正交相SnO2纳米带的电子显微学研究

自从1991年，Iijima发现纳米碳管以来，一维纳米材料（包括纳米线、纳米带、纳米棒等）成为材料科学研究中一个崭新的热点。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广泛关注和研究。     

Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征

利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.     

纳米晶SnO2薄膜的结晶特性

采用磁控溅射技术，使用混合气体Ar和O2，在衬底温度为150-400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2：Sb透明导电薄膜，通过测定X射线衍射谱，表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向，测量了SnO2：Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE—SEM表面及断面形貌。     

纳米晶SnO2薄膜的结晶特性

采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE-SEM表面及断面形貌.     

纳米晶SnO2薄膜的结晶特性

采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜,通过测定X射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向.测量了SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化以及纳米晶SnO2薄膜FE-SEM表面及断面形貌.     

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600°C条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右.以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性.     

退火温度对SnF2掺杂SnO2薄膜性能的影响

利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF2掺杂SnO2(FTO)薄膜.研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响.研究结果表明:升高退火温度可促进FTO薄膜中晶粒逐渐变大,结晶度变好,同时薄膜在可见光范围内的透射率随着退火温度升高逐渐增加,吸收边发生蓝移,禁带宽度显著变宽,这是由于载流子浓度增加导致的Moss-Burstein效应.升高温度时,薄膜电学性能随着退火温度升高有了很大改善,700℃退火处理后得到电阻率低至2.74×101 Ω·cm、载流子浓度为2.09×1020 cm-3、迁移率为9.93 cm2·V 1·s 1的FTO薄膜.     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用；详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响，通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数；利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理；展望了SnO2气敏传感器的发展前景。     

稀土Dy掺杂对ZnO,CdO和SnO2薄膜性能的影响

用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构特性,使薄膜表面的致密性变好。CdO,ZnO和SnO2薄膜的最佳掺Dy原子数分数为5%,5%和3%。掺Dy后Cd O,ZnO和SnO2薄膜的导电类型均为n型,电阻值降低约一个数量级。Dy掺杂使得薄膜的致密性增加而导致光透过率降低。制备的薄膜都是直接带隙半导体,相应的光学带隙:Cd O约2.232 eV,CdO∶Dy(Dy原子数分数5%)的略增为2.241 e V,ZnO薄膜约为3.31 eV;ZnO∶Dy(Dy原子数分数5%)约3.25 eV,SnO2薄膜约3.07 eV,SnO2∶Dy(Dy原子数分数3%)约3.03 eV。     

Cu/Sb掺杂SnO2纳米晶薄膜的H2S气敏特性

以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明:r(Cu:Sb:Sn)为1:5:100,工作温度为140℃时,薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性,敏感浓度下限可达0.7×10–6。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理;展望了SnO2气敏传感器的发展前景.     

SnO2掺杂ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷

研究了 SnO_2对 ZnO-Nb_2O-5-TiO_2陶瓷相结构和微波介电性能的影响。随 Sn 添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn_(0.15)Nb_(0.30)Ti_(0.55))O2相转变为 ZnTiNb_2O_8相,相对介电常数 ?r减少,?f向负频率温度系数方向移动, 当 Sn 含量增加到0.20,?f可降至 9.8×10–6℃–1。当 SnO2的摩尔比 y 为 0~<0.08 时,形成完全固溶体,提高 Q·f 值;当 y>0.08,部分Sn 形成第 2 相,降低其 Q·f 值。当 y 为 0.08,在 1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其 ?r为 50.3,Q·f 为 14 892GHz,?f为 25.12×10-6℃–1。     

氧化镓纳米带的制备研究

纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。     

纳米SnO_2粉体的制备与掺杂研究

利用液相沉淀法制备了一系列掺杂型SnO2纳米粉体,晶粒度小于20 nm。研究了Ni2+、Co2+、Cu2+掺杂对SnO2粉体物相结构、晶化行为及晶粒度的影响。分析认为,各SnO2粉体样品都属于金红石结构,掺杂离子以类质同象方式进入SnO2晶格,对SnO2晶胞参数、结晶度、晶粒度等方面产生影响,其中Ni2+和Cu2+的掺入影响较大,可对SnO2晶粒生长有明显的抑制作用,大大降低其晶粒度。     

New Ultraviolet Photodetector Based on Individual Nb2O5 Nanobelts

Although human eyes are quite insensitive to ultraviolet (UV) light, most of the longer wavelength UV light (the UV‐A band between 320 and 400 nm) does reach the earth surface and after prolonged exposure, the radiation can cause health concerns especially skin cancer. Therefore, it is extremely important to explore ways to effectively monitor the radiation. Herein we report for the first time a new high‐performance UV photodetector made of an individual Nb₂O₅ nanobelt. Quasi‐aligned Nb₂O₅ nanobelts 100–500 nm wide and 2–10 μm long were synthesized using a hydrothermal treatment of a niobium foil in a KOH solution followed by proton exchange and calcination treatment. A nanostructured photodetector was constructed from an individual Nb₂O₅ nanobelt and its optoelectronic properties were evaluated. The detector exhibited linear photocurrent characteristics, excellent light selectivity, and high external quantum‐efficiency (EQE) of 6070%. Long‐term stability of the photocurrent over a period of 2500 s at an applied voltage of 1.0 V was achieved. The photodetector performance was further enhanced by improving the crystallinity and eliminating the defects in the Nb₂O₅ nanobelt crystals. These excellent optoelectronic properties demonstrate that Nb₂O₅ nanobelts are suitable for visible‐blind UV‐light sensors and optoelectronic circuits, especially those operating in the UV‐A range.     

Synthesis and Properties of Mg-doped ZnO Nanobelts

The chemical vapor deposition(CVD)growth method is applicable to produce high-yield single-crystalline ZnO nanobelts.The Mg-doped ZnO nanobelts with a smooth surface have been successfully synthesized.The morphology,microstructure and optical properties of the ZnO nanobelts were analyzed by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),transmission electron microscope(TEM),selective area electron diffraction(SAED),energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS)and photoluminescence(PL)spectroscopy.Resu...     

制备工艺对厚膜SnO_2气敏元件性能的影响

采用平面丝网印刷技术制备不同厚度的 Sn O2 厚膜气敏试样 ,在不同温度下进行热处理后 ,测量试样对乙醇气体的灵敏度 ,研究热处理温度及敏感膜厚度等对元件性能的影响。结果表明 ,热处理温度和膜厚的均匀性会影响元件的电阻值和灵敏度 ,准确控制热处理温度和膜厚能显著改善元件的灵敏度和一致性。     

Sb~(3+)掺杂的YAG:Ce荧光粉的合成与发光性能研究

通过高温固相法制备了白光LED用Sb3+掺杂的Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉,使用荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并采用紫外-可见-近红外光谱分析系统分析了所制荧光粉的封装性能。结果表明,Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉为立方晶系,其发射中心波长为550 nm,Sb3+掺杂有助于提高YAG:Ce的发光强度。将合成的Y1.92GdSb0.02Al5O12:0.06Ce(CL-Y-550)荧光粉封装成白光LED,其平均色温为5 376 K,属于冷白;平均显色指数为81.2,达到了基本的应用水平。     

SnO2薄膜的湿敏效应

报道了用喷雾热分解法在不同温度下制备二氧化锡薄膜,发现其在３２５℃时已晶化,得到四方相多晶ＳｎＯ２。这种薄膜具有明显湿敏效应。测量表明,较高湿度区阻值随湿度变化近似线性,从高湿到低湿平均为每上升１％ＲＨ,阻值下降８．８π,响应速度小于１分钟,阻值恢复较容易。