Sr2CeO4:Eu,Gd的微波合成与荧光性质

用微波法合成了Gd3 和Eu3 共掺杂的Sr2CeO4荧光体.Gd3 对Sr2CeO4:Eu的发光起不同的作用:当Eu3 浓度较低(掺杂浓度为1 mol%)时,Gd3 离子起猝灭作用;当Eu3 浓度较高(掺杂浓度为8 mol%)时,Gd3 离子起敏化作用,尤其是Gd3 离子掺杂浓度为3 mol%时,Eu3 的5D0→7F2(614 nm)跃迁发射增强为Sr2CeO4:Eu荧光强度的145%.     

Eu3+/Tb3+和Eu3+/Pr3+共掺杂P(MMA-co-St)的荧光性能的研究

将不同荧光性能的铽(Tb)、镨(Pr)离子分别与铕(Eu)离子混合，以三异丙氧基稀土的形式掺杂P(MMA-CO-St)共聚物，研究Eu^3 ／Tb^3 和Eu^3 ／pr^3 共掺杂P(MMA-CO-St)的荧光性能的变化情况．结果表明，Eu^3 ／Tb^3 掺杂的P(MMA-CO-St)中，Tb^3 作为能量给予体，Eu^3 作为能量接受体，能量转移的结果使Eu^3 特征荧光显增强；Eu^3 ／pr^3 掺杂的P(MMA-CO-St)中，Eu^3 的能量向pr^3 转移，致使Eu^3 的特征荧光猝灭，pr^3 的荧光略为增强．     

YVO4：Eu荧光纳米粒子的合成及表征

随着纳米材料的迅速发展及在生物科学领域的应用,近十年,以荧光纳米材料作为荧光标记物进行生物分子的标记和细胞成像受到了广泛的关注,相关的研究使生物标记技术有了长足的发展和进步[1～3].     

单分散GdxY2-xO3:Eu3+纳米颗粒的制备及其荧光性能

本文采用均相沉淀法制备了单分散Gd_xY_2-xO₃:Eu³⁺纳米颗粒,并利用SEM,TEM,XRD和荧光光谱对产品的形貌,晶体结构和荧光性能进行了表征.结果发现适量Gd³⁺的加入对Y₂O₃:Eu³⁺的发光具有显著的增强作用.同时达到最大荧光强度所需的价格较贵的Gd³⁺用量,也从燃烧法的80%大幅减少到20%.另外,本文还进一步研究了Eu³⁺浓度对纳米颗粒荧光性能的增强效果.     

镨和镱掺杂Ba2 SiO4:Eu2+荧光材料的合成与发光性能

采用高温固相反应法分别合成了变价稀土镨和镱离子掺杂的绿色荧光粉[Ba(2-n-1.5x)REx]SiO4:nEu2+ (n=0.03, RE=Pr, Yb;x=0, 0.02,0.05,0.10).结果表明: 所有合成荧光粉的激发峰均为250～400 nm的宽峰, 与近紫外LED的发射光波长相匹配.发射峰位于450～550 nm之间, 是Eu2+的5d-4f跃迁的典型发射.Pr3+和Yb3+的掺入并未改变Ba2SiO4:Eu2+的相组成, 但对荧光强度的影响大, 且与掺杂元素、掺杂量和煅烧温度相关.当掺杂Pr3+和Yb3+的量为x=0.02时, 经1150 ℃煅烧所得荧光粉的发光强度分别是未掺杂时的595%和168%.证明三价稀土离子掺杂可以导致基质中的电荷缺陷而敏化Eu2+离子的发光, 而变价稀土离子的掺杂可以大大提高电荷缺陷, 导致荧光强度的进一步提高.     

燃烧法制备Zn2SiO4:Eu3+红色荧光粉及其发光性能

采用燃烧法合成了发光性能良好的Zn2SiO4：Eu^3＋红色荧光体。结果表明：经过600℃燃烧的样品在1000℃下煅烧可得到纯Zn2SiO4晶相。利用XRD,SEM对样品的结构以及形貌进行表征,还考察了煅烧温度对Zn2SiO4：Eu^3＋荧光体发射强度及色度的影响,样品发射光谱为Eu^3＋的特征发射;增大煅烧温度,发射强度增大,色度降低。最终得到最佳的煅烧温度为1100℃。     

