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为了探明从SiC生成金刚石这一过程中触媒作用的机理,有必要调查SiC加不同金属在高压高温下的行为。在本工作中,以16重量比混合的SiC和铁粉经5.4~6.0 GPa的高压力和1 300~1 500 ℃的高温处理20 min后,样品的X射线衍射分析表明:所有实验条件下SiC都发生了分解,并分别生成了Fe3Si和Fe3C;温度越高,SiC分解得越彻底,在温度高于1 375 ℃的样品中,伴随Fe3C减少,有金刚石和石墨明显析出。扫描电镜观察表明:6.0 GPa、1 500 ℃下所得的金刚石晶体具有完整的八面体晶形,平均粒度约50 μm。 相似文献
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高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下,从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO3、单稀土氧化物Tb4O7、CeO2和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO2+Tb4O7等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa,温度高于600 ℃时发现了混合物CeO2+Tb4O7、氧化物Tb4O7中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明,对应这一电阻变化,在结构上出现了变化。结果分析表明,这一变化与Tb4+→Tb3+的价态变化密切相联。 相似文献
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利用第一性原理分子动力学方法,对炸药降解产物CO在温度5 000 K、压力25 GPa条件下的化学过程进行了研究。计算得到的最终产物主要由C3O2、CO2和C2O2组成。通过对CO、C3O2、CO2和C2O2组成的混合物体系的振动性质进行分析,发现计算得到的红外光谱与一些理论和实验结果一致;体系的径向分布函数表明,最终产物具有高密度流体的特征;同时还分析了CO、C3O2和CO2的态密度。结果表明:CO在温度5 000 K、压力25 GPa 这一特定条件下的反应主要归因于高温高压下CO分子间的剧烈碰撞;在形成这些产物的过程中没有发现有明显的过渡态存在。 相似文献
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本文研究了冷压(2.2~5.2 GPa)与热压(2.2 GPa,2.50~950 ℃)对YBa2Cu3O7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K(失超点)到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率(<<102 ℃/s),或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高Tc的YBa2Cu3O7-δ超导体。 相似文献
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使用纳米SiO2粉体为原料,在2.0~4.2 GPa、150~1200 ℃范围内进行了一系列的高压高温实验研究,得到了该压力温度范围内晶化产物α-石英与柯石英的p-T相图,而且该相图中的相边界在650 ℃以下斜率为负,在650 ℃以上基本水平。通过X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪(Raman)、傅立叶红外光谱仪(FT-IR)、DSC-TGA差热分析仪(TG-DTA)-等表征手段,发现纳米SiO2原粉中水分(包含Si-OH和吸附水)的存在能显著降低合成柯石英的温度和时间,在4.2 GPa压力下得到了目前合成柯石英的最低温度190 ℃。常压下,合成的柯石英在800 ℃以下能够稳定存在,在1 000 ℃以上转化为α-方石英。 相似文献
