发光与发光器件

TN312.8 2004031629 干涉效应对有机发光器件输出的影响=Influence of interference on organic electroluminescence outputs[刊,中]/徐洪光(东南大学电子工程系.江苏,南京(210096)),孟瑞平…∥光电子·激光.—2003,14(9).—905-908     

发光与发光器件

TN312.82007010013OLED平面电致发光器件在照明领域的应用展望=Prospect of application of OLED plan EL device tolighting field[刊,中]/蔡伟新(富昌电子有限公司.上海(200001))//电世界.—2006,47(7).—15-17简要介绍了OLED与传统LED的区别,并阐明提升OLED性能的研究,不仅是对发光材料的研究,光输出优化也是其中的一个重要课题。通过对OLED器件内部导光层的控制与模拟,有望将外部耦合效率提高2倍左右。同时对OLED在照明领域的应用前景做了展望。图1(于晓光)TN312.82007010014掺杂材料对蓝光OLED器件性能的影响=Influenc…     

发光与发光器件

TN312.8 2004064021 GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究=Study of negative capacitance effect of GaN blue LEDs[刊,中]/曾志斌(天津大学应用物理学系.天津(300072)),朱传云…∥光电子·激光.—2004,15(4).—402-405     

发光与发光器件

TN312.8 2004010015 MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED=InGaN/GaNMQW violet-LED grown by LP-MOCVD[刊,中]/李忠辉(北京大学物理学院,介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心.北京(100871)),杨志坚…∥发光学报.—2003,24(1).—107-109 利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫     

发光与发光器件

LED应用中,对其性能一致性要求很高,因此,LED生产线上必须配置对LED快速测量和分拣的装置。介绍了一种新开发的LED在线测量与分拣系统。实践证明,该装置工作稳定可靠、操作简便、分拣快捷。     

用于10GbpsTD-LTE的光接收器件的研究

针对目前TD-LTE产业的迅速发展,市场需求日益增大,对所用的10Gbps SFP+光收发合一模块在技术和成本上也提出了更高的要求。介绍了一款应用于10Gbps TD-LTE的光接收器件的设计,并对封装后的器件进行了测试及分析。该接收器件整体光电性能良好,同时具备低成本和低功耗的优势。     

辐射与发光 发光与发光器件

IN312．8 2005031617 850 nm超辐射发光二极管=Superluminescent diodes at 850 nm[刊,中]／廖柯(重庆光电所．重庆(400060)),刘刚 明…∥半导体光电．-2004,25(4)．-257-261 设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850 nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给 出了主要技术参数的设计和测试结果。实验结果表明,器     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005064014 绿色光源-LED=Green light sources-LED[刊,中]/武 毅(清华大学建筑设计研究院．北京(100084))∥灯与照 明．-2005,30(2)．-45-48,53 介绍了发光二极管(LED)的结构、发光原理,阐述了 作为绿色照明光源的发光二极管的特点及应用前最。图2 表3参2(杨妹清)     

辐射与发光 发光与发光器件

N312.8 2004053218 照明用LED光学系统的计算机辅助设计=Computer aid design on optical system of LED for illumination[刊,中]/严萍(浙江工业大学信息工程学院。浙江,杭州(310032)),李剑清∥半导体光电。—2004,25(3)。—181-     

辐射与发光 发光与发光器件

O482．31 2005042441 有机场致发光中能带模型与分子理论的讨论=Dispute between molecular and band theory in organic electrolumi- nescence[刊,英]／徐叙瑢(北京交通大学光电子技术研究所．北京(100044)),徐征…／／发光学报．-2005,26 (1)．-1-7 在有机场致发光中,能带模型及分子理论从20世纪就存在尖锐的矛盾。在分层优化方案中,经SiO2加速后的电子能量可以达到10eV,这足以激发发光材料发光。将分层优化方案应用到有机场致发光材料中,发现了固态