利用Eu3+荧光特性研究CaO-La2O3催化剂结构

近年来，利用稀土窝子荧光特性作为探针研究无机、有机、生物大分子结构，日益引起人们的注意．因为稀土荧光特征可以灵敏地反映发光离子近部环境的对称性、所处格位及不同对称性的格位数、有无反演中。心等结构信息[1]．由于Eu3＋离子基态能级7F0和主要的发射能级5D0的总角动量数J都为零，不被晶体场所劈裂，而且Eu3＋在不同点群对称性时，7FJ（J＝1，2，3，4，5，6）的能级劈裂数和5D0→7FJ的跃过数均有报导[2]，所以，Eu3＋可用于探针分析减土金属氧化物和稀土金属氧化物都是甲烷氧化倡联较好的催化剂．前者具有较强的碱性，后者具…     

燃烧法合成铝酸盐发光粉的研究

利用金属硝酸盐和尿素发生的氧化还原反应，制备了发绿光的铝酸盐发光粉Ｃｅ０．６７Ｔｂ０．３３ＭｇＡｌ１２Ｏ２０．５．反应在６００℃下完成．对产物的性质进行了表征和研究．考察了尿素用量，炉温及其它制备条件对发光粉的性质，特别是亮度的影响     

纳米CeO2：Er荧光粉的光声光谱和荧光光谱研究

采用燃烧法合成了CeO2：Er纳米荧光粉，研究了不同粒径大小的CeO2：Er的晶型和晶貌并对该现象进。TEM结果表明无定形CeO2：Er包围着纳米晶CeO2：Er，可起到表面修饰的作用。光声光谱在保持纳米材料表面状态不改变的前提下，分析了不同粒径的CeO2：Er的光谱性质，解释了随纳米粒径减小CeO2光谱峰吸收峰有蓝移而Er^3 没有明显谱峰位移的原因。在荧光光谱中，发现小粒径的CeO2：Er有较大的红绿发射比，行了解释。     

水热法合成Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料及性能研究

采用水热法制备了均匀分散的前驱体,然后通过煅烧获得蓝绿色Sr4 Al14O25:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.在制备前躯体过程中,分别用NH3·H2O和NH4HCO3作为沉淀剂,研究了其对最终发光材料的结构和性能的影响.结果表明,用氨水做沉淀剂最终合成的发光粉为物相较纯的Sr4 Al14O25相,粒径小,分散性好,发光强度高,余辉衰减时间长.     

Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的微波合成及性能研究

0 引 言 白光LED是一种具有广阔前景的节能照明灯具,被誉为人类的第四代照明用灯具.白光LED实现主要有两种方案,其中在蓝光LED芯片上涂覆黄色荧光粉,蓝光芯片发出的蓝光与荧光粉发出的黄光复合而获得白光,受到人们的重点关注[1-5].     

Sr5SiO4Cl6:Eu2+蓝白色荧光粉的发光特性研究

采用高温固相法合成了Sr5SiO4Cl6∶Eu^2＋荧光粉。该荧光粉在近紫外360 nm激发下,出现了峰值位于454 nm稍不对称的发射峰,对其进行Gaussian曲线拟合,分解得到了451和470 nm两个明显的发射峰。利用Van Uitert公式讨论了晶格环境对Eu^2＋发光中心能量状态的影响,得出451和470 nm发射峰为Eu^2＋分别占据九配位和八配位的Sr^2＋格位跃迁产生的。研究了烧结温度以及Eu^2＋含量对荧光粉发光强度的影响。     

Sr2SiO4:Eu3+发光材料的制备及其光谱特性

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Eu3+发光材料. 测量了Sr2SiO4:Eu3+材料的激发与发射光谱, 发射光谱主峰位于618 nm处;监测618 nm发射峰时, 所得激发光谱主峰分别为320、397、464 和518 nm. 研究了Sr2SiO4:Eu3+材料在618 nm的主发射峰强度随Eu3+浓度的变化情况. 结果显示, 随Eu3+浓度的增大, 发射峰强度先增大; 当Eu3+浓度为7%时(x), 峰值强度最大; 而后随Eu3+浓度的增大, 峰值强度减小. 在Eu3+浓度为7%的情况下, 研究了电荷补偿剂Li+的掺杂浓度(x(Li+))对Sr2SiO4:Eu3+材料发射光谱强度的影响. 结果显示, 随x(Li+)的增大, 材料发射光谱强度先增大后减小, 当x(Li+)为8%时, 峰值强度最大.     

纳米SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料的制备与性能

采用水热-均匀共沉淀法制备了纳米SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.通过XRD、TEM、荧光光谱、热释光谱对其结构和性能进行分析.XRD结果表明所制备的SrAl2O4:Eu2+Dy3+纳米发光材料为单相,属单斜晶系.TEM测试表明纳米SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料为规则的球状粒子,粒径为50～80 nm,且分散性良好.激发和发射光谱测试表明,样品的激发光谱是峰值在356 nm 的连续宽带谱,发射光谱是峰值位于512 nm的宽带谱,与SrAl2O4:Eu2+,Dy3+粗晶材料相比,激发和发射光谱都出现了"蓝移"现象.样品的热释光峰值位于358 K,适合于产生长余辉.     

