黄酮类化合物的原子电距矢量表达及核磁共振碳谱

提出以原子电性距离矢量(VAED)描述19种黄酮醇和21种黄酮中不同等价碳原子的化学微环境，结合碳原子类型，建立核磁共振碳谱(¹³C NMR)化学位移(CS)的四 参数线性模型, 对于19种黄酮醇285个碳原子其回归方程：Y(1)=72.097+20.803 X(1)+14.395 X(2)+ 12.030 X(3)；对于21种黄酮315个碳原子其回归方程：Y(1)=85.530+19.174 X(1)+15.565 X (2)+5.495 X(3)；黄酮醇和黄酮一起建模的回归方程为：Y(1)=77.679+20.373 X(1)+15.481 X(2)+9.004 X(3). 用于黄酮醇和黄酮分子等价碳原子化学位移的估计. 样本数目，相关系数，标准偏差，F统计值，回归平方和和残差平方和分别为：N=285，R=0.796，SD=14.734，F=162.315，U=105 705.359，Q=60 999.156 ；N=31 5，R=0.884，SD=12.381，F=369.114，U=169 745.141，Q=47 673.375和N=600，R=0.831，SD =14.122， F=443.449，U=265 310.563，Q=118 859.906. 经交互校验，模型稳定性较好. 并综合几种处理方法，找到一种较好的建模方法，作为初次有益的探讨，对黄酮和黄酮醇核磁共振碳谱建模效果尚好.     

伏安法测量实验中系统误差的处理

1测量电路及实验原理在选择电流表内接电路时,设伏特表读数为U,电流表读数为I,测测量值Rx为:Rx=U/I=R+RA(1)可见,Rx>R图1电路图即:R=Rx-RA(2)式中R为待测电阻阻值,RA为电流表内阻。若能精确地提供RA的值,根据式(2)可准确计算阻值R。由于电流表内阻在不同的量程下不同,而且受实验环境的影响,因此,RA不能靠实验室提供,需要在实验中测量得到。如图1所示,合上K1、K2,在伏特表、电流表中读取数据:U1、U2、I,则:RA=(U1-U2)/I(3)事实上,这是测量微小电压降的方法。实验中,电流表的内阻较小,故电流表两端的电压降很小,用上述方法可以…     

工作的电源一定有内电压吗?

有一段时间高中物理在教闭合电路欧姆定律时,常做一个实验,如图1所示．负载电阻R取某一定值,电压表V1测得电池正负极a与b之间的电压Uab=U1,电压表V2测得电池内部非常接近正负极板的C与d两点间的电压Ucd=U2．改变R的阻值,     

具有电容滤波整流线路,二极管断电时间的讨论

席德明先生在物理通报1956年第10期发表的‘关于“二极管和整流作用”的补充’一文中写道“由于C已经被充电至E_m,这时,它将通过负载电阻R_放电”。认为二极管不能通电的时间开始于e_1=e_=E_m即t=π/2时,是错误的。因为二极管断电的时间是t_0(如图1),t_0>π/2。而二极管不通电时的等效电路中C开始放电的电压很明显不是E_m,而是E_0。这是因为输入电压e_1(或e_2)经过E_m后是沿正弦曲线下降的,而电容两端电压e_0达到E_m后是沿指数曲线下降的。后者比前者快,用数学式子比较t=π/2时二者的斜率即知:     

物理奥林匹克竞赛实验专题

第 1 1期试题解答设已知电阻为 R,滑动电阻器电阻为 Rx,直流电源电压为 U(工作电路的电源 ) ,电池电压为 E(补偿电路的电源 ) .电路如图 1 .图 1　实验电路图　　图 1 ( a) ,闭合 K1,用跃接法接通 K2 ,调滑动电阻器 ,直至灵敏电流计指零 .记录滑动电阻器在补偿电路中的长度比例 a,有EU=a Rx R+Rx( 1 )图 1 ( b) ,调换已知电阻 R和滑动电阻器Rx 的位置 .用上述跃接法 ,调整滑动电阻器 ,使灵敏电流计指零 .记录活动端标尺读数 .设这时滑动电阻器在补偿电路中的长度比例为 b,有EU=R+b Rx R+Rx( 2 )由 ( 1 ) ,( 2 )式可得Rx=Ra-b,　 E…     

