微细加工技术

<正> (一)精密加工技术的发展与微细加工技术图1横座标表示年代,纵座标表示可达到的加工精度。这个图说明不同年代达到的最高加工精度。例如,1910年为10μm,1930年为1μm,1950年为0.1μm,而1980年以后则最高精度已达0.01μm,进入向毫微米进军的阶段。图中的三根曲线分别代表一般加工、精     

微细切削加工技术

介绍了微细切削加工技术的研究背景,并对其研究现状进行了评述,分析了微细切削加工技术在研究与发展过程中存在的主要问题,提出了将来的研究方向。     

微细加工技术现状

介绍当前微加工技术现状。主要介绍曝光技术和干蚀技术的现状和发展。     

超微细加工技术

一部分人把现在甚至称为第二石器(硅石器)时代,可见与硅有关的工业增长已显示出惊人的发展。特别显著的是硅半导体器件的高度集成化,作为超LSI而占有引人注目位置的256k动态RAM(随机存取存贮器)正进入大量生产阶段。像这样高集成度、高性能的LSI已能够低价格地大量供应,可以说这必将加速高度信息化时代的尽快实现。     

0.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩（实际尺寸为0.162微米）,大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间,具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点;可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品,并填补了国内晶圆厂在该领域的空白。同时公司立足于内需巨大的中国市场,拥有一支优秀的技术团队,除了能为客户提供具有低成本、方便快捷供货的优势外,     

5微米低压高速硅栅CMOS IC技术

本文阐述了电源电压为5伏、沟道长度为5微米的高速硅栅CMOS IC技术。分析了提高速度的途径,介绍了高速门电路和双D触发器电路型式的选择,描述了版图设计的特点.最后给出了几种电路的交直流参数。 一、前言 CMOS IC问世以来,以其静态功耗低、输入阻抗高、输出幅度大、抗干扰能力强、电源电压应用范围和工作温度宽等独特的优点,深受人们的重视,发展异常迅速。过去LSI的主流技术——NMOS因其功耗和噪声容限已达极限,而CMOS电路以其特有的低功耗、高     

用5微米工艺设备加工1～2微米窄条的光刻技术

本文介绍了利用现有5μm工艺设备进行1～2μm窄条的光刻技术,着重对光刻SiO_2窄条和金属连线方面作了具体的介绍。对优化的“发射区两次错位光刻”和“多晶发射极自对准”工艺技术作了较详细的叙述。     

准分子激光微细加工技术

准分子激光器是一种高功率、高效率的紫外激光器,在未来利用紫外光技术的光产业中具有独特的作用。目前已在激光化学、激光生物医学和激光新材料等科学领域中显示出潜在的活力。然而最活跃的是准分子激光微细加工技术。图1给出了半导体材料主要加工技术的发展概况。从图1可以看出激光微细加工在半导体技术中的重要地位。本文对该领域的激光曝光、激光CVD、激光掺杂和激光刻蚀技术等四个方面作简要的介绍。     

高分辨率离子束微细加工技术

只要是用细小尺寸的整形离子束去轰击靶物,离子束就可成为一种实现高分辨率微细加工的有效手段。本文首先给出以直径小于1000的聚焦镓离子束以扫描方式进行无掩模微细加工、掺杂和抗蚀剂曝光的结果。其次介绍一种离子束透射掩模。并给出用普通尺寸的150KV 质子束照射这种掩模,在 PMMA 抗蚀剂中得到的曝光结果,从而表明该方法具有对0.6μm 分辨率的掩模图形进行1X 复印的能力。最后讨论了仿模离子束光刻和聚焦离子束光刻的潜力。     

