电场边值关系的演示

一、电分质分界面上电场的变化由于电场中电介质的极化,使得电介质界面处电场发生变化。电场在介质界面处的边值关系为 D_(1n)=D_(2n) E_(1t)=E_(2t) D_(1t)/ε_1=D_(2t)/ε_2 ε_1E_(1n)=ε_2E_(2n) (1) 很容易由(1)式及E=D/ε导出     

电各向异性介质中带电圆环的电势和场强

由电各向异性介质中连续带电体的电势公式,利用积分的方法,求得放置在电各向异性介质中的均匀带电圆环在其轴线上所激发的电势,并进而求得在其轴线上激发的场强。对求得的结果进行讨论,可得到在电各向异性介质中均匀带电圆环在其轴线上所激发的电势和场强的一些的特点。     

广义坐标变换在普通物理学中的一些应用

文章举例阐述了广义坐标变换在力学和电磁学中的一些应用.应用广义极坐标变换和广义球坐标变换计算线椭圆环、椭圆盘和椭球刚体对任意轴的转动惯量;应用电多极展开的具体形式结合广义坐标变换,计算均匀带电线椭圆环、椭圆盘和椭球在远场处的电势.     

正介电各向异性液晶的定向排列与分子参数

对烷氧基苄叉对氨基苯晴(简称)液晶在低频下呈现较大的正介电各向异性△ε=ε_(11)-ε_⊥≈15-20[1](ε_(11)和ε_⊥是平行和垂直液晶光轴的介电常数)。因此,用电场可以有效地控制薄膜的双折射率[2],而这一点在实际应用上,对于实现光束相位调制[3],且不产生此时所不需要的动态散射效应是非常重要的。 本文的目的是研究有序度S和折射率(Π_(11)和Π_⊥)与温度的关系,根据这些数据计算了分子极化     

介质球在点电荷电场中产生的电势分布规律

推证了介质球在点电荷电场中产生的电势分布规律;同时由此推出了当介质球的电容率ε→∞时,介质球在点电荷的电场中为等电势体,以及金属导体球在点电荷电场中产生的电势分布规律．     

读者来信

读者来信编辑同志：我看了贵刊１９９４年第３期中的《一道电动力学习题的讨论》，觉得有不尽恰当之处。原题是这样的：均匀介质（介电常数为ε＿１）的中心置一自由电偶极子ｐ＿ｆ，球外充满了另一种介质（介电常数为ε＿２），求空间各点的电势原作者写道：设球内电势力...     

线电荷与介质圆柱所形成的电场

在线电荷电场的电势调和展开式的基础上,得出线电荷电场内存在介质圆柱时电势的级数解.并以此来分析长直线电荷与介质圆柱所形成的电场的电像,从而给出电势与电像有关的解析表达式,进一步得出等势线(面)与电场线方程,并利用软件MATLAB绘制出电场线和等势线图予以验证.     

关于“重离子转移反应半经典近似研究”一文中几个可能的问题

本文证明G(S,θ,π,0)=(—1)~(λ_1-λ_2)G(S,θ,0,0),从而得到跃迁振幅公式((33),H-B)在非向前角散射时依然成立。对文献[1]中等式ε_1—△ε_1—(h~2k_1~2)/(2m_x)=ε_2—△ε_2—(h~2k_2~2)/(2m_x)存在疑问,认为转移振幅公式((48),H-B)可能只适合于后表象。不同的表象选择可能对结果产生影响。考虑了转移振幅的两个对称性质,可以节省数值计算时间。     

点电荷与介质球系统电势的计算和讨论

计算了点电荷与介质球系统的电势．指出点电荷与导体球、点电荷与无限大导体平面或介质分界平面均匀外电场中有导体球或介质球系统的电势都可由点电荷与介质球系统的电势给出。     

麦克斯韦怎样提出电位移与位移电流假设

电位移和位移电流是电磁学中两个重要的物理量。历史上是由麦克斯韦提出的。在现代教科书中定义电位移矢量(?)=ε_0(?) (?),它是电场强度和介质电极化强度的线性组合。并无直观的物理意义。而位移电     

均匀外电场中无限长介质圆柱壳的场分布的计算和讨论

用圆柱坐标系中的分离变量法计算了位于均匀外电场中的无限长介质圆柱壳各区域的电势和电场,由计算结果分析了无限长介质圆柱壳对外电场的屏蔽效果,并指出均匀外电场中的无限长导体圆柱壳、无限长介质圆柱体、无限长导体圆柱及无限大均匀电介质中开有一无限长的圆柱形空腔的电势和电场都可以由均匀电场中的无限长介质圆柱壳电势及电场给出.     

双色线偏振激光场驱动H_2~+分子产生椭圆偏振阿秒脉冲

理论研究了双色线偏振激光场驱动H_2~+分子产生椭圆偏振谐波及阿秒脉冲的特点.计算结果表明:随着不同偏振角的引入,谐波光谱呈现不规则的椭圆率.但是,随着空间非均匀效应的引入,不仅谐波谱的椭圆率可以稳定在ε=0.1和ε=0.3之间,而且谐波发射的截止能量明显增强.形成4个具有较小干涉结构带宽在406 e V,299 e V,381 e V和582 e V的超长平台区.最后,通过傅里叶变换,可获得5个脉宽及椭圆率为24 as(ε=0.1),22 as(ε=0.3),24 as(ε=0.3),19 as(ε=0.3),19 as(ε=0.3)的阿秒X射线脉冲.     