对一道静电计相关易错题的深入分析

1问题的引出【题目】如图1所示,电源电压为200V,两个电容器C1,C2完全相同,静电计读数U和电压表读数U′,以下结果正确的是A.U=100V,U′=100VB.U=0,U′=200VC.U=200V,U′=0D.U=100V,U′=0图1错解:许多学生(甚至教师)认为电压表和静电计都是测量电压的仪器,两者的读数应相同,错选选项A.静电计是研究     

可调内阻电池在中学物理实验中的应用

可调内阻电池是新设计的教学用直流电源。它将解决高中物理稳恒电流实验教学中的一些难题,现介绍于下,供做参考: 一、验证闭合电路欧姆定律闭合电路欧姆定律为:I=ε/R r或ε=IR Ir=U_外 U_内实验根据后一式进行,即验证内外电路上的电势降落之和是一恒量,且等于电池的电动势。(一)、实验仪器及实验电路实验按图1或图2所示的电路进行。虚线     

关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究

利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.     

融熔织构YBa_2Cu_3O_7的电阻展宽

测量了融熔织构 YBa_2Cu_3O_7在磁场中电阻转变的展宽效应.发现 R(T,H)=R_0exp[-U_0/k_BT],仍满足 Arrhenius 关系,钉扎能 U_0(H)仅为 eV 量级.讨论了影响 J_c 和磁通蠕动的因素.     

对"测量电介质的电容率"一文的商榷及改进意见

《物理实验》2 0 0 0年第 1 2期“测量电介质的电容率”一文 ,笔者认为存在一些问题 .文中式 ( 2 )电量 Q表述为Q =∫∞0 i C( t) dt=∫∞0VC( t)R dt显然 ,原作者认为 i C( t) =VC( t) /R,这是不对的 .对一个由电容 C与电阻 R相串连组成的RC充电回路 ,如原图 1所示 ,据基尔霍夫电压定律 ,任何瞬间 ,它都满足i C( t) R VC( t) =VE所以流过电容的电流 i C( t)为i C( t) =VE - VC( t)R在充电过程中 ,电容上的电压 VC( t)为VC( t) =VE( 1 - e- tτ)所以i C( t) =VER- VER( 1 - e- tτ) =VERe- tτ由于 i C( t)表达式的错误…     

立轴风车的气动性能计算与分析

本文在Wilson工作的基础上,导出计及阻力的立轴风车功率系数计算公式;证明了阻力对速度诱导因子α的影响可忽略不计。 一、模型与公式推导 图1为多流管模型,每个小流管可近似认为准定常流动。并假定:(1)对称叶型,安装角为零;(2)升力系数与攻角成正比,C_L=bα;(3)阻力系数C_D=C_(DO)+C_(Di),而C_(Di)=kC_L~2;(4)叶片弦长远小于风车旋转半径,即c<相似文献   

C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对高能π~+,K~+介子及质子的吸收截面

在联合原子核研究所同步稳相加速器上,研究了高能π~+、K~+介子和原子核的相互作用。利用角度式气体契连科夫速度选择器,选择出纯度约达99％的K~+介子束。测量了C,Al,Cu,Sn,Pb等原子核对动量为2.72,3.70,4.75Бэв/с的π~+介子的吸收截面;C,Al,Cu等原子核对动量为4.75Бэв/с的K~+介子的吸收截面;C,Sn,Pb等原子核对动量为2.72Бэв/с的质子的吸收截面。 利用光学模型,对所得的数据进行了分析。根据π~+介子数据得到的原子核半径公式,与T.Bowen根据π~-介子的测量数据所得结果不同,而和由低能中子散射工作所得结果(R==1.37A~(1/3)×10~(-13)厘米)相符。根据K~+介子数据得到,高能K~+介子与核子相互作用全截面的平均值应为 _(KN)=16.5毫巴。     

演示振动合成用的移相器

演示互相垂直的同频振动时,如果采用两个频源,由于不同频源的频率和初相位相互独立,难以获得稳定的图像.较好的办法是采用一个频源,通过相移后跟未相移的频源合成.这样可得到稳定的合成图像,并且便于研究位相差和合成图像之间的对应关系.下面介绍我们在实验中采用的移相器电路及原理. 移相器的电路如图1.U2与U1的位相相反,而U4与U1的位相相同,故U2与U4的位相相反.假如 显然加在电容C和电位器R两端的信号电压为2U1.根据电阻和电容上的电压住相差为　/2的特点,画出电压矢量图,如图2所示,因为直径上的圆周角等于　/2,所以A点位于以地点为圆…     