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研究了炸药爆轰合成的纳米金刚石粉在高温(约1 600 K)、高压(5.2 GPa)条件下的行为。将纳米金刚石粉与粉末合金(Ni70Mn25Co5、100#)混合、压制成圆片,与合金片 (Ni70Mn25Co5)和人造石墨片一起交替放入高温高压合成腔体内,进行高温高压实验。实验结果表明:在高温高压条件下,纳米金刚石粉不能长大,反而石墨化了;在相同的高压和保温时间条件下,随着温度的降低,纳米金刚石粉的石墨化程度减弱,纳米金刚石粉的纳米颗粒长大,可长成0.1 mm尺寸的金刚石颗粒(温度为1 070 K左右)。而在此条件下,人造石墨不能合成金刚石,一般金刚石晶体要变成石墨相。这进一步表明,纳米金刚石颗粒表面的活性使得它可以在较低的温度下长成较大颗粒的金刚石。 相似文献
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本文在常压高温和高压高温条件下合成出了Nd2-xCexCuO4(x=0~0.20)系列样品,对比研究了两种不同条件下合成产物的结构特征与室温至液氮温区的导电性质。测试分析结果表明,高温高压(1.7 GPa,800 ℃,10 min)合成的样品与常压高温(1 000 ℃,10 h)烧结的样品具有相同的四方结构,但晶格常数随掺杂量变化有所不同,高压合成产物的c轴随掺杂量基本不变,而常压烧结样品c轴随掺杂量增加呈下降趋势。两种条件合成的样品在液氮温区均呈现出不同程度的半导体特征,经过一次高温淬火后处理后,高压样品的导电性质明显优于常压样品。实验结果表明,高压可以降低固相反应的合成温度,缩短反应时间,特别是高压的还原作用有利于产物导电性质的改善。 相似文献
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研究了天然硅灰石(CaSiO3)的压致相变,并采用高温高压方法直接合成了硅灰石。结果表明:天然硅灰石经高压(4.6~5.0 GPa)高温(1 200~1 250 ℃)处理后转变为深玫瑰色半透明立方晶体,而采用高温(1 050~1 100 ℃)高压(3.8~4.3 GPa)直接合成的硅灰石也具有同样结构及形貌。SEM分析表明:天然硅灰石SiO2及CaO的含量分别为50.8%和48.1%,而人工合成的产物SiO2及CaO含量分别为51.35%和48.15%。 相似文献
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提出了一种在高温高压极端条件下合成富硼稀土硼化物NdB6的新方法,即以稀土氧化物Nd2O3为钕源与单质硼反应的方法获得了稀土六硼化物NdB6。并对合成产物进行了粉末X射线衍射分析。结果表明在配比为Nd:B=1:6时,压力为4.0 GPa、温度为1 600 ℃、反应时间为15 min的条件下,获得了单相性非常好的NdB6。高温高压合成NdB6方法具有反应条件易达到、合成时间短、反应产物单相性好等优点。其XRD结果表明该合成产物为立方结构,晶格常数为a=0.417 nm。 相似文献
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在室温下测量了GdoBr:Eu的常压和高压荧光谱,光谱范围在13 000~21 500 cm-1之间,压力至12 GPa。由光谱数据得到了Eu3+晶场能级随压力的变化曲线。7F0~5能级随压力的变化规律比较复杂,而5D0~2各能均随压力的升高几乎线性地降低。在基态谱项7F的49个状态上进行了晶场拟合计算,所得常压下的5个非零晶场参数分别为:B02=-1 124.0 cm-1,B04=-969.6 cm-1,B44=827.9 cm-1,B06=889.6 cm-1,B46=377.0 cm-1。高压下的计算结果表明,B04、B06这两个晶场参数随压力的增加而增大,B46随压力的增加而减小,而B02、B44随压力的变化有些起伏。晶场强度在8 GPa以下随压力增加而减小,其后开始变强。 相似文献
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氮化硅(Si3N4)微粉的超高压烧结研究 总被引:1,自引:0,他引:1
氮化硅(Si3N4)是具有优良性能的陶瓷材料,具有广泛的工程应用前景。但由于这种化合物属于共价结合性质并具有很高的熔点,陶瓷的烧结需要在很高的温度下进行。本文探讨了在超高压力下这种材料的烧结行为的变化。对含有AlN、Al2O3及少量La2O3添加物的Si3N4微粉在3~7 GPa,800~2 000 ℃的压力温度范围内进行烧结,并应用X射线衍射、扫描电子显微镜观察及密度测量等方法研究了烧结样品。结果表明高压力可以大大促进Si3N4的α→β转变及固相反应,降低烧结温度。高压下烧结过程分为两个阶段:低温下以粉末粒子结合为主要内容的过程及高温下各物相间的相变和固相反应为主的过程。研究表明,超高压力下烧结没有改变所研究组份样品的复合相组成。 相似文献