液结的复合层半导体材料光电化学行为

本世纪５０年代开始，Ｂｒａｔａｉｎ和Ｇｅｒｉｓｈｅｒ等人以半导体物理中Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒为基础建立了半导体／电解质溶液界面模型，即在半导体与溶液中均认为可用费米能级的概念来表示电子填充的水平，也就是体系的电化学势，它在能级图上位置的高低代表了给出电子...     

CdS超微粒子薄膜电极的光电化学特性

采用电化学方法制备了含不同粒度的ＣｄＳ超微粒子薄膜电极，应用表面光电压谱和光电化学技术对电极的光电化学特性进行了研究。结果表明，这些电极具有明显的量子限域效应，同体相材料相经，ＣｄＳ超微粒子萍奄极显示出较高的光电响应，说明该薄膜电极具有独特的光电压和电荷传输机理。     

Graetzel型光电化学太阳能电池(PEC)研究进展*

本文对Graetzel 型PEC 中纳米晶半导体电极的表面修饰, 纳米晶网络半导体电极溶液界面及界面电荷转移动力学特性方面的研究进行了综述, 介绍了Graetzel 型PEC 的结构组成及工作原理并对今后研究工作的重点提出一些建议。     

TiO_2/CdS/Ru(bpy)_2(NCS)_2作为太阳电池光阳极的探讨

将 Cd S纳米粒子复合在 Ti O2 纳米多孔膜上 ,用染料 Ru( bpy) 2 ( NCS) 2 对此复合半导体纳米膜电极进行敏化 ,测量了不同 Cd S复合量的 ITO/Ti O2 /Cd S/Ru( bpy) 2 ( NCS) 2 光阳极组成光电池的能量转换效率 .实验证明 ,ITO/Ti O2 /Cd S/Ru( bpy) 2 ( NCS) 2 作为太阳电池光阳极的能量转换效率与 Ti O2 /Cd S复合半导体中 Cd S的含量有关 .当 Cd S复合时间为 5 min的电池的短路电流为 5 .2 3A/m2 ,开路电压为 0 .71 6 V,能量转换效率为 0 .77% .     

电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积

研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.     

用于研究光生笺种的流动电化学测量系统

报道了用于检测溶液中短寿命生笺种的流动电化学测量系统，物种寿命的最小检测下限理论上可达到０．８ｍｓ。实验结果表明该测量系统可靠、方便。     

纳米钛酸锶薄膜电极的组装及其对不锈钢的光电化学缓蚀性能

研究了在铟锡氧化物（ITO）导电玻璃上组装的纳米钛酸锶薄膜光电极在模拟日光照射下对不锈钢的抗腐蚀保护性能.通过溶胶-凝胶法在添加和不添加十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）表面活性剂的情况下制得了不同形貌的钛酸锶粉体.X射线衍射（XRD）和高分辨扫描电子显微镜（SEM）表征结呆表明,两种方法合成的钛酸锶均为钙钛矿型结构,但添加CTAB后得到的钛酸锶颗粒分散均匀,平均粒径为90 nm左右.采用紫外-可见漫反射光谱对钛酸锶薄膜的光物理性质进行了研究,发现其光吸收范围在紫外光区,而且通过CTAB协助合成的钛酸锶在小于380 nm光区较非CTAB协助合成的钛酸锶有更强的吸收.以0.1 mol·L^-1NaOH+0.2 mol·L^-1Na₂S溶液为光电极反应的电解质,测试了钛酸锶薄膜电极对304不锈钢在0.5 mol·L^-1的NaCI腐蚀溶液中的光电化学缓蚀性能.304不锈钢在CTAB改性钛酸锶薄膜光电化学保护或不保护条件在0.5 mol·L^-1NaCl+0.05 mol·L^-1HCl腐蚀溶液中腐蚀6h前后的表面金相图表明,钛酸锶薄膜具有优异的光电化学抗腐蚀性能.     