A Novel Synthesis of Alkaline Earth Silicate Phosphor Sr3MgSi2O8： Eu^2＋, Dy^3＋

A novel method for synthesizing long afterglow silicate phosphor Sr3MgSi2O8：Eu^2＋,Dy^3＋using TEOS and inorganic powders as reactants was reported. Acetic acid as a catalyzer controlled the hydrolysis of TEOS by adjusting pH value of the system. The morphologies of precursor were characterized by transmission electron microscope （TEM）. The structure and optical properties of the phosphor powders were systematically investigated by means of X-ray diffraction and spectrofluorometry. TEM images have reflected the core-shell structure and quasi-spherical morphology of the precursor particles. It was found that the single-phase Sr3MgSi2O8 crystalline structures were obtained at 1050 and 1250 ℃ for the samples prepared with the nano-coating method and the solid state reaction, respectively. The emission intensities of the phosphors prepared by the present method were higher than those by the conventional process. Also, the afterglow characteristic was better than that prepared by solid-state reaction in the comparable condition.     

共沉淀-熔盐法制备BaMoO4∶Eu3+及其发光性能研究

以KCl-NaCl为熔盐,采用共沉淀前躯体-熔盐辅助焙烧法合成了红色发光材料BaMoO₄∶Eu³⁺。运用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱(PL)等测试手段,研究了熔盐辅助焙烧温度对粉体相结构、形貌和发光性能的影响,并对比了直接采用共沉淀法合成BaMoO₄∶Eu³⁺的结构与发光性能。结果表明：采用两种方法制备的BaMoO₄∶Eu³⁺均是纯相,粒径随温度升高而增大。当KCl-NaCl复合熔盐焙烧温度大于700 ℃,BaMoO₄晶粒在熔盐中实现了(111)面取向生长,得到均一的尖晶石型BaMoO₄∶Eu³⁺微晶。光谱研究表明：共沉淀前躯体-熔盐辅助焙烧法合成样品在615 nm处的Eu³⁺的⁵D₀-⁷F₂发射明显得到加强,样品发出明亮的红色发射光。     

沉淀法合成t-LaVO4∶Eu3+及其光致发光性质研究

用沉淀法在不同pH值下选择性合成了m-和t-LaVO4:Eu3+,合成过程未使用添加剂.用XRD、SEM、PL对样品进行了表征,并与水热法所制备样品的性质进行了比较.结果表明,样品在280 nm紫外光激发下能发射600～620 nm窄带红光,t-LaVO4:Eu3+发光性能远比m-LaVO4:Eu3+优越;pH值是选择性合成t-LaVO4:Eu3+的关键,pH值在6～9范围内,沉淀法与水热法都可得到t-LaVO4:Eu3+,其中pH值为7时样品发光强度最高.样品形貌对光致发光性质有重要影响,沉淀法所得到的t-LaVO4:Eu3+具有规则的形貌,尺寸为亚微米级.延长陈化时间可增强样品发光强度,常温下陈化12 h所得样品的发光强度与180℃水热2 h样品相近.Eu3+掺杂量也是影响样品发光性质重要因素,其最佳掺杂浓度为物质的量分数5%.t-LaVO4:Eu3+在600℃以下结构稳定,煅烧后样品发光强度不会下降.     

CaMoO4∶Eu3+发光材料的制备和发光性质的研究

用共沉淀法与高温焙烧法制备了样品CaMoO4:Eu3+.TG-DTA谱图表明:800℃时,样品吸收的能量最大,即形成稳定的CaMoO4:Eu3+结构.用XRD谱图进一步分析表明:800℃时,样品CaMoO4:Eu3+已形成CaMoO4的白钨矿结构.由于2个Eu3+取代3个Ca2+,导致了晶体产生微小的晶体缺陷,从而形成具有p-n结的半导体.经过激发和发射谱图的测试发现:这种缺陷结构不但可以使Eu3+禁戒的4f电子发生跃迁,而且可以使MoO42-的能量高效地传递给Eu3+.尤其使与MoO42-的发射特征峰(488 nm)部分重叠的Eu3+(465 nm)的7F0→5D2电子跃迁得到了极大的加强,进而在λex=465 nm的发射谱图中,自激活荧光体MoO42-的发射强度被大大减弱甚至猝灭,而Eu3+的5D0→7F2(612 nm)跃迁的红光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料.