拟结果进行了比较，还对ＳＰＩＣＥ Ⅱ模型在低温下的修正和低温ＥＣＬ电路的设计进行了一些探讨。     

低温ECL电路的瞬态特性分析

本文对ＥＣＬ电路的瞬态特性进行了较详尽的分析，给出了适于全温区的较精确的电路延时间表达式，并对影响ｔｐｄ的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优化设计。     

低温ECL电路的特性分析及优化设计

本文在对双极器件各参数的低温特性的详细分析基础上，对低温ＥＣＬ电路的直流和瞬态特性进行了理论和实验的研究，并据此对电路进行了统一的优化设计。     

低温ECL电路的瞬态特性分析

本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响tpd的主要参数的温度特性进行了分析。该模型可用于各种温度下高速器件和电路的优化设计。     

低温ECL电路特性及其温度比例设计规则

着重分析了低温ＥＣＬ电路的直流特性和瞬态特性，并用低温双极晶体管温度比便因子设计规则，对低温ＥＣＬ电路进行了优化设计，计算机模拟表明效果很好．     

一种混合型超高速低功耗ECL电路的设计

本文提出了一种混合型超高速低功耗ＥＣＬ电路结构，并用该电路结构设计制作了工作频率达１０００ＭＨｚ的多功能波形变换器，解决了超高速与低功耗之间的矛盾，适于设计制作超高速大规模集成电路。     

双极器件及ECL电路的低温研究

本文对晶体器件及ＥＣＬ电路在低温下的直流，瞬态特性及优化设施和了较系统的分析，给出了其全温区工作的较为清晰的物理图象。     

高速ECL电路测试及使用中的一些特殊要求

从影响ECL电路高速性能的原因出发,阐述了ECL电路测试及使用中对电源电压、输入偏置、负载范围、外围连线以及接地等一些特殊的要求。本文对这些特殊要求作了一些简略分析,并提出了正确测试和使用高速ECL电路的几种方法。     

基于开关信号理论的四值ECL电路

从一个有效的多值代数系统应能反映多值电路中的物理过程的这一原则出发,本文提出了一组可以描写多值ECL电路中信号与开关元件间相互作用的运算。讨论了这些运算的物理对应及有关性质,并由此建立了适用于ECL电路的开关信号理论。本文设计了若干基本四值ECL电路,用SPICE程序模拟证明了它们均具有正确的逻辑功能与理想的DC特性。     

基于混合电压—电流表示的ECL电路综合方法

基于混合电压－电流的信号表示及对电流、电压信号定义的运算，本文提出了一种ＥＣＬ 混合综合技术。所提出的方法已用一位全加器的设计实例予以演示。本文提出了一个适用于电流信号表示和电流运算的代数系统。     

ANALYSIS OF DC CHARACTERISTICS OF ECL CIRCUIT AT LOW TEMPERATURE

Based on the analysis of DC characteristics of silicon bipolar transistors at low temperature, DC analytic models of ECL circuit at low temperature are derived, then compared with the experimental data and computer simulation results. The modification of SPICE BJT model about temperature and design of low temperature ECL circuit are discussed.     

低频低噪声集成运放XD1531的设计和分析

本文阐明了低频低噪声运放XD1531的设计原理。从电路和版图设计两方面论述了该电路整个设计过程。针对电路第一级的结构,采用低频低噪声方法进行设计。在版图方面主要考虑了降低低频噪声,尤其是降低表面1/f噪声的措施。通过对XD1531噪声性能的分析以及与国内外同类产品的比较,说明了该集成电路具有低噪声特性。同时,说明本文提出的设计方法对于降低集成电路的低频噪声是有效的。     

ANALYSIS OF TRANSIENT CHARACTERISTICS OF ECL CIRCUIT AT LOW TEMPERATURE

Detailed analysis on transient characteristics of ECL circuits are performed in this paper, then a relatively exact propagation delay expression applied for all temperatures is presented. The cryogenic characteristics of some dominant parameters contributed to propagation delay are also discussed. The model achieved is suitable for optimum designs of high speed devices and circuits at all temperatures.     

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。     

金属蒸气激光器的直流放电特性

金属蒸气激光器利用He、Ne、N2和Ar作缓冲气体,在高功率电平下的直流放电特性被首次测得。实验表明,He气是用于直流预热的最佳缓冲气体。在200mmHg的He气压和1A的放电电流下,有多于5kW的电功率被注入到等离子体管中去。等离子体管温度在短于1h的时间内达到1400℃的高温。     

红外光纤用于低温辐射测温的研究

探讨了将红外光纤（束）直接与靶目标和探测器耦合，用于低温辐射测温的理论和技术．导出了光纤的有效临界角．证明了在直接耦合时，光纤（束）接收和传输的功率与光纤和靶目标表面耦合间距无关；当耦合准直角变化在±１５°范围时，与准直角无关     

6H-SiCJFET的高温特性

分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上该文建立起了一个6H-SiC JFET的高温模型。模型中采用了SiC的两极电离杂质模型和Caughey-Thomas方程。在300-773K的温度范围内,模型的模拟结果和实验数据相符。     

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。