0.5微米精细CMOS工艺

近年来,开发VLSI用CMOS工艺技术,显得极为重要。这主要是因为CMOS电路具有功耗低,噪声容限大和电路设计比较容易等优点。另一方面,从电路高速化的观点看,CMOS晶体管正在向微细化发展,0.5微米微细栅长试制工作也在积极进行。这是为了在充分发挥上述CMOS特殊性质的基础上,通过微细化来提高驱动能力、降低负载栅电容。其目的之一,是为获得与双极型和GaAs同样的高速度。     

离子加工技术(微细加工)

如果用具有几百电子伏能量的离子轰击物质,那么每个离子打在物质上后大约就会有一个原子从物质中飞出。可以利用这样的离子轰击一个个地去除原子,这种方法称为离子磨削或离子腐蚀。最近已用于磁泡、DFB激光器、弹性表面波元件中微米以至亚微米的微细加工。光刻技术中的化学腐蚀被离子腐蚀代替的例子很多。如图1所示,将部分表面掩蔽起来,而后使用离子轰击加工。掩模材料可以原封不动地使用光致拉蚀剂,图形可以用光刻技术或电子束曝光来制作。兼顾到腐蚀速度和加工影响,离子的加速电压控制在1～5千伏之间,离子电流密度为1～10毫安/厘米~2。双等离子管和空心阳极等离子枪可使用具有φ1～50毫米     

0.18微米CMOS工艺技术平台

1、产品及其简介本工艺技术平台以国际主流0.18微米CMOS工艺为目标,与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配,并有很强的兼容性,可兼容RFCMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块。其技术特征为:双工作电压     

X—FAB开发出0.35微米CMOS技术

德国的 X- FAB半导体公司最近推出新型处理技术 ,一种 0 .35微米混音信号 CMOSSOC处理技术。该技术已通过量产检验 ,现已供应用户市场。该技术命名为 XC0 35LV,具有低电压和非易失存储性能 ,基于多晶硅 n- well CMOS处理 ,包括三个金属层。其性能特色则包括第四金属层、高阻抗聚晶硅电阻、肖特基二极管和嵌入式 EEPROM模块的应用。面向可编程 EEPROM单元 ,它也提供高电压晶体管的应用。其工作电压范围介于 0 .9V至 3.3 V之间。该技术也得到 Cadence、Verilog、Vital和 Synopsys等公司设计组件的支持 ,适用于各种环境下的模拟…     

采用1.5gm微细CMOS技术的64kSRAM

近几年来,随着半导体存贮器集成度的提高,高速静态RAM正以16k、64k产品为中心持续地向前发展。为适应不断扩大的应用领域的要求,在其位结构、封装形式等方面产品也会多种多样。另外,通过产品多样化,位成本的降低等,促进了超大型计算机的主存贮器、个人计算机的高速缓冲存贮器等新的、大的应用领域的飞速发展,对高速静态RAM的需求量必将与日激增。     

纳米、亚微米的超窄脉宽微细电化学加工

通过分析超窄脉冲实现纳米、亚微米级精度微细电解加工的机理和特点,说明脉冲电源的脉冲宽度减小至纳秒时,可将提高电解加工精度的方法综合运用,如小间隙电解加工、低浓度电解液、加工间隙的实时检测和调整控制等,从而增强电化学反应的定域蚀除能力,减小两电极的极间间隙,显著提高加工精度。构建了微细电化学加工系统,包括微细加工机床、纳秒脉冲电源、电解液循环系统、运动控制部分和加工检测部分,进行了微细加工试验。这种方法在微细成形加工、微小孔加工等方面已经取得了很好的应用效果,与其他特种微细加工技术相比具有一定的优势,在微米、纳米制造领域有着很大的发展潜能。     

充满活力的光学微细加工技术

本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。     

微细加工技术和密度器件

本文前半部分详细地介绍了紫外线、电子束、X射线光刻的目前水平和近几年的发展趋势。并介绍了几种腐蚀方法(主要是干式腐蚀方法)。文章第二部分谈到了高密度和微细加工的关系,具体报导了高密度器件的目前水平和今后几年能达到的水平。