正确测定RLC串联电路暂态过程的临界阻尼电阻

用示波器观察RLC串联电路电容C上电压暂态过程的线路如图1所示.对于不同的电阻R充电时电容器C上的电压uC和时间Z的波形如图2所示.其中1为欠阻尼状态（R2＜4L／C），ⅡE为过阻尼状态（R＞4L／C），Ⅲ为临界阻尼状态（R2=4L／C）.临界阻尼状态是欠阻尼状态与过阻尼状态之间的过渡状态.对应于临界阻尼状态的电阻R为临界阻尼电阻，理论值图1图2实验测定临界阻尼电阻的一般方法是改变电阻箱的阻值R从小变大，使电路从1状态逐渐进入Ⅲ状态.当欠阻尼振荡的振幅衰减到示波器荧光屏不能分辨时，相应的电阻为临界阻尼电阻.用此方法确定的临界…     

N2O异构体结构与解析势能函数

在B3P86/cc-PVTZ水平上,对N2O异构体进行优化计算,得出N2O基态的单重态能量最低,其稳定构型为C∞v构型,平衡核间距R1=0.1121 nm,R2=0.1177 nm,α＝180°,能量为-185.1188a.u.同时计算出基态的简正振动频率ω1(Π)=601.5010 cm-1,ω2(Σg)=1295.8518 cm-1和ω3(Σu)=2287.0627 cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出N2O分子的全空间解析势能函数,该势能函数准确再现了N2O(C∞v)平衡结构.     

无定形靶中离子注入的R,R_p,△R_p的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解: R=2/a[E1/2-A_1(arctg2E1/2-f/△+arctg f/△)+B1 1n(E1/2-f)~2/E-fE1/2+d·d/f~2] 其中A_1,B_1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=F[A_2(μ)+B_2(μ)/μ1/2+C],和ω=R_p/△R_pR/R_p(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A_3(μ)μ1/2+B_3(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A_2(μ),B_2(μ),B_3(μ)和A_3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对等关系式的物理意义作了讨论。 上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO_2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

二硫化硒的结构与抗氧化性

基于方法 b3p86/6-311g*,计算Se S2得到基态为1Α1,它属于C2V构型,其正则振动频率为ν1(π)=519.19 cm-1,ν2(π)=501.36 cm-1和ν3(σ)=202.71 cm-1.Se S2基态1Α1的能隙为0.0972 a.u.,比较小;而用同样方法计算的水基态的能隙为0.34237 a.u.,后者为前者的3.5倍.可见,Se S2的单重态1Α1的最低空轨道相对地容易接受电子,体现了Se S2的抗氧化性,而且,它的电子光谱中在8.8928 e V=71724.9cm-1有一大的跃迁,这表明Se S2容易激发.     

有限长直电流磁场的另外两种计算方法

有限长直电流磁场的计算,是电流磁场计算中的基本问题.利用电流元的概念和毕奥——萨伐尔定律可以求得图1所示的有限长直电流在P点产生的磁感应强度,其大小为B=(μ_0I/4πR)（cosθ_1-cosθ_2）=(μ_0I/4πR)(sinβ_2-sinβ_1)作为比较,这里给出该问题的另外两种计算方法.     

原子核内新的转动不变性的探索

对于λ=2,4,6…的偶极性轴对称形变核, 除存在着R(π)不变性外, 在某些核中可能还存在着R(π/2)不变性. 本文从理论上一般地分析了出现新的形变对称性的可能. 主要分析了出现R(π/2)不变性的条件, 满足R(π/2)不变性的波函数和矩阵元中所谓的记号因子σ⁽⁴⁾相关项. 用此可以解释实验能谱和B(E2)值中出现的一些I/2奇偶现象. 本文还提出了可能存在R(2π/3)不变性的条件.     

单一元件交流电路相位差的定性分析

电容、电感、电阻是三个基本电路元件．它们各自和正弦交流电源连接，分别构成纯电容、纯电感、纯电阻交流电路．它们都是理想的电路模型．纯电容电路中电压uc滞后电流icπ/2，纯电感电路中电压uL超前电流iLπ/2，