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基于静电摇摆器中电势场的一种典型二维模型 ,在小振幅振动情况下讨论了相对论电子束在其中的运动规律 ,计算得到了该类型自由电子激光的自发辐射谱。上述结果与平面磁摇摆器有类似的形式 相似文献
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本文用格林函数法,计算了螺旋磁场自由电子激光中单脉冲电子注的自发辐射;结果表明,电子注的有限长度会引起自发辐射光脉冲的自干涉现象。 相似文献
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S.Pinhas于1990年提出一种新型摆动器--磁场与纵向坐标无关摆动器。本文在S.Pinhas工作的基础上,利用广义Bessel函数计算了电子在这种摆动器中运动产生的自发辐射强度分布,得到了一筱较普遍的自发辐射谱表达式。结果表明:新型摆动顺自由电子的自发辐射谱与普通平面摆动器自由电子的自发辐射谱相似,谱线 形状由sinc(η)函数决定。 相似文献
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傅恩生 《激光与光电子学进展》2002,39(6):22-24
4 1 引言为实现X射线激光,一个强有力的候选者是基于自放大自发辐射(SASE)的高单程增益自由电子激光器。已提出几个方案用直线加速器组建这种装置。在短波长区自放大自发辐射自由电子激光器(SASE-FEL)需要高强度、高质量电子束和一个长的摆动器。关于SASE已经在理论上和模拟上做了大量研究,但仅有少量限于红外区的实验研究。在大阪大学科学工业研究所(ISIR),将38 MeV,L波段直线加速器配上三级亚谐波聚束器(SHB),产生电荷高达73nC的高强度单聚束电子束。这种高强度电子束有可能在红外区产生SASE。我们正用直线加速… 相似文献
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赵东焕 《红外与毫米波学报》1991,10(2):87-93
研究了Cherenkov型自由电子激光器的增益和效率。结果表明:在选用合适的物理参量和匹配的工作相位条件下,Cherenkov型自由电子激光器比普通自由电子激光器有高得多的增益和效率。 相似文献
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在考虑电子束品质影响时,给出了计算FEL自发辐射谱和小信号增益函数的公式,由结果知,Madey定理仍然满足,对几种的电子束分布进行了具体计算和讨论。 相似文献
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Songnan Qu Xingyuan Liu Xiaoyang Guo Minghui Chu Ligong Zhang Dezhen Shen 《Advanced functional materials》2014,24(18):2689-2695
In this work, the optical properties of carbon nanoparticles (CNPs) can be modulated by the dopant‐N atom and sp2 C‐contents. CNPs prepared with the low urea mass ratio of 0.2:1 (CNP1) exhibit blue emission (maximum PL quantum yield: 15%). Increasing sp2 C‐ and dopant‐N atom contents, as determined in CNPs prepared with high urea mass ratio of 2:1 (CNP2), lead to green emission (maximum PL quantum yield up to 36% in ethanol aqueous solution). Amplified spontaneous emission (ASE) can be observed only in CNP2 ethanol aqueous solution. Green lasing emission is achieved from CNP2 ethanol aqueous solution in a linear long Fabry‐Perot cavity, indicating the potential of CNP2 as a gain medium for lasing. CNP2 shows superior photostability compared with C545T dye. The green emission from CNP2 is speculated to arise from electron‐hole recombination (intrinsic state emission). The high PL quantum yield and small overlap between absorption and emissions of CNP2 ethanol aqueous solution are the key factors in realizing lasing emission. 相似文献
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放大自发辐射对全固态激光器调Q性能的影响 总被引:3,自引:3,他引:3
为定量分析放大自发辐射(ASE)对调Q激光器性能的影响,在调Q激光速率方程中引入放大自发辐射项,并在合理的近似下求解,给出了激光二极管(LD)端面抽运电光调Q运转的固体激光器反转粒子数的建立过程,分析了放大自发辐射对激光上能级储能效率的影响及考虑放大自发辐射时调Q激光器输出脉冲宽度和脉冲能量随抽运功率的变化关系。结果表明,由于放大自发辐射的存在,上能级储能效率降低,且在一定的抽运功率下,调Q输出脉冲宽度变宽,脉冲能量下降。用LGS(La3Ga5SiO14)晶体作电光调Q元件,在激光二极管抽运的Nd∶YVO4激光器上进行了实验,实验结果与理论分析结果基本吻合。 相似文献
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自发辐射因子对VCSEL在大信号调制下的分岔及混沌行为的影响 总被引:11,自引:4,他引:7
在SIMULINK平台下开发了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的动态仿真模型 ,实施高频大信号调制情形下的动态仿真 ,避免了大信号近似处理 ,提高了计算精度。选择自发辐射因子为控制参量 ,定量分析它对VCSEL稳定性和分岔点的影响。结果表明 ,在所选参量条件下 ,自发辐射因子数值在 5× 10 -3 ~ 5× 10 -5之间时 ,随着调制深度的加深 ,VCSEL峰值光子密度产生分岔 ,呈现双稳、多周期 ,最后回到单周期 ;当小于 10 -5时 ,进入混沌状态的演变过程。同时分岔点的移动依赖于自发辐射因子的大小 ,调控自发辐射因子可以抑制系统的非线性行为。仿真结果与文献实验结果吻合 相似文献
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激光烧蚀硅所生成的等离子体发射光谱特性 总被引:3,自引:1,他引:3
报道由Q-开关Nd:YAG激光器产生的1.06μm、10ns的脉冲激光辐射大气中的硅靶所产生的等离子体发射光谱的研究结果。当作用在硅靶表面的功率密度为9.3×109W/cm2时,测定了等离子体在200~880nm波长范围内的时间分辨发射光谱。估计了等离子体点燃的时间,测定了等离子体中硅原子的推进速度,讨论了等离子体中N+离子产生的原因。通过测量等离子体辐射谱线的半高宽随延迟时间的变化.得到等离子体中电子密度随时间的延迟近似地以exp(-t1/2)的关系衰减。 相似文献
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