硅衬底上外延CVD金刚石膜界面原子排列直接观察

硅衬底上外延ＣＶＤ金刚石膜界面原子排列直接观察尤力平＊高巧君（＊北京大学电镜室，北京大学物理系，北京１００８７１）ＣＶＤ金刚石膜作为新型功能材料以其独特的优异性能引起材料工作者极大的兴趣。近年来，异质外延ＣＶＤ金刚石单晶是国内外研究的热点之一，这是因...     

硅衬底上BSCCO高温超导材料的制备

研究了采用单靶控溅射在Ｓｉ（１００）衬底上生长ＹＳＺ（钇稳定的ＺｒＯ２）ＢＳＣＣＯ（铋锶钙铜氧）薄膜的工艺条件,包括生长温度,生长气氛,生长速率及氧化退化等。还研究了高温超导相的形成与生长温度的关系,并获得了超导膜临界温度为８２Ｋ的ＢＳＣＣＯ／ＹＳＺ／Ｓｉ兼容材料。     

声表面波卷积器／存储相关器用ZnO膜的制备

本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。     

S型声表面波器件特性分析

在128°Y切割X传播方向上的L iN bO3基片上设计并研制了S型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的1次时延信号、3次和5次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并与“一”字型器件的3次渡越反射信号进行对比。结果表明,S型声表面波器件能有效地降低3次和5次渡越反射信号。     

通信用声表面波滤波器

通信用声表面波滤波器天津光电通信技术有限公司季来运,李树凤１．引言声表面波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ简写为ＳＡＷ）器件最早应用于军用系统中,随着现代通信技术的发展,声表面波器件得到了越来越广泛的应用,在各种电子系统设备中发挥着越来越大...     

硅—硅直接键合技术的研究

自五十年代第一只硅功率可控硅整流器问市以来,功率器件不断得到发展,它的应用不仅迅速扩大到工业装备中,而且已渗透到人们的日常生活中去.随着应用范围的扩大,对功率器件的性能要求也愈来愈高,应运而生的出现了许多新型结构的器件,随器件结构的发展对制造器件的材料提出了新的要求.如硅的功率器件广泛应用于高压直流输电系统中,这要求提高器件的最高工作电压和最大电流控制容量,而这受到获得高质量硅片的限制.所以要     

声表面波滤波器的检修与代换

<正> 声表面波滤波器(SAWF)在电视机的公共通道中得到广泛应用。它能有效地取代中频放大器的输入吸收回路和各级调谐回路,并与中放集成电路配合组成“无调谐中放”,     

声表面波器件

作为声表面波(SAW)技术的应用实例,本文描述了滤波器和信号处理器件的现状.文章特别提到,可将波控制在表面的电极构成法和微细加工技术的进步与SAW器件的发展背景密切相关,今后的目标之一就是期待SAW器件能以其模拟信号处理功能与数字器件并存发展.     

声表面波谐振器的时域响应特性研究

由于电磁波的速度比声表面波的速度快得多。叉指换能器在进行电声转换的同时．也降低了信号能量流的速度。在一定时间内蓄积了电磁能量。所以当电磁激励结束后的一定时间内，声表面波器件仍然有瞬态输出，这是声表器件实现无源无线传感的物理基础。该文通过推导声表面波谐振器各部分的冲激响应函数，得到谐振器的冲激响应。据此分析研究声表面波谐振器在各种激励下的响应波形和特征。分析表明声表面波谐振器的瞬态响应完全反映了器件的性能参数。     

Y型声表面波器件特性分析

在1280旋转Y切割X传播方向上的L iN bO3基片上设计并研制了Y型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波轴对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的一次时延信号、三次渡越反射信号和五次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并应用网络分析仪测量Y型声表面波器件幅度特性,结果表明,理论分析与实验结果基本相符。     

声表面波谐振器应用与市场

一、前言 声表面波(SAW)谐振器作为频率源器件,在高频电路应用中具有独特的优势,应用领域十分广阔。SAW谐振器是一种高新器件,许多电路工程师对其不热悉,给推广应用带来了一定的困难,需要通过应用开发,引导和培育市场,从而形成规模市场。 二、SAW谐振器基本原理、性能及等效电路 1.基本原理 声表面波是传播在压电晶体表面的机械波,其声速仪为电磁波速的十万分之一,故采用微电子技术制作的声表面波器件体积小重量轻,易于规模生产。单端对声     

硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应

本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V特性的实验研究证实了这种效应．     

硅衬底微波集成电路

硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT)的电性能,介绍了目前国外硅衬底微波集成电路研究的进展,并对数字电路与RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨论。     

声表面波加速度计

悬臂梁声表面波加速度计是一种高分辨率(10~(-4)-10~(-5)m/s~2,高灵敏度(10kHz/m/s~2在251MHz)及高稳定性(频率稳定度10~(-9))的加速度计.它具有成本低、重复性好、结构简单、易集成等特点.     

基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究

使用结构为42°Y-X LiTaO₃(600 nm)/SiO₂(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4 000;滤波器的中心频率为1 370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55～+85℃时优于-9×10^-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。     

由声表面波器件和LB膜构成的气体传感器

叙述了用声表面波器件和ＬＢ膜制作的几种气体传感器的设计原理和基本特性，它们具有高灵敏度和优良的选择性。这些传感器已成功地应用于ｐｐｂ级ＮＯ２气体的检测和在识别系统中识别有气味的气体。     

声表面波器件电子束淀积Al膜研究

研究了声表面波器件研制过程中铝膜厚度准确控制技术及Al膜均匀性提高的技术。由理论分析推导出片架上的各点膜厚分布。根据片架各点的膜厚分布及蒸发空间场分布,设计所需的各项参数;计算出调整板的形状、调整板位置以及灯丝位置等参数对蒸发均匀性的影响。通过调整挡板位置和结构,调整灯丝位置及改进蒸发源参数,形成点蒸发源和微小面源模式,提高了Al膜厚度均匀性,工艺调整后的Al膜厚度偏差小于2%,提高了生产率。结果表明,批生产线的Al膜蒸发工艺成熟可靠。