TiO2薄膜光电极能带结构和催化活性的初探

以阳极氧化法制得的TiO₂薄膜光电极为工作电极,铂环为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,组成光电催化降解苯酚体系.运用电化学阻抗图谱(EIS),测得光电催化过程中TiO₂薄膜光电极的空间电荷层电容,计算出半导体能带结构参数——空间电荷层宽度W.结果证明:当空间电荷层宽度W随阳极偏压增加而增大时,TiO₂薄膜电极光催化活性提高;当其等于薄膜厚度时,光催化活性最好,此时出现最佳偏压值;继续增加偏压,活性反而有所下降.     

TiO2包覆不同微结构纳米碳纤维薄膜电极的光电化学性能

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2包覆不同微结构的纳米碳纤维(Carbon nanofibers, CNF), 包括板式纳米碳纤维(Platelet-CNF, PCNF)和鱼骨式纳米碳纤维(Fish-bone-CNF, FCNF)的复合薄膜电极. 用光电流作用谱和光电流-电势图等方法研究了复合薄膜电极的光电化学性能. 研究结果表明, 复合薄膜电极表现出n型半导体特征, 薄膜中CNF的存在有助于光生电子和空穴有效地分离, 提高了光电转换效率, TiO2包覆PCNF薄膜电极在可见光范围内存在明显的光电响应.     

薄膜CdSe及CdSexTe1-x电极的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同含氧气氛中烧结的薄膜CdSe及Cdse_xTe_1-x电极表面,以及薄膜与Ti底基之间的界面。研究中发现,二种薄膜电极的表面形成了CdO,SeO₂及TeO₂氧化物,与薄膜接触的Ti底基表面上形成了TiO₂。用俄歇电子能谱(AES)对在电极表面及Ti表面所生成的氧化层分别进行了深度分析。结果表明,各种氧化物形成的程度有很大的不同,氧化层厚度也存在差异。对影响薄膜电极的光电性能的因素进行了讨论。     

ELECTRODEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE Cd-RICH Hg_(1-x)Cd_xTe AND PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te THIN FILM

Electrodeposition process of polycrystalline Cd-rich Hg_(1-z)Cd_xTe (x>0.5) in acidic bath of CdSO_4+HTeO_2~+HgCl_2 was investigated. The simultaneous electrodeposition technique of three kinds of ions at the same potential has been achieved. The XRD, SEM and EDAX analysis of the thin film electrodeposited on titanium substrate showed a typical cubic zinc blende polycrystalline structure and homogeneous dispersion. The photoelectrochemical behavior of (1-x)=0.09 polycrystalline thin film in a polysulfide redox couple solution was examined. Under illumination of 100 mW/cm~2, the short circuit photocurrent I_(sc)=1.88 mA/cm~2, the open circuit photovoltage V_(oc)=0.25 V, the fill factor F·F=0.22. The bandgap E_g measured with photoelectrochemical spectroscopy is 1.26 eV. Flatband potential φ_(tb), Obtained from Mott-Schottky curve is -1.26 Ⅴ (vs. SCE). Therefore, the obtainable maximum open circuit photovoltage could be 0.49 Ⅴ. The Cd-rich Hg_(1-x)Cd_x Te thin film should be a potential photoactive el     

电活性分子L-B膜修饰CdSe薄膜电极的光电化学研究

用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了硬脂酸二茂铁酯L-B膜在光照的CdSe薄膜/Fe(CN)₆^4-溶液界面起传递电荷的中介作用,加速了界面的电荷转移。     

制备条件对二氧化钛薄膜性能的影响(英文)

用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火温度不同,则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时,薄膜为纯金红石薄膜。     

