首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 284 毫秒
1.
杜东生  杨新娥  罗马 《物理学报》1986,35(2):141-151
我们提出了一种新的计算方法(喷注电荷截面)。用这种方法进行微扰QCD计算,不但能像末态正反强子截面差dσ(AB→h+X)—dσ(AB→h-+X)那样少受海夸克和胶子分布函数的影响,而且与任何部分子的碎裂函数无关。用这种方法还可以在不能识别夸克味道的实验条件下,间接测定各种夸克喷注的平均电荷。 关键词:  相似文献   

2.
孔繁梅  罗马  韩涛  温暖 《物理学报》1986,35(2):152-160
本文通过对反应:p+p→γ+Jet+X,γ+p→2Jets+X,γ+p→h+Jet+X的喷注电荷截面的分析,分别给出了检测质子中胶子分布函数,提取胶子喷注信息以及确定胶子碎裂函数的方法。 关键词:  相似文献   

3.
本文探讨了强作用中截面差ΔAB=dσ(AB→cγX)-dσ(AB→cγX)的物理含义, 给出了挑选对截面差有贡献的子过程的简单规则. 并建议在大横动量直接光子出射的条件下, 通过测量截面差及其组合检验强子的胶子分布函数. 同时, 还得到了这些截面组合一相应质子、中子、π介子和K介子中的胶子分布函数之间的简单关系:Gp(x)/(Δpp-Δpp)=Gn(x)/(Δnp-Δnp)=Gπ(x)/(Δπ+p-Δπ-p)=GK(x)/(ΔK+p-ΔK-p),它们可望在实验上得到检验.  相似文献   

4.
本文给出了夸克-反夸克对 湮没和夸克-反夸克对 产生过程的单胶子和双胶子交换势准至P2/m2级近似的形式,据此推出了pp→ΛΛ过程的等效位势.应用这个位势在平面波玻恩近似(PWBA)下计算pp→ΛΛ反应的微分截面和总截面,得到了与实验符合得较好的结果.  相似文献   

5.
基于Dyson-Schwinger方程(DSEs)所确定的夸克传播子和算符成积展开(OPE),在彩虹近似下,预言了QCD真空中非定域夸克真空凝聚的结构。这种结构由夸克自能函数Af和Bf决定,通过数值求解DSEs就可以得到这些自能函数。但是,直接数值求解DSEs方程非常复杂,这里采用Roberts和Williams提出的参数化方法,用参数化的夸克传播函数σf v(p2)和σf s(p2)计算夸克自能函数。同时,也计算了定域的夸克真空凝聚值,夸克胶子混合的真空凝聚值,以及夸克的虚度。理论预言和计算结果均与标准QCD求和定则、格点QCD和瞬子模型的理论结果大致相符。和这些模型的结果相比,参数化方法得到的轻夸克(u,d,s)的定域真空凝聚偏大,这主要是由于模型依赖导致的。与u,d夸克相比,s夸克的真空凝聚比较大,这是因为s夸克自身质量较大的缘故。当然,Roberts-Williams参数化的夸克传播子只是一个经验公式,只能近似描述夸克的传播。  相似文献   

6.
我们在γ-p质心系里用微扰QCD方法计算了γ p→2γ_((大P_T))反应的双微分截面(d~2σ)/(dx_Tdx_L),并分析了它的两种可能的背景(γ p→γ q(?)和γ p→γ q(?),文中指出,利用该反应所具备的大_(P_T)光生和直接光子对出射过程的双重特点,可以把这两种背景大大压低,计算结果表明,用QCD预言的γ p→2γ_((大P_T))反应不但具有本底干净的显著特点,而且在相当大的(x_T,x_L)范围内,计算得到的反应截面可以在目前的实验精度下测量。因而,在实验上精确测定此过程,对于检验QCD是有意义的。  相似文献   

7.
本文半唯象地基于无规独立产生子夸克和相空间考虑的简单图象,计算了S1/2~4—7GeV能区的夸克喷注强子化的强子纵动量和能量分布S/β dσ/dxp和S/β dσ/dxE行为。它们与实验符合得相当好,本文还给出喷注中两个粒子关联截面dσ/(dx1Edx2E),有待实验检验。  相似文献   

8.
按着重夸克偶素产生的NRQCD因子化方案,计入qq的色八重态产生机制,采用L.Alvero等给出的三组Pomeron的部分子分布函数,在s=200GeV,4GeV相似文献   

9.
利用双胶子交换模型并结合重夸克偶素的色八重态产生机制,计算了π与p碰撞过程中J/ψ的衍射产生总截面.结果发现:随着质心系能量的增加,J/ψ衍射产生的总截面逐渐增大;并且,不同的π介子中的胶子分布函数给出的总截面偏离也逐渐加大.计算结果与未来的实验数据比较,可以检验π介子中的胶子分布函数及双胶子交换模型.  相似文献   

