极性半导体中通过形变势表面极化子

有不少的极性半导体，电子与表面光学（SO）声子耦会强，但与表面声学（SA）声子耦会弱。本文采用线性组合算符方法，导出了极性半导体中通过形变势表面极化子的有效哈密顿量。并对两种限情形进行了讨论。     

曲率与挠率张量的特殊关系

研究挠率和曲率张量在Bianchi恒等式中的相依关系,从Cartan结构方程出发,得到了Bianchi恒等式的三种等价表达形式,局部上和整体上证明了曲率、挠率分量满足的关系式,还揭示了第二Bianchi恒等式的降阶表达形式蕴含的物理意义.     

采用FMG方法计算半导体量子盒中氢原子的极化率

采用完整的多网络（ＦＭＧ）数值方法结合对称性理论计算了半导体量子盒中氢原子的极化率，并对ＦＭＧ方法在量子盒及物理学的一些领域的应用进行了讨论。     

半导体量子点非本征吸收区的三阶极化率

通过变分法计算了量子点激子基态能量和偶极跃迁振子强度,分析了半导体量子点在非本征吸收区的三阶极化率.量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小,这是量子尺寸效应的反映;量子点中由基态到激子基态的跃迁振子强度,随量子点半径的增大而单调增大;在弱受限量子点情况下,三阶极化率的实部和虚部都是负的,对应于非线性光学自散焦效应,其绝对值随入射光频率的增加而增加,且随量子点半径的增大而增大.     

BaH~+的极化率和超极化率

研究了微扰电场中 BeH~+的基函数的优化.使用 LCAO-SCF-MO 方法计算出 BeH~+分子轨道波函数和多极矩,进而计算出 BeH~+的极化率和超极化率.     

强耦合表面极化子的基态能量

研究了强耦合表面极化子基态的性质 ,采用Landau -Pekar变分法计算强耦合表面极化子的基态能量 ,讨论基态能量与电子—声子耦合常数的依赖关系     

体极化介质IP面电荷的计算及分布规律

本文以等效电阻率法为理论基础,导出了几种常见情况下,体极化介质表面上一次电流场和二次极化电流场以及总电流场的面电荷密度的表达公式,并分别对点电流源场中多层介质分界面上的面电荷密度及在均匀电流场中球状和水平圆柱状极化体表面上的面电荷密度进行了具体计算,得到了某些表征电荷分布规律的理论曲线。利用本文中给出的研究结果,可以简便地对一次电流场和二次极化电流场的异常电位及异常电流强度的分布特征,进行定性分析和定量研究。     

半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究

采用提出的等效方法, 确定AlxGa1-xAs衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度, 在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维, 进一步利用分数维方法研究了AlxGa1-xAs衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.      

电场对极性半导体表面（或界面）极化子行为的影响

采用电子动量和坐标的线性组合算符方法对电场中的极性半导体表面（或界面）极化子行为进行了研究。当电场较弱时（１０４Ｖ／ｍ以下），表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量随电场增加而线性地减小，但其影响甚小，在中等强度的电场下（１０４～１０５Ｖ／ｍ），电子－声子间的耦合逐渐减弱，电子－电场相互作用逐渐增强，体现在表面（或界面）极化子的基态能量和有效质量更加明显地减小。当电场高于某一极限电场时，电子成为准自由电子。     

D4,D4v,D4h和D2d类晶体三阶极化率张量的非零元素

本文以Ｄ４类晶体为例，介绍一种用晶体对称变换确定电极化率张量非零元素的方法，并由此给出Ｄ４类晶体三阶极化率张量零元素具体形式的正确表述。     

相互作用体系的极化率

本文从分子间相互作用对分子极化率的影响出发,研究了极性气体的第二克尔(Kerr)维里系数、分子间电荷转移络合物的Raman 散射增强和表面增强Raman光谱(SERS)等三个方面的问题.     

分立谱和连续谱对氢原子基态极化率的贡献

本文严格计算了氢原子基态的极化率，得到分立谱对极化率贡献的精确值为４．７９６９０７，连续谱的贡献是７／３．     

表面极化子光学声子平均数的温度效应

采用线性组合算符和改进的线性组合算符法导出了二维极性晶体中强弱耦合极化子光学声子平均数，并讨论了光学声子平均数与温度的关系．     

表面极化子的基态能量

本文研究极性晶体中表面电子与在面光学声子相互作用的性质，采用微扰法导出表面极化子的基态能量．在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对表面极化子性质的影响，结果表明，反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对表面极化子的自陷能的影响随耦合常数ａ＿ｓ的增加而加大．     

极性半导体异质结构中束缚极化子的电离能

本文研究任意磁场存在下阶梯阱内类氦杂质的极化子效应,我们分别给出了束缚在类氦施主杂质中心的单个和双个极化子在磁场中的哈密顿,计算了它们对类氦杂质束缚能的影响.结果表明,势垒的高度、量子阱的宽度以及杂质中心在阱中的位置对束缚能都有重要的影响,并且阶梯阱的存在也增强了极化效应.最后,我们将对这一结果进行合理地解释.     

二阶光学非线性方程的摄动解与系统的极化率

对于非中心对称的介质,在经典力学框架内,把偶极子的运动方程化为含有二次项的二阶非线性微分方程,并用摄动法找到了系统的零阶近似解和一阶近似解．由于二阶非线性的存在,当输入信号为单色光时,系统将输出直流信号、倍频信号与和频或差频信号等,并进一步分析了介质的零阶极化率和一阶极化率．     

铁磁/半导体/铁磁异质结构的自旋极化输运

采用相干量子输运理论和传递矩阵方法,研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁异质结构的隧穿几率和自旋极化率.研究表明,隧穿几率和自旋极化率随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在2铁磁电极中磁矩取向平行时;选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的自旋极化率.     

用生群元确定电极化率张量空间对称的性可行性

本文证明了只用群的生群元求电极化率张量对称性的可行性。认为对于其最大子群为循环群的任一有限群生群元的个数,等于该有限群的阶与最大(循环)子群的阶之此,而且生群元的选取不唯一。结果表明,用生群元确定电极化率张量的对称性简单易行。     

单模光纤中高阶非线性极化率的计算

从非简谐振子模型出发，通过求解迭代方程，计算出三阶非线性极化率及四阶非线性极化率，并给出了高阶非线性极化率的普适公式     

一维环Aharonov－Bohm势对极化子的影响

讨论Ａｈａｒｏｎｏｖ－Ｂｏｈｍ势对极化子的影响，证明了虽然有势无场，对电子不产生直接的动力学作用，但磁通仍然影响极化子的峰高、宽度、迁移速度和晶格形变能．