关于求各向异性介质中电磁场的格林张量函数的一个方法

本文提出一个方法,来推求在(3)式中所定义的、在全空间中的格林张量函数。它有时亦称为对应微分方程的基本解。这个方法是以富氏变换为基础。由于问题的复杂性,我们不得不作某些近似。首先,把各向异性介质分为两类,一类是磁迴旋介质,另一类是电迴旋介质。对于磁迴旋介质,如铁氧体,取μ为张量而ε为标量。而对电迴旋介质,如等离子体,取ε为张量而μ为标量。其次,由于矩阵μ_p非常小(在(15)式中定义),我们可以把解展为μ_p的冪级数,并计算出一级近似。具体结果在式(23)、(25)、(28)、(32)和(33)中表示。最后对Г函数的物理意义和它的渐近展开式的有效范围作了讨论。     

共焦椭圆柱形电容器电场和电容的另一种计算

在椭圆柱坐标系的另一种形式下,计算出共焦椭圆柱形电容器的电场强度、电势和电容并且在直角坐标系下表示出来.     

运动介质的电磁性质方程

应用电磁场张量、电磁感应张量和它们的对偶张量讨论运动介质的电磁性质方程,指出D=εE和B=μH在运动介质中不成立,给出运动介质电磁性质方程的协变形式、向量形式.     

外场中介质球周围电势分布的一种新解法

利用点电荷与介质球系统的镜像电荷分布规律以及对外加电场源的等效,并结合场的叠加原理和连带勒让德函数的性质导出在外加电场中介质球周围电势分布的表达式。在此基础上,讨论了几种特殊情形,从而验证了其正确性。本文方法新颖,对于更好地理解球形介质边界的镜像、场的等效原理以及特殊函数在静电势的求解中的应用具有指导意义。     

反铁电陶瓷的研究和应用

反铁电陶瓷是电子陶瓷中初露头角尚不为人们所十分熟悉的一类新型陶瓷介质.反铁电陶瓷以其新颖的电滞回线与铁电陶瓷相区别(图1).大家知道,铁电陶瓷的特点是具有很高的介电系数 ε(ε峰值可达 104),并且ε与温度t和场强E呈非线性关系,因而在制作小型高介电容和非线性电容方面广泛应用.但铁电陶瓷最大弱点是容易介电饱和,一般当场强超过0.2kV/mm时,ε随E增加而下降.铁电陶瓷介质损耗很大,且剩余极化Pr值很大,一般不宜用作储能介质.反铁电陶瓷ε值与铁电陶瓷相近,ε与t和E亦有一段强非线性关系,这是与铁电陶瓷共同之处.但反铁电陶瓷的最大优…     

点电荷和介质球系统的镜像电荷分布

用镜像法处理介质中的静电问题,一般书刊上只论及到两种情形：一是两均匀电介质交界面为一无限大平面,在其中一种介质中有一点电荷;二是无限长均匀电介质圆柱置于另一均匀介质之中,在圆柱内或圆柱外有一与其轴线平行的无限长线电荷．在这两种情形中,电势都可以用简单的镜像系表示．至于介质球附近的点电荷的类似问题,朗道等人指出,对于这种情况“不能在有限形式下解出”［１］,“电势不能由一个简单的电像系描述”［２?...     

准一维电荷有序半导体(NbSe4)3I低温物性研究

近期,准一维电荷密度波(CDW)材料(TaSe_4)_2I的低温相被报道为轴子绝缘体[Nature 575,315(2019)],引起了广泛的关注.电荷有序半导体(NbSe_4)_3I与(TaSe_4)_2I属于同一个体系,晶体结构也表现为准一维的链状结构,低温下的物态值得进一步研究.本工作利用拉曼光谱和电输运测量实验方法对化学气相输运法(CVT)制备的高质量type-II(NbSe_4)_3I单晶样品进行了低温下的电输运和振动性质研究.通过实验研究发现,(NbSe_4)_3I在低温下并不存在轴子绝缘态.此外,电输运实验表明(NbSe_4)_3I在T_(C1)=270.4K处发生了第一次结构相变,即P4/mnc (D~6_(4h))→P42_1c (D~4_(2d)).随温度进一步降低,拉曼光谱测试发现在T_(C2)=180K和T_(C3)=110K附近有新峰的出现,分别归因于反铁电(AFE)长程有序相的形成而导致的第二次结构相变以及对称性进一步降低导致的第三次结构相变.值得一提的是,与其他拉曼峰的演化不同,57.4cm~(-1)右侧出现的新峰在T_(C3)以下迅速向高波数移动,发生明显的蓝移,且伴随强度的急剧增强,有可能在低温温度传感器领域有着潜在的应用前景.     

各向异性表面张力对定向凝固中共晶生长形态稳定性的影响

研究各向异性表面张力对定向凝固中共晶生长形态稳定性的影响.应用多重变量展开法导出了共晶界面表达式和扰动振幅的变化率满足的色散关系.结果表明,共晶生长系统有两种整体不稳定性机理:由非震荡导致的"交换稳定性"机理和由震荡导致的"整体波动不稳定性"机理.震荡有四种典型模式,即:反对称-反对称(AA-),对称-反对称(SA-)、反对称-对称(AS-)和对称-对称(SS-)模式.稳定性分析表明:共晶界面形态稳定性取决于Peclet数ε的某一个临界值ε_*,当ε大于临界值ε_*时,共晶界面形态不稳定;当ε小于临界值ε_*时,共晶界面形态稳定.随着各向异性表面张力增大,对应于AA-,SA-和SS-模式的临界值ε_(aa*),ε_(sa*)和ε_(ss*)随之减小,表明各向异性表面张力减小这三种模式的稳定性区域;然而,随着各向异性表面张力增大,对应于AS-模式的临界值ε_(as*)随之增大,表明各向异性表面张力增大AS-模式的稳定性区域.