中高能电子散射全截面测量装置的设计

介绍了中高能电子散射全截面绝对测量装置的设计,采用直线透射技术.因采用了恒温控制作用室,以便较准确测量反应室的绝对气压值;同时采用静电型圆柱能量分析器,并用计数率测量模式代替通常的束流强度测量模式,从而可以大幅度减小接收立体角,抑制零度角的弹性散射贡献.通过以上几项措施,可以有效地提高测量的精度,从而可以对一些有意义的分子的中、高能电子散射全截面进行绝对测量.     

中高能电子的散射全截面测量装置

以电子束流光学系统为重点,介绍一台500～4250eV电子的绝对散射全截面测量装置,给出了电子枪和五圆筒透镜的电子光学设计,提供实验对电子光学系统的检验,提出对装置的改进设想。     

浦项中子装置上209Bi中子全截面测量(英文)

在浦项中子装置(PNF) 的100 MeV电子直线加速器上利用透射法和飞行时间法测量了209Bi 的0.1~100 eV的中子全截面。文中对于实验装置特点、用吸收片法拟合本底、拟合中子飞行距离和时间零点的处理过程做了较为详细的描述。测量结果与以前发表的实验数据以及评价数据ENDF/B-VII.1 做了比较,比较结果符合得较好。     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法.利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势,在100—1000eV内对电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算,并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准确得多,计算得到的动量转移截面及弹性积分截面在入射电子能量不低于200eV时也都比较接近实验值.     

250—1400eV能区N2分子的电子散射全截面测量

建立了一套直线透射式全截面测量装置,并测量了250—1400eV能区N₂分子的电子散射全截面,实验误差为3.5%。测量的结果与已报道实验和理论工作做了比较。 关键词：     

中高能电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面

利用可加性规则,使用Roothaan-Hartree-Fock波函数,采用由束缚原子概念修正过的复光学势,在300-1000 eV内若干个能量点处计算了电子被O2及CF4分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面,并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较.比较的结果表明,利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得微分散射截面的精度要比利用未修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果准确得多;同时,计算得到的弹性积分截面及动量转移截面也比较接近实验值.因此,在复光学势中采用束缚原子概念可提高电子被分子散射的微分截面、弹性积分截面及动量转移截面的计算准确度.     

中高能电子和N_2（~1∑_g~＋）、CO（~1∑~＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道（ＳＣＦ－ＬＣＡＯ－ＭＯ），用一级玻恩近似（ＦＢＡ）计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与弹性散射的微分截面和全截面。由于采用了Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法（ＳＴＯ－ＫＧ），得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化。计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好。     

中、高能电子被SO2分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上, 提出了一种能够准确计算“中、高能电子-分子”散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面的修正势方法. 利用可加性规则、使用Hartree-Fock波函数并采用被这一方法修正过的复光学势, 在100—1000eV内对电子被SO₂分子散射的微分截面、动量转移截面及弹性积分截面进行了计算, 并将计算结果与实验及其他理论结果进行比较. 结果表明, 利用这一修正过的复光学势及可加性规则获得的微分截面比利用未修正的复光学势及可加性规则得到的结果准 关键词： 可加性规则 微分截面 动量转移截面 电子散射     

中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.     

中高能电子和N2（^1Σ^＋g）,CO（^1Σ^＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道，用一级玻恩近似计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与Ｎ２（＾１Σ＾＋ｇ、ＣＯ（＾１Σ＾＋）弹性散射的微分截面和全截面。由于采用Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法，得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化，计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好     

Total electron scattering cross sections for carbon dioxide at low electron energies

Absolute total electron scattering cross sections for carbon dioxide have been measured at low electron energies using a photoelectron source. The measurements have been carried out at 27 electron energies varying from 0.91–9.14 eV with an accuracy of ±3%. The cross sections obtained in the present experiment have been compared with other measurements and theoretical computations.     

Total cross sections for electron scattering from sulfur compounds

The original additivity rule method cannot give good results for electron scattering from SO,SO2,SO2Cl2,SO2ClF,and SO2F2 molecules at low energy,because the electron-molecule scattering is simply reduced to electron-atom scattering.Considering the difference between the bound atom in a molecule and the corresponding free atom,the original additivity rule is revised.With the revised additivity rule,the total cross sections for electron scattering from these molecules are calculated over a wide energy range below 3000 eV and compared with the available experimental and theoretical data.A better agreement between them is obtained.     

He-HI复合物势能面及微分散射截面的理论研究

采用超分子单双迭代(包括非迭代三重激发)耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组, 计算得到了基态He-HI复合物相互作用的全程势能面. 该势能面上存在2个势阱, 分别对应于线性He-I-H和He-H-I构型, 势阱深度分别为4.473和2.996meV, He原子到HI分子质心的距离R分别为0.363和0.442nm. 使用Barker, Fisher和Watts提出的BFW势函数拟合计算得到的相互作用能数据, 获得了He原子与HI分子相互作用势的解析表达式. 在 关键词： He-HI复合物 势能面 微分散射截面     

中高能电子被氟代甲烷散射的总截面计算

利用可加性规则,使用Hartree-Fock 波函数,采用被束缚原子概念修正过的复光学势,首次在100～5 000eV内对电子被具有较多电子数的氟代甲烷分子散射的总截面进行了计算,且将计算值与实验值及经验公式进行了比较,得出了被束缚原子概念修正过的复光学势可成功用于"电子-氟代甲烷"散射总截面计算的结论;研究了"电子-氟代甲烷"的散射总截面与目标分子总电子数及电子入射能量间的关系,初步分析了结构因子与总电荷数相关的原因,并指出了对复光学势进行进一步修正时应遵循的原则.     

中高能区电子与分子散射总截面的计算

实验表明,电子与分子碰撞总截面(TCS)与分子本身固有参数(极化率、键长等)有一定关系,所以可从理论上定量探索这种关系,找出包含这些参数的准经验公式 .理论上可根据散射截面的"低能极限为硬球势散射、高能极限为玻恩近似"的思想,参考实验上测得的一些分子的总截面与分子的极化率的定量关系,我们用分子的几何和物理参数模拟了一种准经验公式.?     

Elastic differential cross sections of electron scattering by CF_4 at intermediate energies

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＣａｒｂｏｎｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｉｄｅ(ＣＦ4)ｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｍｏｓｔｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓｏｆｆｅｅｄｇａｓｍｉｘｔｕｒｅｓｅｍｐｌｏｙｅｄｆｏｒａｖａｒｉｅｔｙｏｆｐｌａｓｍａａｓｓｉｓｔｅｄｍａｔ...     

Elastic differential cross sections of electron scattering by CF_4 at intermediate energies

The elastic differential cross sections(DCS)for electron scattering from CF 4 are calculated at six impact energies(in 100—700 eV)employing the independent atom model(IAM)with partial waves. The atoms are presented by a model complex optical potential which is composed of static, exchange, polarization, and absorption terms. The electron density function ρ(r) is obtained by a fitting procedue to the Dirac Hartree Fock Slater sef consistent data. Compared with available experimental data, the presen...