砷化镓中深能级陷阱的测量

对N型砷化镓外延材料进行了瞬态电容和热激电容测量。在液相外延材料中一般检测不到电子陷阱的存在,但是在气相外延材料中,通常都能找到导带下0.82和0.43eV两个电子陷阱,它们的电子俘获截面分别为2.0×10^-13和1.5×10^-15cm²。 关键词：     

用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性

本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。     

用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性

本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。     

砷化镓铝间接带的发光

研究了掺Sn,Te或Zn杂质的Al_xGa_(1-x)As发光,其中Al组份多,因此谱带跃迁是间接的。观察到属于激子、自由束缚载流子和施主—受主复合的几个发光带。实验数据得出Sn和Te施主“光学”离化能的范围在59±7meV;而对Zn受主则为56±5meV。得到的这些数值是和 AlAs中的类似。     

Ga1-xAlxAs LED深能级对其发光效率的影响

本文用DLTS法测量了发光效率不同的三只Ga1-xAlxAs LED的深能级浓度.深度和俘获截面,并计算出电子和空穴的寿命,同时测量了它们的发光光谱和光通.从发光效率正比于载流子寿命的观点出发,分析了实验结果.表明1*与3*LED发光效率比R1大致等于它们的寿命比Rτ,但2*与3*却差别很大,文中从光谱角度作了一些分析,差值有所改进.从载流子寿命分析,找出了△Em=0.28、0.33与0.32eV三个能级是分别影响三个LED效率的主要能级。指出了8800Å的红外峰是使发光效率降低的另一个原因,它可能起因于外延层与村底界面处GaAs的带间复合和通过杂质的复合,要得到高效的LED必须制备出好的Ga1-xAlxAs与GaAs界面,应尽可能使红外峰减少.实验表明,效率高的LED仅有一个深能级(0.28eV),在室温下视察不到明显的红外峰。     

ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E₁=E_v+0.21eV,E₂=E_v+0.44eV,E₃=E_v+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E₁=E_v+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。     

深能级瞬态谱仪

一、引言众所周知,如果在半导体中存在着某些杂质或缺陷,相应地在半导体的禁带中就出现一些能级．离开导带底较远或者离开价带顶较远的能级,都称为深能级．深能级的存在对于半导体的电学、光学和热学性质都有深刻的影响．对二极管和晶体管的开关特性与击穿特性,对发光二极管及半导体激光器的量子效率和使用寿命,对发光二极管的发光颜色以及电荷耦合器件的电荷转移效率等方面,深能级杂质和缺陷都有重要的甚至是决定性的影?...     

老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响

测量了GaP纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱,研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响.在老化后的发光光谱中观测到650nm和1260nm发光带,发现1260nm发光带的发光强度随老化时间的增加而增强.实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了GaP纯绿LED的发光效率.     

发光动力学

本文通过对辐射跃迁、无辐射跃迁和能量传递过程的讨论，介绍发光动力学的主要内容。     

六方碳化硅中的深能级缺陷

文章作者利用深能级瞬态谱(DLTS)，正电子湮灭谱(PAS)和光致荧光谱(PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷、这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照，或氦离子注入等产生．经过研究和分析各种实验测试的相关图谱，作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据．     

深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs1-xPx LED在正向电压,I=100mA(J=250A/cm2)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs1-xPx LED中存在三个电子能级:△En1=(0.19±0.01)eV;△En2=(0.20±0.01)eV;△En3=(0.40±0.01)eV。发现老化之后△En1与△En2的能级密度变小,而△En3的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通,C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs1-xPx LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△En1与△En2对GaAs1-xPx LED的发光效率与退化特性无影响,而△En3是限制GaAs1-xPx LED发光效率和退化特性的有效复合中心。     

半导体深能级波函数在Bloch空间的分布特征

在Koster-Slater格林函数以及中心原胞缺陷势近似的基础上第一次给出并讨论了Si,GaAs,GaP深能级波函数在Bloch空间的分布特征。并指出,对于一定能带数目的近似晶体模型,计算深能级波函数的收敛性比计算深能级能量的收敛性要快。 关键词：     

半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

本文对短程缺陷势深能级在能量趋向禁带边缘时波函数的行为作了研究。当深能级能量与禁带边能量差ε很小时,在一定的能量和对称性条件满足下,波函数在k空间向极值收缩而在实空间扩展。本文发展了一种方法可有效地用于ε很小时的波函数数值计算。对于靠近导带的A₁态波函数,对于出Si,当ε小于2meV时,开始显著地在k空间收缩;对于GaAs,直至ε=0.1meV还未发生显著收缩。发生显著收缩对应的ε值与有效质量以及缺陷态和能带边波函数对称性匹配度有灵敏的关系。对于靠近价带顶的A₁态,由于与价带顶对称性不匹配,不发生k空间收缩现象。 关键词：     

Se+注入ZnSe晶体的深能级研究

将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se+和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se+后在导带下0.34eV出现一个新的能级,其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。     

GaAs中过渡金属深杂质能级的计算

本文采用41个原子的原子族模型来模拟晶体,用电荷-组态自洽(SCCC)的EHMO方法和在边界上用"类Ga"和"类As"原子来饱和悬挂键,计算了中性过渡金属原子Cr、Mn、Fe、Co、Ni在半导体GaAs中的深杂质态,所得杂质能级在带隙中的位置与实验结果相符。     

用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响

本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaAsxPxLED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△En=0.15eV和一个很弱的△En=0.33eV电子深能级,它们的俘获截面都小于1.5×10-14cm2,总的能级浓度小,约为1.4×1015cm-3.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级,它们的俘获截面甚至大到2.2×10-12和1.3×10-13cm2;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽,说明杂质浓度大,总浓度分别为6.3×1015cm-3和3.4×1015cm-3.讨论了深能级对发光效率的影响.     

GaP:N LED中深能级对退化特性的影响

本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED''s老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED''s发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。     

n-Si(As):Yb1130nm四能级发光研究

在n-Si(As):Yb中首次观察到1130nm的尖锐发光.通过掺入Yb的剂量与发光强度的关系以及红外吸收、透射光谱的测量,讨论了敏化剂Yb与激活剂As之间能量传递过程.适当选取Yb与As的浓度比可提高发光效率.     

注氮GaAs中的深能级及其对自由载流子的补偿

详细研究了注氮n型GaAs中深的和浅的杂质缺陷的电学性质。深能级瞬态谱(DLTS)技术测量表明,能量为140keV和剂量为1×10¹³cm^-2的氮离子注入并经800℃退火30min的GaAs中存在四个电子陷阱,E₁(0.111),E₂(0.234),E₃(0.415),E₄(0.669)和一个空穴陷阱H(0.545),而在能量为20keV和剂量为5×10^{14关键词：}