10.
在次领头级(NLO)近似下计算了HERA分解光子过程中的双喷注截面.结果表明:在分解光子过程中,NLO修正量(当不变质量大于20GeV时)约为LO的0.5到1.这一结果可解释ZEUS的数据分析结果:“LOQCD理论值比实验值低1.5到2个因子.”当双喷注不变质量MJJ<30GeV=,快度yJJ<—1时,光子的胶子分布决定了双喷注截面.利用这一特点可测量光子的胶子分布.当双喷注不变质量较大时(例如:MJJ>30GeV),-1JJ<0时,光子的夸克分布决定了双喷注截面,利用这一特点可测量光子的夸克分布.  相似文献   

11.
邹渝  余友文 《中国物理 C》1987,11(4):491-495
用单胶子交换正反夸克对湮灭的势模型计算了质子-反质子湮灭到各种两个介子道的截面及分枝比. 并与Naive模型及其它作者的结果做了比较. 对过程pp→π+π还计算了湮灭截面随入射反质子动量的变化关系. 结果表明, 我们的模型与实验符合较好.  相似文献   

12.
复杂粒子出射几率中聚合几率γ_β是一个复杂的函数.我们假设γ_β=γ_β(A,E)[ε_β/MeV]~x研究与能量的依赖关系.X=0.425对18个反应的微分能谱(dσ/dε)都有最佳拟合.由此提取γ_β(A,E),对同一复合系统的γ_β(A,E)值很接近,随着复合系统质量数A的增加,γ_β(A,E)也增加,特别是对于α衰变核~(210)Po,γ_β(A,E)明显地大于其它复合系统.  相似文献   

13.
实验测量了20-50MeV的C离子和Au原子碰撞中Au产生的L 壳层X射线,研究了Au的L各支壳层产生截面的比值σ(Ll)/σ(Lα) 、σ(Lβ)/σ(Lα)、σ(Lγ)/σ(Lα)和总截面的比值σ(Ltotal)/σ(Lα)并将其绘制成与入射离子能量的关系图。利用L壳层的辐射跃迁几率,Croster-Kroning跃迁率和L亚壳层的荧光产额将平面波波恩近似(PWBA)和ECSSR理论计算的电离截面转换为L层X射线产生截面,并与实验结果相比较,结果表明σ(Ll)/σ(Lα) 、σ(Lγ)/σ(Lα)和总截面的比值σ(Ltotal)/σ(Lα)与ECSSR理论预测结果吻合得比较好,σ(Lβ)/σ(Lα)比两种理论预测的值偏小。  相似文献   

14.
用I–S模型与夸克偶素的色八重态产生机制,对πp碰撞J/ψ+γ协同产生的单衍射过程的微分截面及总截面进行计算,结果表明,把J/ψ+γ协同产生的单衍射过程和单举过程相结合,可以探测Pomeron中的胶子成分并对硬衍射因子化进行检验.  相似文献   

15.
罗马 《中国物理 C》1984,8(5):539-547
我们在γ-p质心系里用微扰QCD方法计算了γ+p→2γ(大PT)反应的双微分截面d2σ/dxTdxL, 并分析了它的两种可能的背景(γ+p→γ+q(q)和γ+p→γ+q(q)). 文中指出, 利用该反应所具备的大pT光生和直接光子对出射过程的双重特点, 可以把这两种背景大大压低. 计算结果表明, 用QCD预言的γ+p→2γ(大PT)反应不但具有本底干净的显著特点, 而且在相当大的(xT, xL)范围内, 计算得到的反应截面可以在目前的实验精度下测量. 因而, 在实验上精确测定此过程, 对于检验QCD上有意义的.  相似文献   

16.
17.
研究了LHC中,Pb–Pb以质心系能量5.5ATeV以及Ca–Ca以质心系能量7ATeV碰撞过程中的硬直接光生J/ψ和γ过程:A+A→A+J/ψ(γ)+X.结果表明该过程不仅可用于测量原子核中的胶子分布,还可以用以研究大Rt胶子以及重夸克的J/ψ碎裂机制.  相似文献   

18.
本文利用我们已经给出的在带头对数近似下强子价夸克分布函数的解析表达式[11], 讨论了π介子价夸克分布函数的QCD行为, 很好地解释了现有的π介子价夸克分布函数数据. 同时预言了Drell-Yan机制产生大质量轻子对的微分截面M3 dσ/dM, 并和现有的实验数据进行了比较.  相似文献   

19.
对于从J(3095)辐射衰变得出的新粒子X(2800),可以从高能γ光子在核子(原子核)上光生微分截面中紧靠0°的实验数据准确定出X→2γ的宽度。讨论了此过程有关的费曼图,分析和估计了其中的耦合常数,计算了能量为50GeV和100GeV的γ光子在质子上(和100GeV的γ光子在铅核上)从0°—3°的微分截面。结果表明,只要Γ_(X→2γ)不是远小于1keV,就可以利用这种库仑光生准确定出它的衰变宽度。  相似文献   

20.
我们在前一篇文章中讨论了重子场流关系式,并以质子为例,计算了ppπ顶角,获得了与实验相符合的结果.本文应用重子场流关系式到p+p→pKA过程和p+n→nKA过程.目前实验上已观测到p+p→pKA过程,例如在实验室系入射质子的动能为2.85GeV时σ(pp→pKA)=0.0510mb.(1)本文企图利用重子场流关系式,由pp→pKA过程的实验结果获得pn→nKA过程的一些  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号