AFM研究PCL薄膜的结晶形态

利用原子力显微镜 (AFM)详细研究了聚己内酯 (PCL)超薄膜及其在特殊限制环境下的结晶形态 .AFM的观察表明 ,PCL在石英基板上的结晶形态呈现典型的球晶及比较少见的树枝状晶两种形态 .认为主要是超薄膜结晶过程中由于几何受限及基板吸附导致分子链扩散移动速度大大降低 ,由此形成的扩散控制结晶过程从而导致最终形成树枝状的分形结构 .将聚合物限制在间距为 10 μm的凹槽内 ,发现PCL的结晶有比较规整的排列 ,而且沿着凹槽的方向结晶排列取向优先 .当在凹槽两侧铝条上施加强电场后 ,发现在静电场作用下 ,PCL的结晶取向生长方向发生改变 ,沿着电场方向排列生长的结晶增多     

cdSexTe1-x薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_1-x薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

有机金属化学汽相沉积(MO-CVD)技术是一种新型薄膜材料制备技术,它优于目前通常采用的一般CVD和物理方法^[1]。主要优点:采用金属有机化合物为物质源,选择的范围比较大,其中含有易断裂的M-C键,易发生气相热分解氧化反应,成膜温度比较低,反应副产物仅有易挥发的碳氢化合物,使成膜环境无污染,易获得优质膜。因该技术是化学成膜,排除了物理方法中固有的不易控制化学计量的问题,易获得优质膜层。     

TiO2薄膜的吸附能力对罗丹明B光降解过程的影响

采用浸涂的方法在玻璃表面制备了ＴｉＯ２薄膜。Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ光谱结果表明,薄膜全部由脱钛矿组成。通过罗丹明Ｂ的光降解实验考察了薄膜的催化活性,结果表明,薄膜的吸附性与罗丹明Ｂ的降解途径有很大的影响。     

聚苯乙烯/聚二甲基硅氧烷嵌段共聚物的表面形态研究

采用原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)研究了聚苯乙烯/聚二甲基硅氧烷嵌段共聚物(PS-b-PDMS)薄膜的相形态.结果表明,当采用甲苯作为溶剂,旋转涂膜的薄膜样品呈现网络状的形态分布在表面,而样品所对应的透射电镜照片中,PDMS相作为球状分布在PS的连续相中.退火温度对共聚物表面形态有一定的影响,当退火温度高于PDMS的玻璃化温度,表面中PDMS相增多.PS-b-PDMS嵌段共聚物的表面形态随着所用溶剂的变化而有所不同,当采用甲苯作为溶剂时,样品的PS相形成凹坑分布在PDMS的相区之中,而采用环己烷作为溶剂时,PS相作为突起分布在PDMS相区之中.另外,基底对共聚物薄膜表面形态的有较大的影响,当采用硅晶片作为基底时,样品中的PDMS相和PS相呈现近似平行于表面的层状结构.     

富勒醇与阳离子聚电解质复合薄膜的制备与表征

采用静电自组装技术制备了富勒醇与聚对亚苯亚乙烯基 (PPV)的前驱体、聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)的复合薄膜 ,利用紫外 可见光吸收光谱 (UV Vis)、原子力显微镜 (AFM )、透射电镜 (TEM)和X射线光电子能谱 (XPS)对薄膜进行了表征 .UV Vis吸收光谱显示 ,在特定波长下自组装薄膜的吸光度与薄膜的双层数成线性关系 ,组装过程具有一致性与重复性 .AFM图象显示富勒醇组装到基片表面后形成直径为几十到10 0多nm的团簇 .富勒醇溶液过滤后组装薄膜 ,薄膜具有较好的均匀性 ;富勒醇溶液不经过滤 ,直接组装薄膜 ,将在薄膜中引入C6 0 晶粒 .XPS分析结果提示C6 0 被羟基修饰并通过静电吸引机制与阳离子聚电解质组装成膜 .富勒醇与PPV的前驱体、PDDA具有很好的自组装性能 ,膜层间的结合力较强 ,所组装的薄膜具有较高的牢固度 .